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砷化鎵面發(fā)光管輸出光功率某些問題的探討

黎錫強 孫炳玉

黎錫強, 孫炳玉. 砷化鎵面發(fā)光管輸出光功率某些問題的探討[J]. 電子與信息學報, 1985, 7(3): 220-226.
引用本文: 黎錫強, 孫炳玉. 砷化鎵面發(fā)光管輸出光功率某些問題的探討[J]. 電子與信息學報, 1985, 7(3): 220-226.
Li Xiqiang, Sun Bingyu. INVESTIGATION OF PROBLEMS ABOUT THE LIGHT POWER OUTPUT OF GaAs/GaAlAs DH SURFACE EMITTING DIODES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1985, 7(3): 220-226.
Citation: Li Xiqiang, Sun Bingyu. INVESTIGATION OF PROBLEMS ABOUT THE LIGHT POWER OUTPUT OF GaAs/GaAlAs DH SURFACE EMITTING DIODES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1985, 7(3): 220-226.

砷化鎵面發(fā)光管輸出光功率某些問題的探討

INVESTIGATION OF PROBLEMS ABOUT THE LIGHT POWER OUTPUT OF GaAs/GaAlAs DH SURFACE EMITTING DIODES

  • 摘要: 用改進了的射頻濺射儀,在GaAs/GaAlAs DH面發(fā)光管的窗口上沉積一層厚度近于/4的Al2O3抗反射層后,其輸出光功率增高了3066%。而在相同涂層條件下,退化發(fā)光管輸出光功率的提高則不到30%,這可能與其體內(nèi)形成缺陷有關(guān)。
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  • E. G. Dierschke, L. E. Stone et al., Appl. Phys. Lett., 19(1971), 98.[2]Shigeki Horiuchi, Kenji Ikeda et al., IEEE Trans. on ED, ED-24 (1977), 986.[3]Shi,genenobu Yamakoshi, Osam Hasegawa et al., Appl. Phys. Lett., 31(1977), 627.[4]Osamu Oeda, Hajime Imai et al., J. Appl. Phys., 51(1980), 5316.[5]Osamu Ueda, Shaji Isozumi et al., ibid., 50(1979), 765.[6]黎錫強,孫炳玉,發(fā)光與顯示,1983年,第1期,第53頁.[7]Plenum Pree Handbook of High Temperature Materials, No 1, Materials Index by Peter T. B. Shaffer, Plenum Pree, New York,(1964).[8]Shaw Nan and Liu Yihuan, Scientia Sinica, 14(1965), 1582.[9]陳瑞璋等,光纖通訊,1980年,第2期,第53頁.[10]W. G. Spitzer and J. M. Whelan, Phys. Rev., 114(1959), 59.[11]D. E. Hill, J. Appl. Phys., 36(1965), 3405.[12]潘慧珍等,電子學通訊,3(1980), 22.[13]J. A. Bragagnolo and L. C. Dinetta,J.Vac. Sci. Technol., 18(1981), 364.[14]A. M. Glass, Canada J.Phys., 43(1965), 12.[15]G. B. Stringfellow and P. E. Greene, J. Appl. Phys, 40(1969), 502.[16]G. P. Kekelidze, N. P. Kekelide et al., Defects and Radiation Effects in Semiconductors, Oiso, Japan, Sept(1980), 275.[17]T. Enod, Y. Nakanishi, et al., ibid, Sept(1980), 299.[18]R. A. Polimadei, S. Share et al., IEEE Trans. on NS, NS-21 (1974), 96.[19]J. T. Cox and G. Hass, Physics of Thin Films, Vol. 2, Academic Press, New York,(1964), 239-303.
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出版歷程
  • 收稿日期:  1983-08-16
  • 修回日期:  1984-09-17
  • 刊出日期:  1985-05-19

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