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該文在現(xiàn)有譯碼算法的基礎(chǔ)上提出一種高效的非二進制低密度奇偶校驗碼(NB-LDPC)譯碼方法，充分利用了分層譯碼算法與Min-max算法的優(yōu)點，不但譯碼復(fù)雜度低、需要的存儲空間小，而且可將譯碼速度提高一倍。應(yīng)用該算法，對一種定義在GF(25)上的(620,509)碼進行了仿真。該碼的仿真結(jié)果表明：在相同誤碼率下，該文譯碼算法所需最大迭代次數(shù)僅為Zhang的算法(2011)的45%。

無人機(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相結(jié)合，可以滿足熱點地區(qū)高容量需求，提高通信質(zhì)量。該文提出一種無人機輔助的NOMA反向散射通信系統(tǒng)最小速率最大化資源分配算法?？紤]無人機發(fā)射功率、能量收集、反射系數(shù)、傳輸速率以及連續(xù)干擾消除(SIC)解碼順序約束，建立基于系統(tǒng)最小速率最大化的資源分配模型。首先利用塊坐標(biāo)下降將原問題分解為無人機發(fā)射功率優(yōu)化、反射系數(shù)優(yōu)化和無人機位置與SIC解碼順序聯(lián)合優(yōu)化3個子問題，然后使用反證法給出無人機最優(yōu)發(fā)射功率，再用變量替換法和連續(xù)凸逼近將剩余子問題進一步轉(zhuǎn)化為凸優(yōu)化問題進行求解。仿真結(jié)果表明，所提算法在系統(tǒng)和速率與用戶公平性之間具有較好折中。

針對目前圖像隱寫檢測模型中線性卷積層對高階特征表達(dá)能力有限，以及各通道特征圖沒有區(qū)分的問題，該文構(gòu)建了一個基于多層感知卷積和通道加權(quán)的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CNN)隱寫檢測模型。該模型使用多層感知卷積(Mlpconv)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的線性卷積，增強隱寫檢測模型對高階特征的表達(dá)能力；同時引入通道加權(quán)模塊，實現(xiàn)根據(jù)全局信息對每個卷積通道賦予不同的權(quán)重，增強有用特征并抑制無用特征，增強模型提取檢測特征的質(zhì)量。實驗結(jié)果表明，該檢測模型針對不同典型隱寫算法及不同嵌入率，相比Xu-Net, Yedroudj-Net, Zhang-Net均有更高的檢測準(zhǔn)確率，與最優(yōu)的Zhu-Net相比，準(zhǔn)確率提高1.95%～6.15%。

堿或堿土金屬的原子吸附于過渡金屬表面時,會使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來研究這一現(xiàn)象。過渡金屬基底用薄膜線性級加平面波(LAPW)法精確處理,而簡單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構(gòu)成基底的過渡金屬特點的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統(tǒng)的電子性質(zhì)。 文中給出了計算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實驗結(jié)果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問題。

為了在InP/InGaAs(P)材料中進行精確的選擇擴散,同時又要保證外延生長的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)不被破壞,提出了一種新的低溫開管Zn擴散方法。該法直至在T=500℃,t=5min的條件下,重復(fù)性仍很好。應(yīng)用該法研究了低溫條件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的擴散行為。實驗首次發(fā)現(xiàn),Zn在InGaAsP材料中的擴散速率與材料中P含量的平方成正比。

以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長鎳硅化物。實驗獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實驗同時表明,在低外延生長速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。

文本采用SIMS技術(shù),分析了BF2+注入多晶硅柵退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的遷移特性。結(jié)果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅柵經(jīng)過900℃,30min退火后,部分F原子已擴散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的遷移行為呈現(xiàn)不規(guī)則的特性,這歸因于損傷缺陷和鍵缺陷對F原子的富集作用。

常規(guī)生理參數(shù)監(jiān)測系統(tǒng)由于測量時接觸皮膚，因此舒適感差、個體依從性差。為解決上述問題，該文基于生理的微弱運動可致光纖微彎曲變形進而致光強度發(fā)生變化的原理，研制了新型的基于光纖傳感的生理參數(shù)監(jiān)測系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過光探測器自適應(yīng)地檢測細(xì)小的光強變化獲得心沖擊圖(BCG)信號，利用信號處理算法獲取心率、呼吸率和體動等信息；把光纖嵌入床墊或坐墊設(shè)計為三明治結(jié)構(gòu)，既保護了光纖又增強了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性；采用蛇形返折走線將光纖均勻地分布在墊子中間，使系統(tǒng)具有高靈敏度。通過多家醫(yī)院臨床標(biāo)準(zhǔn)方法對比測試可得在95%的置信區(qū)間(±1.96SD)內(nèi)該系統(tǒng)心率均值誤差為–0.26±2.80次/min，與標(biāo)準(zhǔn)值之間的相關(guān)性為0.9984；呼吸率均值誤差為0.41±1.49次/min，與標(biāo)準(zhǔn)值之間的相關(guān)性為0.9971。實驗表明，研制的系統(tǒng)可在零負(fù)荷的狀態(tài)下無感進行生理參數(shù)測量，在健康醫(yī)療領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

本文用俄歇電子能譜和掃描電子顯微鏡等方法研究了p-InP與Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接觸在熱處理過程中的互擴散現(xiàn)象.結(jié)果表明:Au較Ti、Pd易向p-InP內(nèi)擴散。研究了 p-InP/Au-Zn體系的合金化條件對比接觸電阻(c)的影響。在 450℃熱處理12 min或在 350℃熱處理30 min,均可得到較低的比接觸電阻,這表明界面處的互擴散程度是決定比接觸電阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸發(fā)和熱處理的過程中,Zn趨向于凝集在最表面層,而不能充分發(fā)揮它在InP中的受主作用,這是該體系的c值偏高的原因之一。

利用某些有機烷氧基金屬化合物的熱分解,可在玻璃、金屬、陶瓷或半導(dǎo)體基片上沉積相應(yīng)的金屬氧化物次級發(fā)射膜。例如:由乙氧基鎂(或鋁)的熱解制得MgO(或Al2O3)膜。本工作由自制乙氧基鋁和五氯化鉬,在玻璃基底上熱解沉積制得合適電阻率的次級發(fā)射膜Al2O3∶Mo.膜厚1000,電阻率107-108cm,最大次級電子發(fā)射系數(shù) max=3.1,熱解條件為450℃,12min。