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以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長(zhǎng)鎳硅化物。實(shí)驗(yàn)獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)同時(shí)表明,在低外延生長(zhǎng)速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。

正 1.引言 由于PbTiO3壓電陶瓷較難合成,因而使它的推廣應(yīng)用比PZT陶瓷晚。但是由于它的介電常數(shù)小(200左右),居里溫度高(490℃),故在高頻器件、紅外器件等方面有應(yīng)用前途。目前應(yīng)用較廣的(Ba,Pb)TiO3-PTC陶瓷的轉(zhuǎn)變溫度就是利用PbTiO3的高溫特性來(lái)提高的。 本文介紹的是利用PbTiO3的介電常數(shù)小、Kt大和頻率穩(wěn)定度高的特點(diǎn),把它用作濾

微支付交易具有交易量極大且單次交易額極小的特點(diǎn)，使得復(fù)雜的認(rèn)證協(xié)議不適用于微支付。Micali等人(2002)提出的基于概率選擇微支付方案，把微支付聚合成宏支付，大幅提高了微支付的效率。Liu-Yan在(2013)提出了保證所有參與者的數(shù)據(jù)融入概率選擇結(jié)果的生成, 而且使得所有參與者可以驗(yàn)證結(jié)果的公平性。然而，Liu-Yan方案中銀行可能獲得額外利益，從而破壞了協(xié)議的公平性。該文首先分析了Liu-Yan方案的安全威脅，并且以1個(gè)用戶-1個(gè)商家的模型代替Liu-Yan方案中大量用戶-1個(gè)商家的模型，以數(shù)據(jù)承諾技術(shù)為基礎(chǔ)保障結(jié)果的公平性與可驗(yàn)證性。

蒸涂法獲得的Si-Ni界面在室溫到800℃下熱處理,并用透射式電子顯微鏡對(duì)它進(jìn)行原位研究。在化學(xué)清洗的潔凈的Si(100)及(111)面上生成了Ni2Si,NiSi和NiSi2系列。實(shí)驗(yàn)表明,在真空度為110-6mmHg,溫度為650℃時(shí),化學(xué)清洗的Si表面上生成了SiC;各種鎳硅化物的出現(xiàn)不是在某一確定溫度;在Si(111)面上外延生長(zhǎng)鎳硅化物比在(100)面上容易。

本文給出了一種高精度的穩(wěn)定的色散邊界條件(DBC),可應(yīng)用于傳輸線的時(shí)域有限差分法(FDTD)的分析之中。我們用一個(gè)新的二階差分式代替了邊界條件中的微分算子。與P。Y。Zhao等人(1994)提出的色散邊界條件相比,本文中的邊界條件具有相同的絕對(duì)穩(wěn)定特性,但具有更好的吸收性能。

本文提出了一種在光照和短路條件下測(cè)量Ni/-Si∶H肖特基結(jié)勢(shì)壘寬度的方法。同時(shí),又在實(shí)驗(yàn)確定的參數(shù)的基礎(chǔ)上,從理論上計(jì)算了在AM1太陽(yáng)光譜照射下Ni/-Si∶H太陽(yáng)電池的I-V曲線。由此得到的非晶硅少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的數(shù)值與作者1983年用表面光電壓法(SPV)測(cè)得的是一致的。從計(jì)算結(jié)果出發(fā),著重分析了影響填充因子的各種因素。與實(shí)驗(yàn)對(duì)比可以得出結(jié)論:被測(cè)太陽(yáng)電池的填充因子小是串、并聯(lián)電阻造成的,而不是擴(kuò)散長(zhǎng)度太短的緣故。

一、前言 隨著我國(guó)電視工業(yè)的迅速發(fā)展,對(duì)電視機(jī)所用顯像管的壽命指標(biāo)提出了愈來(lái)愈高的要求。國(guó)產(chǎn)23X5B(9英寸)顯像管的壽命原部頒標(biāo)準(zhǔn)為750小時(shí),目前多數(shù)管的實(shí)際壽命一般不超過(guò)2000小時(shí),遠(yuǎn)不能滿足要求。 本實(shí)驗(yàn)的目的是試備用Ni-W-Ca合金代替Si-Ni合金作陰極基底金屬,以提高9英寸顯像管的壽命。實(shí)驗(yàn)表明,在不改變?cè)乒芄に嚨那闆r下,更換陰極基底金屬后,9英寸管的壽命可以提高到700012000小時(shí),甚至更高

正 一、引言 長(zhǎng)期以來(lái),氧化物陰極基金屬一般都采用鎳鎂、鎳硅等鎳合金。但用它們作直熱式陰極時(shí),在強(qiáng)度和熱變形等方面都不能很好滿足要求,如用在直熱式發(fā)射管FD-422中,就常出現(xiàn)陰極斷裂、高壓跳火,掉粉等問(wèn)題。為了解決這一問(wèn)題,我們研制出一種Ni-Co-W合金。用杯卣熱式發(fā)射管FD-422中,得到較好效果

該文報(bào)道一種直接在硅片上熱生長(zhǎng)硅納米線的新方法。與傳統(tǒng)的VLS生長(zhǎng)機(jī)制不同,該方法在生長(zhǎng)硅納米線的過(guò)程中沒(méi)有引入任何氣態(tài)或液態(tài)硅源.是一種全新的固液固(SLS)生長(zhǎng)機(jī)制。實(shí)驗(yàn)中使用了Ni,Au等金屬作為催化劑,由Ar,H2等作為載流氣體.系統(tǒng)壓強(qiáng)為2.5104Pa,生長(zhǎng)溫度為950-1000℃.生長(zhǎng)出的硅納米線表面光滑,呈純非晶態(tài),直徑為10-40 nm,長(zhǎng)度可達(dá)數(shù)十微米,升溫特性對(duì)硅納米線SLS熱生長(zhǎng)起重要作用。研究了各項(xiàng)實(shí)驗(yàn)參數(shù)(包括氣氛壓強(qiáng),加熱溫度及加熱時(shí)間等)對(duì)硅納米線生長(zhǎng)的影響。