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1985, 7(3): 238-240.
刊出日期:1985-05-19
正 (一)引言 除金(Au)以外,作者們還曾詳細(xì)地介紹過(guò)稀有金屬鈀(Pd)、釓(Gd)、銠(Rh)等在si/SiO2界面呈現(xiàn)的類(lèi)似的負(fù)電效應(yīng)。并且討論過(guò)該效應(yīng)的普遍性及其改善器件表面性質(zhì)的可能性。近來(lái)我們?cè)趯?shí)驗(yàn)中,又觀察到鑭(La)也是具有負(fù)電效應(yīng)的雜質(zhì),同樣能引起MOS結(jié)構(gòu)C-V曲線,包括高頻和準(zhǔn)靜態(tài)曲線,沿正柵壓方向明顯移動(dòng)。本文介紹的是摻La界面電特性的主要結(jié)果。 (二)實(shí)驗(yàn) MOS樣品是在電阻率為812cm的111P型Si單晶片上制成的。Si片是經(jīng)研磨、SiO2膠體拋光和化學(xué)拋光制成的,厚度約為300m。在1150℃下HC1和干氧的混合氣流中氧化30min,使Si片表面生成厚度約為1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,從背面擴(kuò)入La,進(jìn)而在不同條件(溫度、時(shí)間、氣氛等)下,對(duì)
1986, 8(4): 287-292.
刊出日期:1986-07-19
本文提出了解釋鑭-碳化鎢(La-WC)陰極發(fā)射大和抗油蒸汽中毒能力強(qiáng)的一些設(shè)想,并通過(guò)實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了所提出的設(shè)想。在La-WC陰極的工作溫度范圍內(nèi),La和 WC發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成La2C3。La2C3也是一種良好的發(fā)射材料,它具有與鑭相近的逸出功。La2C3能與鑭形成共熔體,對(duì)鎢基底浸潤(rùn)良好,易形成較好的發(fā)射層,而使發(fā)射顯著增大。La-WC陰極抗油蒸汽中毒是由于污染的碳與共熔體中的鑭形成La2C3,而La2C3也是良好的發(fā)射物質(zhì)的緣故。
2000, 22(3): 429-433.
刊出日期:2000-05-19
本文提出一種求解閉凸集上非線性規(guī)劃問(wèn)題的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型,給出了它的Liapunov函數(shù),在適當(dāng)?shù)募僭O(shè)下,運(yùn)用La Salle不變性原理證明了它的大范圍漸近穩(wěn)定性,并給出了計(jì)算機(jī)模擬。
2007, 29(1): 201-204.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2005.00574
刊出日期:2007-01-19
通過(guò)對(duì)Xu(2004)和Zhang(2004)提出的兩種環(huán)簽名方案進(jìn)行分析,指出了這兩種環(huán)簽名方案都容易受到群成員改變攻擊(group-changing attack),并給出了攻擊方法;另外,Zhang的方案還容易受到多已知簽名存在偽造(multiple-known-signature existential forgery)攻擊。為防范這兩種攻擊,對(duì)這兩種環(huán)簽名方案進(jìn)行了改進(jìn),改進(jìn)后的方案在最強(qiáng)的安全模型(Joseph, 2004提出)中仍是安全的。
2009, 31(7): 1732-1735.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00928
刊出日期:2009-07-19
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環(huán)簽名;密碼分析;可轉(zhuǎn)換性
通過(guò)對(duì)Zhang-Liu-He (2006),Gan-Chen (2004)和Wang-Zhang-Ma (2007)提出的可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案進(jìn)行分析,指出了這幾個(gè)可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案存在可轉(zhuǎn)換性攻擊或不可否認(rèn)性攻擊,即,環(huán)中的任何成員都能宣稱(chēng)自己是實(shí)際簽名者或冒充別的成員進(jìn)行環(huán)簽名。為防范這兩種攻擊,對(duì)這幾個(gè)可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案進(jìn)行了改進(jìn),改進(jìn)后的方案滿(mǎn)足可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名的安全性要求。
1992, 14(3): 329-331.
刊出日期:1992-05-19
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微通道板; 微通道板噪聲; 天然放射性同位素
本文計(jì)算了天然放射性同位素產(chǎn)生的MCP噪聲(以A/cm2表示)。計(jì)算結(jié)果給出:Rb87產(chǎn)生的噪聲最大,K40次之;最小為La138和V50。這表明:某些應(yīng)用領(lǐng)域要求低噪聲或超低噪聲的MCP時(shí),則該MCP的皮料中不能含有天然放射性同位素Rb87或K40。
1983, 5(1): 64-65.
刊出日期:1983-01-19
正 隨著各種特殊電真空器件和電子束設(shè)備的發(fā)展,要求陰極能適應(yīng)相應(yīng)的環(huán)境。如密封油膜光閥管,就需要能抵抗油蒸汽中毒的陰極。國(guó)外使用一種含釷的儲(chǔ)備式陰極,但釷有放射性污染。我們研制了一種沒(méi)有放射性污染的鑭鎢陰極。Albert等人曾發(fā)表過(guò)這類(lèi)陰極的發(fā)射數(shù)據(jù)。Gallagher報(bào)道過(guò)這類(lèi)陰極抗氧中毒的性能。但迄今,尚未見(jiàn)到這類(lèi)陰極的其他性能和運(yùn)用情況的報(bào)道。 幾年來(lái),我們對(duì)鑭鎢陰極進(jìn)行了研究,選擇了一種新配方,做出了以WC,La,Pt三
2020, 42(2): 327-332.
doi: 10.11999/JEIT190685
刊出日期:2020-02-19
由于基于最壞情況困難假設(shè)等優(yōu)點(diǎn),基于格的密碼被認(rèn)為是最具前景的抗量子密碼研究方向。作為格密碼的常用的兩個(gè)主要困難問(wèn)題之一,含錯(cuò)學(xué)習(xí)(LWE)問(wèn)題被廣泛用于密碼算法的設(shè)計(jì)。為了提高格密碼算法的性能,Zhang等人(2019)提出了非對(duì)稱(chēng)含錯(cuò)學(xué)習(xí)問(wèn)題,該文將從理論上詳細(xì)研究非對(duì)稱(chēng)含錯(cuò)學(xué)習(xí)問(wèn)題和標(biāo)準(zhǔn)含錯(cuò)學(xué)習(xí)問(wèn)題關(guān)系,并證明在特定錯(cuò)誤分布下非對(duì)稱(chēng)含錯(cuò)學(xué)習(xí)問(wèn)題和含錯(cuò)學(xué)習(xí)問(wèn)題是多項(xiàng)式時(shí)間等價(jià)的,從而為基于非對(duì)稱(chēng)含錯(cuò)學(xué)習(xí)問(wèn)題設(shè)計(jì)安全的格密碼算法奠定了理論基礎(chǔ)。
1988, 10(6): 563-567.
刊出日期:1988-11-19
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紅外圖象; 砷化鎵; 圖象處理軟件
本文介紹了一種用于研究砷化鎵材料中的缺陷(比如EL2吸收特性等)的新方法:將一束波長(zhǎng)為1.11.5m的近紅外光穿過(guò)一塊厚度為48mm,直徑為50mm的砷化鎵材料,用紅外攝象機(jī)TOSHIBA 8844攝取圖象,并直接送入計(jì)算機(jī)圖象處理系統(tǒng)DATASUD,材料中的非均勻性缺陷圖象,即材料中的缺陷(EL2,位錯(cuò)等)在截面上的分布結(jié)構(gòu)形狀(十字形,網(wǎng)狀,球粒形等)就可從屏幕上觀察到。本文給出了為研究這類(lèi)材料設(shè)計(jì)的ZHIMAG(ZHang IMAGe)圖象處理軟件包和應(yīng)用ZHIMAG所獲得的一些結(jié)果。ZHIMAG也適用于其它類(lèi)型的圖象處理。
2007, 29(10): 2529-2532.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2006.00414
刊出日期:2007-10-19
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代理簽名;匿名代理簽名;孤懸因子;強(qiáng)不可偽造性
Gu-Zhang-Yang(2005)提出了一個(gè)不需要可信第三方參與的匿名代理簽名方案,由于該方案的簽名驗(yàn)證數(shù)據(jù)中沒(méi)有回避孤懸因子這一現(xiàn)象,因此并不滿(mǎn)足強(qiáng)不可偽造性,原始簽名人可以偽造一個(gè)有效的代理簽名通過(guò)驗(yàn)證,并成功地在代理簽名者身份揭示階段向公眾證明該偽造的代理簽名是由合法的代理簽名者產(chǎn)生的。本文在分析該方案安全性的基礎(chǔ)上提出了改進(jìn)的匿名代理簽名方案,克服了原方案的不足。
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