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用Zn作擴(kuò)散源在封閉的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的擴(kuò)散問題,給出了xj-t1/2關(guān)系和C-1/T關(guān)系,比較了擴(kuò)散源溫度對(duì)樣品表面形貌的影響。采用雙溫區(qū)擴(kuò)散工藝可獲得表面光亮的樣品。采用真空退火工藝可使擴(kuò)散樣品表面漏電流降低。

針對(duì)應(yīng)變Si1-xGex的應(yīng)變致價(jià)帶分裂和重?fù)诫s對(duì)裂值的影響,提出了該合金價(jià)帶結(jié)構(gòu)的等價(jià)有效簡(jiǎn)并度模型。模型中考慮了非拋物線價(jià)帶結(jié)構(gòu)。應(yīng)用這個(gè)模型,計(jì)算了贗晶生長(zhǎng)在100Si襯底上的p型Si_(1-x)Ge_x應(yīng)變層的重?fù)诫s禁帶窄變,發(fā)現(xiàn)當(dāng)雜質(zhì)濃度超過約2～31019cm-3后,它在某一Ge組分下得到極大值,而當(dāng)摻雜低于此濃度時(shí),它則隨Ge組分的增加單調(diào)下降。與實(shí)驗(yàn)報(bào)道的對(duì)比證實(shí)了本模型的有效性。

該文提出一組基于廣義局部沃爾什變換(GLWT)的紋理特征。首先給出局部沃爾什變換(LWT)的定義，并在空域中對(duì)其加以推廣，用以提取圖像的局部紋理信息；然后在一個(gè)宏窗口中估計(jì)12個(gè)GLWT系數(shù)的二階矩作為圖像的紋理特征。對(duì)這組紋理特征的鑒別性能進(jìn)行了分析，并與Haralick(1973)，Wang Li(1990)，以及Yu Hui提出的紋理特征進(jìn)行了比較。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該文提出的紋理特征具有更好的鑒別性能和分類能力。

本文研究覆介質(zhì)導(dǎo)體圓柱面上軸向窄縫間的耦合,討論了耦合系數(shù)譜展開式中無窮積分的收斂性態(tài),利用輔助函數(shù)Ge得出了耦合系數(shù)的計(jì)算公式,給出了部分?jǐn)?shù)值計(jì)算結(jié)果。

該文采用通用流封裝GSE來完成地面數(shù)字多媒體廣播(T-DMB)系統(tǒng)的IP業(yè)務(wù)的傳輸，提出了一種改進(jìn)的GSE-FEC方案。其中設(shè)計(jì)了一種可提供幀重構(gòu)信息以及錯(cuò)誤位置信息的改進(jìn)的GSE封裝(IGSE)，進(jìn)一步提出了基于IGSE的帶擦除譯碼方案IGE，用于GSE-FEC方案的譯碼部分, 較好地提高了GSE-FEC的性能。仿真結(jié)果表明，IGE與基于非帶擦除(NE)以及基于現(xiàn)有GSE封裝的帶擦除(GE)RS譯碼方案相比，均表現(xiàn)出更強(qiáng)的糾錯(cuò)能力，另外，與GE方案相比，IGE可以更好的保護(hù)正確字節(jié)，有效的減少信息浪費(fèi)。

本文將文獻(xiàn)[1]的分析方法推廣到帶鐵心的偏轉(zhuǎn)器,繞組形狀可以是任意的,如子午繞組、非子午繞組、鞍形、環(huán)形或扇形等。對(duì)鐵心與繞組之間有一定間隙的情況,提出了計(jì)算偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的一種新的表示式,并用高斯-切比雪夫積分式對(duì)積分方程離散求解。最后用COTY GE-14''彩顯管偏轉(zhuǎn)器的解剖數(shù)據(jù)驗(yàn)證。

用H.263標(biāo)準(zhǔn)對(duì)甚低碼率圖像編碼時(shí)，經(jīng)過幀間預(yù)測(cè)后得到的運(yùn)動(dòng)補(bǔ)償數(shù)據(jù)通常很小，對(duì)這些數(shù)據(jù)再進(jìn)行DCT和量化后往往成為全零塊，Alice Yu算法和周算法是預(yù)先判別全零系數(shù)塊的較為有效的方法，但在對(duì)較為復(fù)雜的序列圖像進(jìn)行預(yù)測(cè)時(shí)分別出現(xiàn)了較大程度的誤判和漏判。針對(duì)這些缺點(diǎn)，該文提出了一種新的全零系數(shù)塊的判別方法，它具有能隨量化級(jí)的變化自適應(yīng)地調(diào)整全零塊的判斷閾值、無需任何附加運(yùn)算和對(duì)圖像序列內(nèi)容復(fù)雜程度不敏感的優(yōu)點(diǎn)，將該方法應(yīng)用于H.263編碼器中，對(duì)Miss America和News圖像序列進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)表明，大約有40％-80％的塊可以在做DCT和量化前被判別為全零系數(shù)塊，大大減少了編碼的時(shí)間，同時(shí)圖像質(zhì)量的下降控制在0.0005 dB以內(nèi)。

本文用DLTS譜儀和單脈沖瞬態(tài)電容技術(shù)測(cè)量了光通信用GaAlAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管中的深能級(jí),對(duì)有源區(qū)摻Si和摻Ge的相同結(jié)構(gòu)器件,均測(cè)得有多子陷阱存在,其能級(jí)位置分別為EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比較了外延系統(tǒng)中氧含量變化對(duì)有源區(qū)摻Si器件深能級(jí)的影響,以及有源區(qū)EL圖象中的DSD與深能級(jí)關(guān)系,結(jié)果表明外延系統(tǒng)中氧含量對(duì)深能級(jí)有明顯影響,而EL圖象中DSD的出現(xiàn)率與深能級(jí)無明顯關(guān)系。

在分布式存儲(chǔ)系統(tǒng)中，當(dāng)節(jié)點(diǎn)發(fā)生故障時(shí)局部修復(fù)碼(LRC)可以通過訪問少量其他節(jié)點(diǎn)來恢復(fù)數(shù)據(jù)，然而LRC的局部度不盡相同，該文構(gòu)造了短碼長(zhǎng)且局部度較小的四元LRC。當(dāng)碼長(zhǎng)不超過20，最小距離大于2時(shí)，若四元距離最優(yōu)線性碼的生成陣維數(shù)不超過校驗(yàn)陣維數(shù)，可利用其生成陣給出LRC，否則利用其校驗(yàn)陣給出LRC。對(duì)已構(gòu)造的LRC的生成陣或校驗(yàn)陣，利用刪除、并置等方法得到新矩陣，從而構(gòu)造出190個(gè)碼長(zhǎng)$n \le 20$，最小距離$d \ge 2$的LRC。除12個(gè)LRC外，其他LRC是局部度最優(yōu)的。

Lai-Massey結(jié)構(gòu)是由IDEA算法發(fā)展而來的一個(gè)分組密碼結(jié)構(gòu)，F(xiàn)OX系列密碼算法是該密碼結(jié)構(gòu)的代表。該文從差分概率關(guān)于獨(dú)立等概輪密鑰的平均概率上界和給定起點(diǎn)和終點(diǎn)的線性鏈的平均概率上界兩個(gè)角度出發(fā)，研究Lai-Massey 結(jié)構(gòu)的差分和線性可證明安全性。該文證明了2輪Lai-Massey結(jié)構(gòu)的非平凡差分對(duì)應(yīng)關(guān)于獨(dú)立等概的輪密鑰的平均概率 $ \le p{}_{\max }$ ；證明了當(dāng)Lai-Massey 結(jié)構(gòu)的F函數(shù)是正型置換時(shí)，輪數(shù) $r \ge 3$ 的非平凡差分對(duì)應(yīng)關(guān)于獨(dú)立等概的輪密鑰的平均概率 $ \le p_{\max }^2$ 。針對(duì)給定起點(diǎn)和終點(diǎn)的線性鏈的平均概率上界，該文也獲得了類似的結(jié)論。