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Zn在Ge中擴散的研究
張桂成
1987, 9(3): 264-268.  刊出日期:1987-05-19
用Zn作擴散源在封閉的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的擴散問題,給出了xj-t1/2關(guān)系和C-1/T關(guān)系,比較了擴散源溫度對樣品表面形貌的影響。采用雙溫區(qū)擴散工藝可獲得表面光亮的樣品。采用真空退火工藝可使擴散樣品表面漏電流降低。
p型Si1-xGex應變層中重摻雜禁帶窄變的計算
吳文剛, 張萬榮, 江德生, 羅晉生
1996, 18(6): 638-643.  刊出日期:1996-11-19
關(guān)鍵詞: 鍺硅合金; 應變; 重摻雜; 能帶結(jié)構(gòu)
針對應變Si1-xGex的應變致價帶分裂和重摻雜對裂值的影響,提出了該合金價帶結(jié)構(gòu)的等價有效簡并度模型。模型中考慮了非拋物線價帶結(jié)構(gòu)。應用這個模型,計算了贗晶生長在100Si襯底上的p型Si_(1-x)Ge_x應變層的重摻雜禁帶窄變,發(fā)現(xiàn)當雜質(zhì)濃度超過約2~31019cm-3后,它在某一Ge組分下得到極大值,而當摻雜低于此濃度時,它則隨Ge組分的增加單調(diào)下降。與實驗報道的對比證實了本模型的有效性。
覆介質(zhì)導體圓柱面上軸向窄縫間的耦合
鄭京亮, 楊棄疾
1989, 11(4): 410-415.  刊出日期:1989-07-19
關(guān)鍵詞: 天線; 覆介質(zhì)導體圓柱; 縫隙; 耦合
本文研究覆介質(zhì)導體圓柱面上軸向窄縫間的耦合,討論了耦合系數(shù)譜展開式中無窮積分的收斂性態(tài),利用輔助函數(shù)Ge得出了耦合系數(shù)的計算公式,給出了部分數(shù)值計算結(jié)果。
SIMON64算法的積分分析
徐洪, 方玉穎, 戚文峰
2020, 42(3): 720-728. doi: 10.11999/JEIT190230  刊出日期:2020-03-19
關(guān)鍵詞: 等價密鑰, SIMON64, 中間相遇, 部分和, 積分分析

SIMON系列算法自提出以來便受到了廣泛關(guān)注。積分分析方面,Wang,F(xiàn)u和Chu等人給出了SIMON32和SIMON48算法的積分分析,該文在已有的分析結(jié)果上,進一步考慮了更長分組的SIMON64算法的積分分析?;?em>Xiang等人找到的18輪積分區(qū)分器,該文先利用中間相遇技術(shù)和部分和技術(shù)給出了25輪SIMON64/128算法的積分分析,接著利用等價密鑰技術(shù)進一步降低了攻擊過程中需要猜測的密鑰量,并給出了26輪SIMON64/128算法的積分分析。通過進一步的分析,該文發(fā)現(xiàn)高版本的SIMON算法具有更好抵抗積分分析的能力。

一種用于T-DMB系統(tǒng)IP業(yè)務傳輸?shù)腉SE-FEC方案
李立, 劉元安, 劉凱明, 劉煬, 程飛
2009, 31(5): 1233-1236. doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108  刊出日期:2009-05-19
關(guān)鍵詞: 地面數(shù)字多媒體廣播;通用流封裝;RS碼;帶擦除譯碼;循環(huán)冗余校驗
該文采用通用流封裝GSE來完成地面數(shù)字多媒體廣播(T-DMB)系統(tǒng)的IP業(yè)務的傳輸,提出了一種改進的GSE-FEC方案。其中設計了一種可提供幀重構(gòu)信息以及錯誤位置信息的改進的GSE封裝(IGSE),進一步提出了基于IGSE的帶擦除譯碼方案IGE,用于GSE-FEC方案的譯碼部分, 較好地提高了GSE-FEC的性能。仿真結(jié)果表明,IGE與基于非帶擦除(NE)以及基于現(xiàn)有GSE封裝的帶擦除(GE)RS譯碼方案相比,均表現(xiàn)出更強的糾錯能力,另外,與GE方案相比,IGE可以更好的保護正確字節(jié),有效的減少信息浪費。
帶鐵心任意形狀偏轉(zhuǎn)器磁場的計算
謝志行, 林文彬, 沈慶垓
1990, 12(2): 169-178.  刊出日期:1990-03-19
關(guān)鍵詞: 電子光學; 磁偏轉(zhuǎn)器; 任意形狀繞組
本文將文獻[1]的分析方法推廣到帶鐵心的偏轉(zhuǎn)器,繞組形狀可以是任意的,如子午繞組、非子午繞組、鞍形、環(huán)形或扇形等。對鐵心與繞組之間有一定間隙的情況,提出了計算偏轉(zhuǎn)場的一種新的表示式,并用高斯-切比雪夫積分式對積分方程離散求解。最后用COTY GE-14''彩顯管偏轉(zhuǎn)器的解剖數(shù)據(jù)驗證。
GaAlAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管中的深能級
張桂成,
1989, 11(3): 333-336.  刊出日期:1989-05-19
關(guān)鍵詞: 發(fā)光管; GaAlAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié); 深能級
本文用DLTS譜儀和單脈沖瞬態(tài)電容技術(shù)測量了光通信用GaAlAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管中的深能級,對有源區(qū)摻Si和摻Ge的相同結(jié)構(gòu)器件,均測得有多子陷阱存在,其能級位置分別為EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比較了外延系統(tǒng)中氧含量變化對有源區(qū)摻Si器件深能級的影響,以及有源區(qū)EL圖象中的DSD與深能級關(guān)系,結(jié)果表明外延系統(tǒng)中氧含量對深能級有明顯影響,而EL圖象中DSD的出現(xiàn)率與深能級無明顯關(guān)系。
短碼長四元最優(yōu)局部修復碼的構(gòu)造
李瑞虎, 展秀珍, 付強, 張茂, 鄭尤良
2021, 43(12): 3749-3757. doi: 10.11999/JEIT200740  刊出日期:2021-12-21
關(guān)鍵詞: 最優(yōu)碼, 局部修復碼, 生成陣, 校驗陣
在分布式存儲系統(tǒng)中,當節(jié)點發(fā)生故障時局部修復碼(LRC)可以通過訪問少量其他節(jié)點來恢復數(shù)據(jù),然而LRC的局部度不盡相同,該文構(gòu)造了短碼長且局部度較小的四元LRC。當碼長不超過20,最小距離大于2時,若四元距離最優(yōu)線性碼的生成陣維數(shù)不超過校驗陣維數(shù),可利用其生成陣給出LRC,否則利用其校驗陣給出LRC。對已構(gòu)造的LRC的生成陣或校驗陣,利用刪除、并置等方法得到新矩陣,從而構(gòu)造出190個碼長$n \le 20$,最小距離$d \ge 2$的LRC。除12個LRC外,其他LRC是局部度最優(yōu)的。
Lai-Massey結(jié)構(gòu)平均差分概率和平均線性鏈概率的上界估計
凡如亞, 金晨輝, 崔霆
2018, 40(12): 2986-2991. doi: 10.11999/JEIT180196  刊出日期:2018-12-01
關(guān)鍵詞: 密碼學, Lai-Massey 結(jié)構(gòu), 差分分析, 線性分析, 可證明安全, 正型置換
Lai-Massey結(jié)構(gòu)是由IDEA算法發(fā)展而來的一個分組密碼結(jié)構(gòu),F(xiàn)OX系列密碼算法是該密碼結(jié)構(gòu)的代表。該文從差分概率關(guān)于獨立等概輪密鑰的平均概率上界和給定起點和終點的線性鏈的平均概率上界兩個角度出發(fā),研究Lai-Massey 結(jié)構(gòu)的差分和線性可證明安全性。該文證明了2輪Lai-Massey結(jié)構(gòu)的非平凡差分對應關(guān)于獨立等概的輪密鑰的平均概率 $ \le p{}_{\max }$ ;證明了當Lai-Massey 結(jié)構(gòu)的F函數(shù)是正型置換時,輪數(shù) $r \ge 3$ 的非平凡差分對應關(guān)于獨立等概的輪密鑰的平均概率 $ \le p_{\max }^2$ 。針對給定起點和終點的線性鏈的平均概率上界,該文也獲得了類似的結(jié)論。
基于模2pm的歐拉商的二元序列的線性復雜度
杜小妮, 李麗, 張福軍
2019, 41(12): 3000-3005. doi: 10.11999/JEIT190071  刊出日期:2019-12-01
關(guān)鍵詞: 有限域, 二元序列, 歐拉商, 線性復雜度, 極小多項式
基于歐拉商模奇素數(shù)冪構(gòu)造的偽隨機序列均具有良好的密碼學性質(zhì)。該文根據(jù)剩余類環(huán)理論,利用模$2{p^m}$($p$為奇素數(shù),整數(shù)$m \ge 1$)的歐拉商構(gòu)造了一類周期為$2{p^{m + 1}}$的二元序列,并在${2^{p - 1}}\not \equiv 1 ({od}\,{p^2})$的條件下借助有限域${F_2}$上確定多項式根的方法,給出了序列的線性復雜度。結(jié)果表明,序列的線性復雜度取值為$2({p^{m + 1}} - p)$$2({p^{m + 1}} - 1)$不小于其周期的1/2,能夠抵抗Berlekamp-Massey(B-M)算法的攻擊,是密碼學意義上性質(zhì)良好的偽隨機序列。
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