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Whitenoise是由BSB Utilities公司提出的一個(gè)序列密碼算法。Wu在2003年8月巧妙地給出了破譯Whitenoise算法的一個(gè)解方程組方法。該文對(duì)Wu的破譯算法進(jìn)行了深入分析, 證明了Wu方法的兩個(gè)基本假設(shè)是錯(cuò)誤的, 因而Wu的方法不可能求出正確密鑰。此外, 該文還對(duì)Wu的破譯方法進(jìn)行了改進(jìn), 給出了求解Whitenoise密碼的秘密整數(shù)和秘密素?cái)?shù)的方法, 并給出了對(duì)Whitenoise密碼的一個(gè)預(yù)測(cè)攻擊方法, 利用該方法可由其前80445個(gè)亂數(shù)求出其任一時(shí)刻的亂數(shù)。此外, 該文還給出了求出其全部秘密要素的一個(gè)思路。

該文在現(xiàn)有譯碼算法的基礎(chǔ)上提出一種高效的非二進(jìn)制低密度奇偶校驗(yàn)碼(NB-LDPC)譯碼方法，充分利用了分層譯碼算法與Min-max算法的優(yōu)點(diǎn)，不但譯碼復(fù)雜度低、需要的存儲(chǔ)空間小，而且可將譯碼速度提高一倍。應(yīng)用該算法，對(duì)一種定義在GF(25)上的(620,509)碼進(jìn)行了仿真。該碼的仿真結(jié)果表明：在相同誤碼率下，該文譯碼算法所需最大迭代次數(shù)僅為Zhang的算法(2011)的45%。

無(wú)人機(jī)(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相結(jié)合，可以滿足熱點(diǎn)地區(qū)高容量需求，提高通信質(zhì)量。該文提出一種無(wú)人機(jī)輔助的NOMA反向散射通信系統(tǒng)最小速率最大化資源分配算法。考慮無(wú)人機(jī)發(fā)射功率、能量收集、反射系數(shù)、傳輸速率以及連續(xù)干擾消除(SIC)解碼順序約束，建立基于系統(tǒng)最小速率最大化的資源分配模型。首先利用塊坐標(biāo)下降將原問(wèn)題分解為無(wú)人機(jī)發(fā)射功率優(yōu)化、反射系數(shù)優(yōu)化和無(wú)人機(jī)位置與SIC解碼順序聯(lián)合優(yōu)化3個(gè)子問(wèn)題，然后使用反證法給出無(wú)人機(jī)最優(yōu)發(fā)射功率，再用變量替換法和連續(xù)凸逼近將剩余子問(wèn)題進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為凸優(yōu)化問(wèn)題進(jìn)行求解。仿真結(jié)果表明，所提算法在系統(tǒng)和速率與用戶公平性之間具有較好折中。

本文發(fā)展了T.T.Wu教授(1985)提出的電磁導(dǎo)彈理論,總結(jié)出能產(chǎn)生電磁導(dǎo)彈效應(yīng)的激勵(lì)信號(hào)頻譜漸近條件,提出了幾種可能的電磁導(dǎo)彈系統(tǒng)。

該文對(duì)可轉(zhuǎn)變認(rèn)證加密進(jìn)行了研究，指出了Wu-Hsu(2002)方案和Huang-Chang(2003)方案中存在的問(wèn)題，分別給出了這兩個(gè)方案的改進(jìn)方案，很好地解決了認(rèn)證加密方案的公開(kāi)驗(yàn)證問(wèn)題。

Soo-Chang Pei,Ja-Ling wu(1986)和茅一民(1987)提出了長(zhǎng)度為2m的分離基2/4哈脫萊變換算法。本文將分離基算法推廣到長(zhǎng)度為pm的哈脫萊變換,并證明基p2算法實(shí)乘次數(shù)比基p算法少,而基p/p2算法實(shí)乘次數(shù)比前兩者都少。作為例子,給出了長(zhǎng)度為N=3m的基3/9哈脫萊變換快速算法和流圖。

堿或堿土金屬的原子吸附于過(guò)渡金屬表面時(shí),會(huì)使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來(lái)研究這一現(xiàn)象。過(guò)渡金屬基底用薄膜線性級(jí)加平面波(LAPW)法精確處理,而簡(jiǎn)單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構(gòu)成基底的過(guò)渡金屬特點(diǎn)的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統(tǒng)的電子性質(zhì)。 文中給出了計(jì)算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實(shí)驗(yàn)結(jié)果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問(wèn)題。

為了在InP/InGaAs(P)材料中進(jìn)行精確的選擇擴(kuò)散,同時(shí)又要保證外延生長(zhǎng)的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)不被破壞,提出了一種新的低溫開(kāi)管Zn擴(kuò)散方法。該法直至在T=500℃,t=5min的條件下,重復(fù)性仍很好。應(yīng)用該法研究了低溫條件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的擴(kuò)散行為。實(shí)驗(yàn)首次發(fā)現(xiàn),Zn在InGaAsP材料中的擴(kuò)散速率與材料中P含量的平方成正比。

以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長(zhǎng)鎳硅化物。實(shí)驗(yàn)獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)同時(shí)表明,在低外延生長(zhǎng)速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。

文本采用SIMS技術(shù),分析了BF2+注入多晶硅柵退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的遷移特性。結(jié)果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅柵經(jīng)過(guò)900℃,30min退火后,部分F原子已擴(kuò)散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的遷移行為呈現(xiàn)不規(guī)則的特性,這歸因于損傷缺陷和鍵缺陷對(duì)F原子的富集作用。