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Whitenoise是由BSB Utilities公司提出的一個序列密碼算法。Wu在2003年8月巧妙地給出了破譯Whitenoise算法的一個解方程組方法。該文對Wu的破譯算法進行了深入分析, 證明了Wu方法的兩個基本假設(shè)是錯誤的, 因而Wu的方法不可能求出正確密鑰。此外, 該文還對Wu的破譯方法進行了改進, 給出了求解Whitenoise密碼的秘密整數(shù)和秘密素數(shù)的方法, 并給出了對Whitenoise密碼的一個預(yù)測攻擊方法, 利用該方法可由其前80445個亂數(shù)求出其任一時刻的亂數(shù)。此外, 該文還給出了求出其全部秘密要素的一個思路。

該文在現(xiàn)有譯碼算法的基礎(chǔ)上提出一種高效的非二進制低密度奇偶校驗碼(NB-LDPC)譯碼方法，充分利用了分層譯碼算法與Min-max算法的優(yōu)點，不但譯碼復(fù)雜度低、需要的存儲空間小，而且可將譯碼速度提高一倍。應(yīng)用該算法，對一種定義在GF(25)上的(620,509)碼進行了仿真。該碼的仿真結(jié)果表明：在相同誤碼率下，該文譯碼算法所需最大迭代次數(shù)僅為Zhang的算法(2011)的45%。

無人機(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相結(jié)合，可以滿足熱點地區(qū)高容量需求，提高通信質(zhì)量。該文提出一種無人機輔助的NOMA反向散射通信系統(tǒng)最小速率最大化資源分配算法?？紤]無人機發(fā)射功率、能量收集、反射系數(shù)、傳輸速率以及連續(xù)干擾消除(SIC)解碼順序約束，建立基于系統(tǒng)最小速率最大化的資源分配模型。首先利用塊坐標下降將原問題分解為無人機發(fā)射功率優(yōu)化、反射系數(shù)優(yōu)化和無人機位置與SIC解碼順序聯(lián)合優(yōu)化3個子問題，然后使用反證法給出無人機最優(yōu)發(fā)射功率，再用變量替換法和連續(xù)凸逼近將剩余子問題進一步轉(zhuǎn)化為凸優(yōu)化問題進行求解。仿真結(jié)果表明，所提算法在系統(tǒng)和速率與用戶公平性之間具有較好折中。

本文發(fā)展了T.T.Wu教授(1985)提出的電磁導(dǎo)彈理論,總結(jié)出能產(chǎn)生電磁導(dǎo)彈效應(yīng)的激勵信號頻譜漸近條件,提出了幾種可能的電磁導(dǎo)彈系統(tǒng)。

該文對可轉(zhuǎn)變認證加密進行了研究，指出了Wu-Hsu(2002)方案和Huang-Chang(2003)方案中存在的問題，分別給出了這兩個方案的改進方案，很好地解決了認證加密方案的公開驗證問題。

Soo-Chang Pei,Ja-Ling wu(1986)和茅一民(1987)提出了長度為2m的分離基2/4哈脫萊變換算法。本文將分離基算法推廣到長度為pm的哈脫萊變換,并證明基p2算法實乘次數(shù)比基p算法少,而基p/p2算法實乘次數(shù)比前兩者都少。作為例子,給出了長度為N=3m的基3/9哈脫萊變換快速算法和流圖。

堿或堿土金屬的原子吸附于過渡金屬表面時,會使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來研究這一現(xiàn)象。過渡金屬基底用薄膜線性級加平面波(LAPW)法精確處理,而簡單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構(gòu)成基底的過渡金屬特點的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統(tǒng)的電子性質(zhì)。 文中給出了計算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實驗結(jié)果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問題。

為了在InP/InGaAs(P)材料中進行精確的選擇擴散,同時又要保證外延生長的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)不被破壞,提出了一種新的低溫開管Zn擴散方法。該法直至在T=500℃,t=5min的條件下,重復(fù)性仍很好。應(yīng)用該法研究了低溫條件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的擴散行為。實驗首次發(fā)現(xiàn),Zn在InGaAsP材料中的擴散速率與材料中P含量的平方成正比。

以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長鎳硅化物。實驗獲得了Si(111)77以及它的負區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實驗同時表明,在低外延生長速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。

文本采用SIMS技術(shù),分析了BF2+注入多晶硅柵退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的遷移特性。結(jié)果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅柵經(jīng)過900℃,30min退火后,部分F原子已擴散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的遷移行為呈現(xiàn)不規(guī)則的特性,這歸因于損傷缺陷和鍵缺陷對F原子的富集作用。