論文元數(shù)據(jù)搜索，找到相關(guān)信息共 7 條：
1987, 9(5): 420-427.
刊出日期：1987-09-19
以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長鎳硅化物。實驗獲得了Si(111)77以及它的負區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實驗同時表明,在低外延生長速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。
1986, 8(1): 76-80.
刊出日期：1986-01-19
正 1.引言 由于PbTiO3壓電陶瓷較難合成,因而使它的推廣應(yīng)用比PZT陶瓷晚。但是由于它的介電常數(shù)小(200左右),居里溫度高(490℃),故在高頻器件、紅外器件等方面有應(yīng)用前途。目前應(yīng)用較廣的(Ba,Pb)TiO3-PTC陶瓷的轉(zhuǎn)變溫度就是利用PbTiO3的高溫特性來提高的。 本文介紹的是利用PbTiO3的介電常數(shù)小、Kt大和頻率穩(wěn)定度高的特點,把它用作濾
1988, 10(4): 360-366.
刊出日期：1988-07-19
關(guān)鍵詞:
半導體材料; 鎳硅化物; TEM; 原位研究
蒸涂法獲得的Si-Ni界面在室溫到800℃下熱處理,并用透射式電子顯微鏡對它進行原位研究。在化學清洗的潔凈的Si(100)及(111)面上生成了Ni2Si,NiSi和NiSi2系列。實驗表明,在真空度為110-6mmHg,溫度為650℃時,化學清洗的Si表面上生成了SiC;各種鎳硅化物的出現(xiàn)不是在某一確定溫度;在Si(111)面上外延生長鎳硅化物比在(100)面上容易。
1985, 7(6): 458-465.
刊出日期：1985-11-19
本文提出了一種在光照和短路條件下測量Ni/-Si∶H肖特基結(jié)勢壘寬度的方法。同時,又在實驗確定的參數(shù)的基礎(chǔ)上,從理論上計算了在AM1太陽光譜照射下Ni/-Si∶H太陽電池的I-V曲線。由此得到的非晶硅少子擴散長度的數(shù)值與作者1983年用表面光電壓法(SPV)測得的是一致的。從計算結(jié)果出發(fā),著重分析了影響填充因子的各種因素。與實驗對比可以得出結(jié)論:被測太陽電池的填充因子小是串、并聯(lián)電阻造成的,而不是擴散長度太短的緣故。
1980, 2(1): 38-41.
刊出日期：1980-01-19
一、前言 隨著我國電視工業(yè)的迅速發(fā)展,對電視機所用顯像管的壽命指標提出了愈來愈高的要求。國產(chǎn)23X5B(9英寸)顯像管的壽命原部頒標準為750小時,目前多數(shù)管的實際壽命一般不超過2000小時,遠不能滿足要求。 本實驗的目的是試備用Ni-W-Ca合金代替Si-Ni合金作陰極基底金屬,以提高9英寸顯像管的壽命。實驗表明,在不改變原制管工藝的情況下,更換陰極基底金屬后,9英寸管的壽命可以提高到700012000小時,甚至更高
1981, 3(2): 125-127.
刊出日期：1981-04-19
正 一、引言 長期以來,氧化物陰極基金屬一般都采用鎳鎂、鎳硅等鎳合金。但用它們作直熱式陰極時,在強度和熱變形等方面都不能很好滿足要求,如用在直熱式發(fā)射管FD-422中,就常出現(xiàn)陰極斷裂、高壓跳火,掉粉等問題。為了解決這一問題,我們研制出一種Ni-Co-W合金。用杯卣熱式發(fā)射管FD-422中,得到較好效果
2003, 25(2): 259-262.
刊出日期：2003-02-19
關(guān)鍵詞:
硅納米線; SLS生長機制; 升溫特性
該文報道一種直接在硅片上熱生長硅納米線的新方法。與傳統(tǒng)的VLS生長機制不同,該方法在生長硅納米線的過程中沒有引入任何氣態(tài)或液態(tài)硅源.是一種全新的固液固(SLS)生長機制。實驗中使用了Ni,Au等金屬作為催化劑,由Ar,H2等作為載流氣體.系統(tǒng)壓強為2.5104Pa,生長溫度為950-1000℃.生長出的硅納米線表面光滑,呈純非晶態(tài),直徑為10-40 nm,長度可達數(shù)十微米,升溫特性對硅納米線SLS熱生長起重要作用。研究了各項實驗參數(shù)(包括氣氛壓強,加熱溫度及加熱時間等)對硅納米線生長的影響。
