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2002, 24(7): 1005-1008.
刊出日期：2002-07-19
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柵發(fā)射; 離子束輔助沉積; 化合物
利用離子束輔助沉積技術(shù)在 Mo柵極上鍍上并注入一層 Hf膜,對鍍后的樣品進行了形貌、結(jié)構(gòu)、成份、膜厚及 Mo、Hf界面分析。將樣品進行電子管模擬柵發(fā)射試驗,柵極溫度為 650℃,試驗 1000h以上基本無柵發(fā)射電流,可以提高柵控管的可靠性和壽命。實驗結(jié)果表明,陰極中的活性物質(zhì)Ba蒸發(fā)到鍍Hf的 Mo柵極表面,Ba,Hf和O2能形成化合物,從而有效抑制柵極發(fā)射電流。
1993, 15(5): 532-535.
刊出日期：1993-09-19
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晶閘管; 關(guān)斷模型; 電流參數(shù); 反向恢復
本文從一組反向恢復電荷曲線和一組反向能耗曲線出發(fā),給出了晶閘管關(guān)斷模型反向恢復參數(shù)的一種新的計算方法.此方法的計算誤差在di/dt和IF較寬的變化范圍內(nèi),較其它的傳統(tǒng)方法小得多.因此,此方法具有一定的實際應(yīng)用價值.
1990, 12(1): 109-112.
刊出日期：1990-01-19
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次級電子發(fā)射膜; 熱解沉積; 乙氧基鋁
利用某些有機烷氧基金屬化合物的熱分解,可在玻璃、金屬、陶瓷或半導體基片上沉積相應(yīng)的金屬氧化物次級發(fā)射膜。例如:由乙氧基鎂(或鋁)的熱解制得MgO(或Al2O3)膜。本工作由自制乙氧基鋁和五氯化鉬,在玻璃基底上熱解沉積制得合適電阻率的次級發(fā)射膜Al2O3∶Mo.膜厚1000,電阻率107-108cm,最大次級電子發(fā)射系數(shù) max=3.1,熱解條件為450℃,12min。
1990, 12(1): 103-108.
刊出日期：1990-01-19
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濺射碳膜; 次級發(fā)射; 質(zhì)譜分析
微波管電極表面涂復碳膜能改善管子性能。本文介紹了采用高頻濺射熱解石墨的方法在Mo基和Hf基上形成碳膜的一些研究情況。包括碳膜的制造、成分分析,次級發(fā)射性能和熱輻射特性以及在真空系統(tǒng)中隨溫度上升釋放氣體的質(zhì)譜分析等。主要結(jié)果有:(1)復碳鉬有明顯的吸氧效應(yīng);(2)鉬、鉿上復碳后次級發(fā)射系數(shù)降為max 0.7;(3)高溫時(930℃)鉬基上的碳膜會很快消失,但鉿基上的碳膜到1050℃仍無明顯變化;(4)復碳鉬在高溫時有一定量的CH4形成。
2024, 46(6): 2542-2548.
doi: 10.11999/JEIT230656
刊出日期：2024-06-30
針對現(xiàn)有混合波束成形算法運行時間長、頻譜效率低、誤碼率高的問題，該文提出一種基于有限內(nèi)存擬牛頓法的混合波束成形算法(LBFGS)。該算法首先通過數(shù)字預(yù)編碼器的最小二乘解構(gòu)建單變量目標函數(shù)；然后采用目標函數(shù)的梯度近似黑塞矩陣的逆得到搜索方向并沿搜索方向更新模擬預(yù)編碼器，直到滿足停止條件；最后固定模擬預(yù)編碼器得到數(shù)字預(yù)編碼器。MATLAB仿真結(jié)果表明，LBFGS算法較現(xiàn)有MO算法減少了28%的運行時間，頻譜效率提高了1.05%，誤碼率降低了1.06%。
