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該文在現(xiàn)有譯碼算法的基礎(chǔ)上提出一種高效的非二進(jìn)制低密度奇偶校驗碼(NB-LDPC)譯碼方法，充分利用了分層譯碼算法與Min-max算法的優(yōu)點，不但譯碼復(fù)雜度低、需要的存儲空間小，而且可將譯碼速度提高一倍。應(yīng)用該算法，對一種定義在GF(25)上的(620,509)碼進(jìn)行了仿真。該碼的仿真結(jié)果表明：在相同誤碼率下，該文譯碼算法所需最大迭代次數(shù)僅為Zhang的算法(2011)的45%。

無人機(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相結(jié)合，可以滿足熱點地區(qū)高容量需求，提高通信質(zhì)量。該文提出一種無人機輔助的NOMA反向散射通信系統(tǒng)最小速率最大化資源分配算法?？紤]無人機發(fā)射功率、能量收集、反射系數(shù)、傳輸速率以及連續(xù)干擾消除(SIC)解碼順序約束，建立基于系統(tǒng)最小速率最大化的資源分配模型。首先利用塊坐標(biāo)下降將原問題分解為無人機發(fā)射功率優(yōu)化、反射系數(shù)優(yōu)化和無人機位置與SIC解碼順序聯(lián)合優(yōu)化3個子問題，然后使用反證法給出無人機最優(yōu)發(fā)射功率，再用變量替換法和連續(xù)凸逼近將剩余子問題進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為凸優(yōu)化問題進(jìn)行求解。仿真結(jié)果表明，所提算法在系統(tǒng)和速率與用戶公平性之間具有較好折中。

正 一、鹼金屬元素(Li、Na、K、Rb、Cs)的性能 元素周期表中第一主族元素鹼金屬的性能有它的規(guī)律性。例如:按Li、Na、K、Rb、Cs的順序,由于原子半徑逐漸增大,原子最外層電子與核之間的吸引力逐漸減小,因此,最外層電子則按Cs、Rb、K、Na、Li的順序比較易于脫離原子。它們表現(xiàn)出來的效果就是按Li、Na、K、Rb、Cs的順序,金屬性逐漸增強,化學(xué)性逐漸活潑,逸出功逐漸變小,光電發(fā)射靈敏度逐漸增大,光譜響應(yīng)的峰值(峰)與閾值(閾)逐漸移向長波。鹼金屬元素的這些性能如表1所列

針對彈性光網(wǎng)絡(luò)中物理損傷導(dǎo)致業(yè)務(wù)頻譜利用率低和傳輸能耗高問題，該文提出一種面向業(yè)務(wù)的鏈路損傷感知頻譜分區(qū)(LI-ASP)能效路由策略。在LI-ASP策略中，為降低不同信道間非線性損傷，基于負(fù)載均衡設(shè)計一個綜合考慮鏈路頻譜狀態(tài)和傳輸損傷的路徑權(quán)重公式，根據(jù)調(diào)制方式的頻譜效率和最大傳輸距離構(gòu)造分層輔助圖，從最高調(diào)制等級開始，為高質(zhì)量業(yè)務(wù)選擇K條邊分離的最大權(quán)重傳輸路徑；為低質(zhì)量業(yè)務(wù)選擇K條邊分離的最短能效路徑。然后，LI-ASP策略根據(jù)業(yè)務(wù)速率比值對頻譜分區(qū)，采用首次命中(FF)和尾端命中(LF)聯(lián)合頻譜分配方式，減少不同傳輸速率業(yè)務(wù)間的交叉相位調(diào)制。仿真結(jié)果表明，該文所提LI-ASP策略在有效降低帶寬阻塞率的同時，減少了業(yè)務(wù)傳輸能耗。

本文在W.Li(1991)循環(huán)斜卷積算法和分布式算法的基礎(chǔ)上,通過軟件模擬和具體硬件設(shè)計,利用FPGA完成了可用于高清晰度電視核心解碼器及其它信號與信息處理系統(tǒng)的88二維DCT/IDCT處理器的全部電路設(shè)計工作。它采用一根信號線控制計算DCT/IDCT,其輸入、輸出為12位,內(nèi)部數(shù)據(jù)線及內(nèi)部參數(shù)均為16位。

對Tseng-Jan(1999)的群簽名方案提出了一種新的偽造攻擊，任何人利用這種攻擊都能偽造出有效的群簽名。針對該文提出的偽造攻擊和Z.C.Li等人(2000)提出的偽造攻擊，對 Tseng-Jan的群簽名方案進(jìn)行了改進(jìn)，提出了一種新的安全群簽名方案。新方案不僅能抵抗各種偽造攻擊，而且保留了Tseng-Jan方案的主要優(yōu)點，并且增加了群成員可注銷的特性。

該文提出一組基于廣義局部沃爾什變換(GLWT)的紋理特征。首先給出局部沃爾什變換(LWT)的定義，并在空域中對其加以推廣，用以提取圖像的局部紋理信息；然后在一個宏窗口中估計12個GLWT系數(shù)的二階矩作為圖像的紋理特征。對這組紋理特征的鑒別性能進(jìn)行了分析，并與Haralick(1973)，Wang Li(1990)，以及Yu Hui提出的紋理特征進(jìn)行了比較。實驗結(jié)果表明，該文提出的紋理特征具有更好的鑒別性能和分類能力。

堿或堿土金屬的原子吸附于過渡金屬表面時,會使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來研究這一現(xiàn)象。過渡金屬基底用薄膜線性級加平面波(LAPW)法精確處理,而簡單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構(gòu)成基底的過渡金屬特點的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統(tǒng)的電子性質(zhì)。 文中給出了計算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實驗結(jié)果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問題。

為了在InP/InGaAs(P)材料中進(jìn)行精確的選擇擴散,同時又要保證外延生長的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)不被破壞,提出了一種新的低溫開管Zn擴散方法。該法直至在T=500℃,t=5min的條件下,重復(fù)性仍很好。應(yīng)用該法研究了低溫條件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的擴散行為。實驗首次發(fā)現(xiàn),Zn在InGaAsP材料中的擴散速率與材料中P含量的平方成正比。

以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長鎳硅化物。實驗獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實驗同時表明,在低外延生長速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。