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該文提出了一種新的基于矩陣LU分解的數(shù)字水印算法。該方法首先將數(shù)字圖像的非負矩陣表示轉(zhuǎn)化為G-對角占優(yōu)矩陣，再進行LU分解，通過量化函數(shù)進行數(shù)字水印的嵌入，恢復水印時不需要原始圖像。將矩陣的LU分解數(shù)字水印算法與DCT的中頻系數(shù)比較法進行了對比實驗。實驗結(jié)果表明這種方法運算速度快并且具有很好的魯棒性。

針對基于orth的稀疏目標定位算法中orth預處理會影響原信號的稀疏性的問題，該文提出一種基于LU分解的稀疏目標定位算法。該算法通過網(wǎng)格化感知區(qū)域把目標定位問題轉(zhuǎn)化為壓縮感知問題，并利用LU分解法對觀測字典進行分解得到新的觀測字典。該觀測字典有效地滿足了約束等距性條件，同時對觀測值的預處理過程不影響原信號的稀疏性，從而有效地保證了算法的重建性能，提升了算法的定位精度。實驗結(jié)果表明，基于LU分解的稀疏目標定位算法的性能遠優(yōu)于基于orth的稀疏目標定位算法，目標的定位精度得到了較大地提升。

矩陣方程的快速求解是矩量法計算電大問題的關(guān)鍵，LU分解是求解線性方程組的有效方法。該文詳細地分析了Doolittle LU分解過程，基于分解過程的特點，在MPI(Message-Passing interface) 并行環(huán)境下，提出了按直角式循環(huán)對進程進行任務分配的并行求解方法。實驗證明該方法可以有效地減少進程間數(shù)據(jù)通信量，從而加快計算速度。

本文分析了擴散型或漂移型或具有電荷放大效應的光陰極的量子效率。提出了具有內(nèi)場或外場的-Si∶H光電發(fā)射模型。其結(jié)構(gòu)是p-i-n -Si∶H/Bi2S3或SnO2--Si∶H-Al∶Cs∶O。估算了它們的量子效率和積分靈敏度。二者的量子效率為1-10,靈敏度為103-105A/lm。外場模型的實驗表明,結(jié)構(gòu)設計是正確的。

本文研究了大通量輻照(1018n/cm2)的NTD CZ在750-1200℃范圍內(nèi)退火的行為。發(fā)現(xiàn)在該溫度區(qū)間內(nèi)會產(chǎn)生高濃度的中照施主,最高可達到1016cm-3。只有在高于1100℃退火才能獲得準確的目標電阻率.探討了大通量輻照NTD CZ Si的退火工藝,中照施主的形成及其消除條件。

測量夾心結(jié)構(gòu)-Si∶H膜的瞬態(tài)響應譜時,發(fā)現(xiàn)無論是在低的正向偏壓還是在低的反向偏壓下,起始部分都出現(xiàn)不正常的尖形脈沖,它的幅度隨光波長的增長而減小。零場瞬態(tài)譜的研究表明,這種不正常的非傳輸部分來源于結(jié)區(qū),它的升降特點決定于光照時的空間電荷限制光電流。從光電流幅值與光吸收系數(shù)的關(guān)系式,我們發(fā)展了一種確定光學隙的方法。

測量了縫電極和梳形電極a-Si:H樣品的光伏安特性和光電靈敏度,提出了由光電靈敏度計算電荷放大增益的方法。由此法測出的a-Si:H的電荷放大增益,在105V/cm電場下,高達4.3103。本文從能態(tài)圖討論了a-Si:H中電荷放大效應的產(chǎn)生過程。由測量的增益值計算了電子遷移率與壽命之積。

正 (一)引言 除金(Au)以外,作者們還曾詳細地介紹過稀有金屬鈀(Pd)、釓(Gd)、銠(Rh)等在si/SiO2界面呈現(xiàn)的類似的負電效應。并且討論過該效應的普遍性及其改善器件表面性質(zhì)的可能性。近來我們在實驗中,又觀察到鑭(La)也是具有負電效應的雜質(zhì),同樣能引起MOS結(jié)構(gòu)C-V曲線,包括高頻和準靜態(tài)曲線,沿正柵壓方向明顯移動。本文介紹的是摻La界面電特性的主要結(jié)果。 (二)實驗 MOS樣品是在電阻率為812cm的111P型Si單晶片上制成的。Si片是經(jīng)研磨、SiO2膠體拋光和化學拋光制成的,厚度約為300m。在1150℃下HC1和干氧的混合氣流中氧化30min,使Si片表面生成厚度約為1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,從背面擴入La,進而在不同條件(溫度、時間、氣氛等)下,對

以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長鎳硅化物。實驗獲得了Si(111)77以及它的負區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實驗同時表明,在低外延生長速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。

用差分SPV法測量a-Si:H材料的少子擴散長度,可以消除被測樣品背面結(jié)的影響.本文討論了這種測量方法的數(shù)學模型,導出了測量公式,分析了影響測量結(jié)果的各種因素.