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論文研究了新近提出的Liu混沌系統(tǒng)(2004)的模糊反饋同步方法。Liu混沌系統(tǒng)結(jié)構不同于以往的連續(xù)混沌系統(tǒng)，本文基于T-S(Takagi-Sugeno)模糊模型重構了Liu混沌系統(tǒng)；然后用Lyapunov理論和反饋同步的思想推導了兩個重構的Liu系統(tǒng)同步的穩(wěn)定性條件，并給出了誤差系統(tǒng)以衰減率全局漸近穩(wěn)定的充分條件；最后基于LMI方法進行了仿真實驗。良好的仿真結(jié)果驗證了本文算法的有效性和快速性。

該文在現(xiàn)有譯碼算法的基礎上提出一種高效的非二進制低密度奇偶校驗碼(NB-LDPC)譯碼方法，充分利用了分層譯碼算法與Min-max算法的優(yōu)點，不但譯碼復雜度低、需要的存儲空間小，而且可將譯碼速度提高一倍。應用該算法，對一種定義在GF(25)上的(620,509)碼進行了仿真。該碼的仿真結(jié)果表明：在相同誤碼率下，該文譯碼算法所需最大迭代次數(shù)僅為Zhang的算法(2011)的45%。

無人機(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相結(jié)合，可以滿足熱點地區(qū)高容量需求，提高通信質(zhì)量。該文提出一種無人機輔助的NOMA反向散射通信系統(tǒng)最小速率最大化資源分配算法?？紤]無人機發(fā)射功率、能量收集、反射系數(shù)、傳輸速率以及連續(xù)干擾消除(SIC)解碼順序約束，建立基于系統(tǒng)最小速率最大化的資源分配模型。首先利用塊坐標下降將原問題分解為無人機發(fā)射功率優(yōu)化、反射系數(shù)優(yōu)化和無人機位置與SIC解碼順序聯(lián)合優(yōu)化3個子問題，然后使用反證法給出無人機最優(yōu)發(fā)射功率，再用變量替換法和連續(xù)凸逼近將剩余子問題進一步轉(zhuǎn)化為凸優(yōu)化問題進行求解。仿真結(jié)果表明，所提算法在系統(tǒng)和速率與用戶公平性之間具有較好折中。

微支付交易具有交易量極大且單次交易額極小的特點，使得復雜的認證協(xié)議不適用于微支付。Micali等人(2002)提出的基于概率選擇微支付方案，把微支付聚合成宏支付，大幅提高了微支付的效率。Liu-Yan在(2013)提出了保證所有參與者的數(shù)據(jù)融入概率選擇結(jié)果的生成, 而且使得所有參與者可以驗證結(jié)果的公平性。然而，Liu-Yan方案中銀行可能獲得額外利益，從而破壞了協(xié)議的公平性。該文首先分析了Liu-Yan方案的安全威脅，并且以1個用戶-1個商家的模型代替Liu-Yan方案中大量用戶-1個商家的模型，以數(shù)據(jù)承諾技術為基礎保障結(jié)果的公平性與可驗證性。

該文指出Hong(2001)在多速率運動模型中關于過程噪聲的一處錯誤,提高了多速率運動模型狀態(tài)估計效果,并在此基礎上建立了多幀概率數(shù)據(jù)關聯(lián)算法.在確定多幀量測數(shù)據(jù)有效回波時,提出雙重門限方法,有效減少了多幀概率數(shù)據(jù)關聯(lián)算法的計算量.最后針對各種雜波密度情況對多幀量測數(shù)據(jù)概率數(shù)據(jù)關聯(lián)算法的性能進行了分析.

該文推廣了Liu Fang等人(2010)給出的周期為pn, p為奇素數(shù)，n為正整數(shù)的廣義分圓序列的構造，并確定了新構造序列的線性復雜度和自相關函數(shù)值的分布。結(jié)果表明，推廣的構造保持了原構造的高線性復雜度等偽隨機特性。由于取值更靈活，較之原構造新構造序列的數(shù)量要大得多。

通過對Zhang-Liu-He (2006)，Gan-Chen (2004)和Wang-Zhang-Ma (2007)提出的可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案進行分析，指出了這幾個可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案存在可轉(zhuǎn)換性攻擊或不可否認性攻擊，即，環(huán)中的任何成員都能宣稱自己是實際簽名者或冒充別的成員進行環(huán)簽名。為防范這兩種攻擊，對這幾個可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案進行了改進，改進后的方案滿足可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名的安全性要求。

堿或堿土金屬的原子吸附于過渡金屬表面時,會使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來研究這一現(xiàn)象。過渡金屬基底用薄膜線性級加平面波(LAPW)法精確處理,而簡單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構成基底的過渡金屬特點的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統(tǒng)的電子性質(zhì)。 文中給出了計算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實驗結(jié)果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問題。

為了在InP/InGaAs(P)材料中進行精確的選擇擴散,同時又要保證外延生長的多層異質(zhì)結(jié)構不被破壞,提出了一種新的低溫開管Zn擴散方法。該法直至在T=500℃,t=5min的條件下,重復性仍很好。應用該法研究了低溫條件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的擴散行為。實驗首次發(fā)現(xiàn),Zn在InGaAsP材料中的擴散速率與材料中P含量的平方成正比。

以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長鎳硅化物。實驗獲得了Si(111)77以及它的負區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構。實驗同時表明,在低外延生長速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構與硅基底的一樣。