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Zn在Ge中擴(kuò)散的研究
張桂成
1987, 9(3): 264-268.  刊出日期:1987-05-19
用Zn作擴(kuò)散源在封閉的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的擴(kuò)散問(wèn)題,給出了xj-t1/2關(guān)系和C-1/T關(guān)系,比較了擴(kuò)散源溫度對(duì)樣品表面形貌的影響。采用雙溫區(qū)擴(kuò)散工藝可獲得表面光亮的樣品。采用真空退火工藝可使擴(kuò)散樣品表面漏電流降低。
新型Liu混沌系統(tǒng)的模糊反饋同步方法
單梁, 張剛, 李軍, 王執(zhí)銓
2007, 29(10): 2508-2511. doi: 10.3724/SP.J.1146.2006.00310  刊出日期:2007-10-19
關(guān)鍵詞: Liu混沌系統(tǒng);混沌同步;反饋控制;T-S模型;模糊控制
論文研究了新近提出的Liu混沌系統(tǒng)(2004)的模糊反饋同步方法。Liu混沌系統(tǒng)結(jié)構(gòu)不同于以往的連續(xù)混沌系統(tǒng),本文基于T-S(Takagi-Sugeno)模糊模型重構(gòu)了Liu混沌系統(tǒng);然后用Lyapunov理論和反饋同步的思想推導(dǎo)了兩個(gè)重構(gòu)的Liu系統(tǒng)同步的穩(wěn)定性條件,并給出了誤差系統(tǒng)以衰減率全局漸近穩(wěn)定的充分條件;最后基于LMI方法進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)。良好的仿真結(jié)果驗(yàn)證了本文算法的有效性和快速性。
基于承諾的可驗(yàn)證公平性微支付
劉憶寧, 趙全玉
2017, 39(3): 743-748. doi: 10.11999/JEIT160300  刊出日期:2017-03-19
關(guān)鍵詞: 微支付, 承諾, 公平性, 可驗(yàn)證性
微支付交易具有交易量極大且單次交易額極小的特點(diǎn),使得復(fù)雜的認(rèn)證協(xié)議不適用于微支付。Micali等人(2002)提出的基于概率選擇微支付方案,把微支付聚合成宏支付,大幅提高了微支付的效率。Liu-Yan在(2013)提出了保證所有參與者的數(shù)據(jù)融入概率選擇結(jié)果的生成, 而且使得所有參與者可以驗(yàn)證結(jié)果的公平性。然而,Liu-Yan方案中銀行可能獲得額外利益,從而破壞了協(xié)議的公平性。該文首先分析了Liu-Yan方案的安全威脅,并且以1個(gè)用戶-1個(gè)商家的模型代替Liu-Yan方案中大量用戶-1個(gè)商家的模型,以數(shù)據(jù)承諾技術(shù)為基礎(chǔ)保障結(jié)果的公平性與可驗(yàn)證性。
d-元廣義分圓序列的線性復(fù)雜度及自相關(guān)函數(shù)性質(zhì)分析
柯品惠, 李瑞芳, 張勝元
2012, 34(12): 2881-2884. doi: 10.3724/SP.J.1146.2012.00804  刊出日期:2012-12-19
關(guān)鍵詞: 網(wǎng)絡(luò)安全, 廣義分圓, 線性復(fù)雜度, 自相關(guān)
該文推廣了Liu Fang等人(2010)給出的周期為pn, p為奇素?cái)?shù),n為正整數(shù)的廣義分圓序列的構(gòu)造,并確定了新構(gòu)造序列的線性復(fù)雜度和自相關(guān)函數(shù)值的分布。結(jié)果表明,推廣的構(gòu)造保持了原構(gòu)造的高線性復(fù)雜度等偽隨機(jī)特性。由于取值更靈活,較之原構(gòu)造新構(gòu)造序列的數(shù)量要大得多。
p型Si1-xGex應(yīng)變層中重?fù)诫s禁帶窄變的計(jì)算
吳文剛, 張萬(wàn)榮, 江德生, 羅晉生
1996, 18(6): 638-643.  刊出日期:1996-11-19
關(guān)鍵詞: 鍺硅合金; 應(yīng)變; 重?fù)诫s; 能帶結(jié)構(gòu)
針對(duì)應(yīng)變Si1-xGex的應(yīng)變致價(jià)帶分裂和重?fù)诫s對(duì)裂值的影響,提出了該合金價(jià)帶結(jié)構(gòu)的等價(jià)有效簡(jiǎn)并度模型。模型中考慮了非拋物線價(jià)帶結(jié)構(gòu)。應(yīng)用這個(gè)模型,計(jì)算了贗晶生長(zhǎng)在100Si襯底上的p型Si_(1-x)Ge_x應(yīng)變層的重?fù)诫s禁帶窄變,發(fā)現(xiàn)當(dāng)雜質(zhì)濃度超過(guò)約2~31019cm-3后,它在某一Ge組分下得到極大值,而當(dāng)摻雜低于此濃度時(shí),它則隨Ge組分的增加單調(diào)下降。與實(shí)驗(yàn)報(bào)道的對(duì)比證實(shí)了本模型的有效性。
覆介質(zhì)導(dǎo)體圓柱面上軸向窄縫間的耦合
鄭京亮, 楊棄疾
1989, 11(4): 410-415.  刊出日期:1989-07-19
關(guān)鍵詞: 天線; 覆介質(zhì)導(dǎo)體圓柱; 縫隙; 耦合
本文研究覆介質(zhì)導(dǎo)體圓柱面上軸向窄縫間的耦合,討論了耦合系數(shù)譜展開(kāi)式中無(wú)窮積分的收斂性態(tài),利用輔助函數(shù)Ge得出了耦合系數(shù)的計(jì)算公式,給出了部分?jǐn)?shù)值計(jì)算結(jié)果。
幾種可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案的安全性分析和改進(jìn)
王化群, 郭顯久, 于紅, 彭玉旭
2009, 31(7): 1732-1735. doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00928  刊出日期:2009-07-19
關(guān)鍵詞: 環(huán)簽名;密碼分析;可轉(zhuǎn)換性
通過(guò)對(duì)Zhang-Liu-He (2006),Gan-Chen (2004)和Wang-Zhang-Ma (2007)提出的可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案進(jìn)行分析,指出了這幾個(gè)可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案存在可轉(zhuǎn)換性攻擊或不可否認(rèn)性攻擊,即,環(huán)中的任何成員都能宣稱(chēng)自己是實(shí)際簽名者或冒充別的成員進(jìn)行環(huán)簽名。為防范這兩種攻擊,對(duì)這幾個(gè)可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案進(jìn)行了改進(jìn),改進(jìn)后的方案滿足可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名的安全性要求。
一種用于T-DMB系統(tǒng)IP業(yè)務(wù)傳輸?shù)腉SE-FEC方案
李立, 劉元安, 劉凱明, 劉煬, 程飛
2009, 31(5): 1233-1236. doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108  刊出日期:2009-05-19
關(guān)鍵詞: 地面數(shù)字多媒體廣播;通用流封裝;RS碼;帶擦除譯碼;循環(huán)冗余校驗(yàn)
該文采用通用流封裝GSE來(lái)完成地面數(shù)字多媒體廣播(T-DMB)系統(tǒng)的IP業(yè)務(wù)的傳輸,提出了一種改進(jìn)的GSE-FEC方案。其中設(shè)計(jì)了一種可提供幀重構(gòu)信息以及錯(cuò)誤位置信息的改進(jìn)的GSE封裝(IGSE),進(jìn)一步提出了基于IGSE的帶擦除譯碼方案IGE,用于GSE-FEC方案的譯碼部分, 較好地提高了GSE-FEC的性能。仿真結(jié)果表明,IGE與基于非帶擦除(NE)以及基于現(xiàn)有GSE封裝的帶擦除(GE)RS譯碼方案相比,均表現(xiàn)出更強(qiáng)的糾錯(cuò)能力,另外,與GE方案相比,IGE可以更好的保護(hù)正確字節(jié),有效的減少信息浪費(fèi)。
帶鐵心任意形狀偏轉(zhuǎn)器磁場(chǎng)的計(jì)算
謝志行, 林文彬, 沈慶垓
1990, 12(2): 169-178.  刊出日期:1990-03-19
關(guān)鍵詞: 電子光學(xué); 磁偏轉(zhuǎn)器; 任意形狀繞組
本文將文獻(xiàn)[1]的分析方法推廣到帶鐵心的偏轉(zhuǎn)器,繞組形狀可以是任意的,如子午繞組、非子午繞組、鞍形、環(huán)形或扇形等。對(duì)鐵心與繞組之間有一定間隙的情況,提出了計(jì)算偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的一種新的表示式,并用高斯-切比雪夫積分式對(duì)積分方程離散求解。最后用COTY GE-14''彩顯管偏轉(zhuǎn)器的解剖數(shù)據(jù)驗(yàn)證。
GaAlAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管中的深能級(jí)
張桂成,
1989, 11(3): 333-336.  刊出日期:1989-05-19
關(guān)鍵詞: 發(fā)光管; GaAlAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié); 深能級(jí)
本文用DLTS譜儀和單脈沖瞬態(tài)電容技術(shù)測(cè)量了光通信用GaAlAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管中的深能級(jí),對(duì)有源區(qū)摻Si和摻Ge的相同結(jié)構(gòu)器件,均測(cè)得有多子陷阱存在,其能級(jí)位置分別為EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比較了外延系統(tǒng)中氧含量變化對(duì)有源區(qū)摻Si器件深能級(jí)的影響,以及有源區(qū)EL圖象中的DSD與深能級(jí)關(guān)系,結(jié)果表明外延系統(tǒng)中氧含量對(duì)深能級(jí)有明顯影響,而EL圖象中DSD的出現(xiàn)率與深能級(jí)無(wú)明顯關(guān)系。
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