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該文在現(xiàn)有譯碼算法的基礎(chǔ)上提出一種高效的非二進(jìn)制低密度奇偶校驗(yàn)碼(NB-LDPC)譯碼方法，充分利用了分層譯碼算法與Min-max算法的優(yōu)點(diǎn)，不但譯碼復(fù)雜度低、需要的存儲(chǔ)空間小，而且可將譯碼速度提高一倍。應(yīng)用該算法，對(duì)一種定義在GF(25)上的(620,509)碼進(jìn)行了仿真。該碼的仿真結(jié)果表明：在相同誤碼率下，該文譯碼算法所需最大迭代次數(shù)僅為Zhang的算法(2011)的45%。

無(wú)人機(jī)(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相結(jié)合，可以滿足熱點(diǎn)地區(qū)高容量需求，提高通信質(zhì)量。該文提出一種無(wú)人機(jī)輔助的NOMA反向散射通信系統(tǒng)最小速率最大化資源分配算法?？紤]無(wú)人機(jī)發(fā)射功率、能量收集、反射系數(shù)、傳輸速率以及連續(xù)干擾消除(SIC)解碼順序約束，建立基于系統(tǒng)最小速率最大化的資源分配模型。首先利用塊坐標(biāo)下降將原問(wèn)題分解為無(wú)人機(jī)發(fā)射功率優(yōu)化、反射系數(shù)優(yōu)化和無(wú)人機(jī)位置與SIC解碼順序聯(lián)合優(yōu)化3個(gè)子問(wèn)題，然后使用反證法給出無(wú)人機(jī)最優(yōu)發(fā)射功率，再用變量替換法和連續(xù)凸逼近將剩余子問(wèn)題進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為凸優(yōu)化問(wèn)題進(jìn)行求解。仿真結(jié)果表明，所提算法在系統(tǒng)和速率與用戶公平性之間具有較好折中。

堿或堿土金屬的原子吸附于過(guò)渡金屬表面時(shí),會(huì)使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來(lái)研究這一現(xiàn)象。過(guò)渡金屬基底用薄膜線性級(jí)加平面波(LAPW)法精確處理,而簡(jiǎn)單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構(gòu)成基底的過(guò)渡金屬特點(diǎn)的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統(tǒng)的電子性質(zhì)。 文中給出了計(jì)算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實(shí)驗(yàn)結(jié)果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問(wèn)題。

為了在InP/InGaAs(P)材料中進(jìn)行精確的選擇擴(kuò)散,同時(shí)又要保證外延生長(zhǎng)的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)不被破壞,提出了一種新的低溫開(kāi)管Zn擴(kuò)散方法。該法直至在T=500℃,t=5min的條件下,重復(fù)性仍很好。應(yīng)用該法研究了低溫條件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的擴(kuò)散行為。實(shí)驗(yàn)首次發(fā)現(xiàn),Zn在InGaAsP材料中的擴(kuò)散速率與材料中P含量的平方成正比。

以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長(zhǎng)鎳硅化物。實(shí)驗(yàn)獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)同時(shí)表明,在低外延生長(zhǎng)速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。

文本采用SIMS技術(shù),分析了BF2+注入多晶硅柵退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的遷移特性。結(jié)果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅柵經(jīng)過(guò)900℃,30min退火后,部分F原子已擴(kuò)散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的遷移行為呈現(xiàn)不規(guī)則的特性,這歸因于損傷缺陷和鍵缺陷對(duì)F原子的富集作用。

常規(guī)生理參數(shù)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)由于測(cè)量時(shí)接觸皮膚，因此舒適感差、個(gè)體依從性差。為解決上述問(wèn)題，該文基于生理的微弱運(yùn)動(dòng)可致光纖微彎曲變形進(jìn)而致光強(qiáng)度發(fā)生變化的原理，研制了新型的基于光纖傳感的生理參數(shù)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過(guò)光探測(cè)器自適應(yīng)地檢測(cè)細(xì)小的光強(qiáng)變化獲得心沖擊圖(BCG)信號(hào)，利用信號(hào)處理算法獲取心率、呼吸率和體動(dòng)等信息；把光纖嵌入床墊或坐墊設(shè)計(jì)為三明治結(jié)構(gòu)，既保護(hù)了光纖又增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性；采用蛇形返折走線將光纖均勻地分布在墊子中間，使系統(tǒng)具有高靈敏度。通過(guò)多家醫(yī)院臨床標(biāo)準(zhǔn)方法對(duì)比測(cè)試可得在95%的置信區(qū)間(±1.96SD)內(nèi)該系統(tǒng)心率均值誤差為–0.26±2.80次/min，與標(biāo)準(zhǔn)值之間的相關(guān)性為0.9984；呼吸率均值誤差為0.41±1.49次/min，與標(biāo)準(zhǔn)值之間的相關(guān)性為0.9971。實(shí)驗(yàn)表明，研制的系統(tǒng)可在零負(fù)荷的狀態(tài)下無(wú)感進(jìn)行生理參數(shù)測(cè)量，在健康醫(yī)療領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

本文用俄歇電子能譜和掃描電子顯微鏡等方法研究了p-InP與Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接觸在熱處理過(guò)程中的互擴(kuò)散現(xiàn)象.結(jié)果表明:Au較Ti、Pd易向p-InP內(nèi)擴(kuò)散。研究了 p-InP/Au-Zn體系的合金化條件對(duì)比接觸電阻(c)的影響。在 450℃熱處理12 min或在 350℃熱處理30 min,均可得到較低的比接觸電阻,這表明界面處的互擴(kuò)散程度是決定比接觸電阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸發(fā)和熱處理的過(guò)程中,Zn趨向于凝集在最表面層,而不能充分發(fā)揮它在InP中的受主作用,這是該體系的c值偏高的原因之一。

利用某些有機(jī)烷氧基金屬化合物的熱分解,可在玻璃、金屬、陶瓷或半導(dǎo)體基片上沉積相應(yīng)的金屬氧化物次級(jí)發(fā)射膜。例如:由乙氧基鎂(或鋁)的熱解制得MgO(或Al2O3)膜。本工作由自制乙氧基鋁和五氯化鉬,在玻璃基底上熱解沉積制得合適電阻率的次級(jí)發(fā)射膜Al2O3∶Mo.膜厚1000,電阻率107-108cm,最大次級(jí)電子發(fā)射系數(shù) max=3.1,熱解條件為450℃,12min。

本文報(bào)道了單晶W[111]尖端的制作,以及由W[111]尖端陰極,第一、二陽(yáng)極組成的三極場(chǎng)發(fā)射電子槍(FEG)的工作特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,這種FEG在槍室真空為510-7Pa,加速電壓在30kV的條件下,其虛源半徑為1.6nm;亮度為3.8109A/cm2.sterad;場(chǎng)發(fā)射電流為1A時(shí),束流穩(wěn)定性為5%(10min內(nèi))。說(shuō)明它是一種較理想的點(diǎn)狀電子源,在實(shí)際應(yīng)用中具有廣泛發(fā)展前景。