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一種基于分層譯碼和Min-max的多進制LDPC碼譯碼算法
楊威, 張為
2013, 35(7): 1677-1681. doi: 10.3724/SP.J.1146.2012.01634  刊出日期:2013-07-19
關鍵詞: 非二進制低密度奇偶校驗碼(NB-LDPC), 分層譯碼, Min-max, 準循環(huán)碼
該文在現(xiàn)有譯碼算法的基礎上提出一種高效的非二進制低密度奇偶校驗碼(NB-LDPC)譯碼方法,充分利用了分層譯碼算法與Min-max算法的優(yōu)點,不但譯碼復雜度低、需要的存儲空間小,而且可將譯碼速度提高一倍。應用該算法,對一種定義在GF(25)上的(620,509)碼進行了仿真。該碼的仿真結果表明:在相同誤碼率下,該文譯碼算法所需最大迭代次數(shù)僅為Zhang的算法(2011)的45%。
無人機輔助的非正交多址反向散射通信系統(tǒng)max-min速率優(yōu)化算法
王正強, 胡揚, 樊自甫, 萬曉榆, 徐勇軍, 多濱
2023, 45(7): 2358-2365. doi: 10.11999/JEIT221210  刊出日期:2023-07-10
關鍵詞: 反向散射通信, 無人機, 非正交多址, 資源分配
無人機(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相結合,可以滿足熱點地區(qū)高容量需求,提高通信質(zhì)量。該文提出一種無人機輔助的NOMA反向散射通信系統(tǒng)最小速率最大化資源分配算法。考慮無人機發(fā)射功率、能量收集、反射系數(shù)、傳輸速率以及連續(xù)干擾消除(SIC)解碼順序約束,建立基于系統(tǒng)最小速率最大化的資源分配模型。首先利用塊坐標下降將原問題分解為無人機發(fā)射功率優(yōu)化、反射系數(shù)優(yōu)化和無人機位置與SIC解碼順序聯(lián)合優(yōu)化3個子問題,然后使用反證法給出無人機最優(yōu)發(fā)射功率,再用變量替換法和連續(xù)凸逼近將剩余子問題進一步轉(zhuǎn)化為凸優(yōu)化問題進行求解。仿真結果表明,所提算法在系統(tǒng)和速率與用戶公平性之間具有較好折中。
一種支持更新操作的數(shù)據(jù)空間訪問控制方法
潘穎, 元昌安, 李文敬, 程茂華
2016, 38(8): 1935-1941. doi: 10.11999/JEIT151212  刊出日期:2016-08-19
關鍵詞: 訪問控制, 數(shù)據(jù)空間, Pay-as-you-go, 極松散結構
數(shù)據(jù)空間是一種新型的數(shù)據(jù)管理方式,能夠以pay-as-you-go模式管理海量、動態(tài)、異構的數(shù)據(jù)。然而,由于數(shù)據(jù)空間環(huán)境下數(shù)據(jù)的動態(tài)演化、數(shù)據(jù)描述的細粒度和極松散性等原因,難于構建有效的訪問控制機制。該文提出一個針對數(shù)據(jù)空間環(huán)境下極松散結構模型,重點支持更新操作的細粒度和動態(tài)的訪問控制框架。首先定義更新操作集用于數(shù)據(jù)空間的數(shù)據(jù)更新,提出支持更新操作的映射方法,可將動態(tài)數(shù)據(jù)映射到關系數(shù)據(jù)庫中;給出支持更新操作權限的數(shù)據(jù)空間訪問控制規(guī)則的定義,并分析與關系數(shù)據(jù)庫的訪問控制規(guī)則二者轉(zhuǎn)換的一致性;然后提出具有可靠性和完備性的訪問請求動態(tài)重寫算法,該算法根據(jù)用戶的讀/寫訪問請求檢索相關訪問控制規(guī)則,使用相關權限信息重寫訪問請求,從而實現(xiàn)支持動態(tài)更新的細粒度數(shù)據(jù)空間訪問控制。理論和實驗證明該框架是可行和有效的。
用膠體-原子薄片模型計算W(100)-Cs吸附系統(tǒng)的逸出功
王寧, 王鼎盛
1986, 8(6): 408-415.  刊出日期:1986-11-19
堿或堿土金屬的原子吸附于過渡金屬表面時,會使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來研究這一現(xiàn)象。過渡金屬基底用薄膜線性級加平面波(LAPW)法精確處理,而簡單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構成基底的過渡金屬特點的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統(tǒng)的電子性質(zhì)。 文中給出了計算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實驗結果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問題。
InP/InGaAs(P)材料中的低溫開管Zn擴散
李維旦, 潘慧珍
1987, 9(6): 571-576.  刊出日期:1987-11-19
為了在InP/InGaAs(P)材料中進行精確的選擇擴散,同時又要保證外延生長的多層異質(zhì)結構不被破壞,提出了一種新的低溫開管Zn擴散方法。該法直至在T=500℃,t=5min的條件下,重復性仍很好。應用該法研究了低溫條件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的擴散行為。實驗首次發(fā)現(xiàn),Zn在InGaAsP材料中的擴散速率與材料中P含量的平方成正比。
Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能電子衍射研究
高銘臺
1987, 9(5): 420-427.  刊出日期:1987-09-19
以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長鎳硅化物。實驗獲得了Si(111)77以及它的負區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結構。實驗同時表明,在低外延生長速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結構與硅基底的一樣。
BF2+注入多晶硅柵的SIMS分析
劉家璐, 張廷慶, 張正選, 趙元富
1994, 16(5): 541-544.  刊出日期:1994-09-19
關鍵詞: 二氟化硼; 硅柵; 離子注入; 二次離子質(zhì)譜儀
文本采用SIMS技術,分析了BF2+注入多晶硅柵退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的遷移特性。結果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅柵經(jīng)過900℃,30min退火后,部分F原子已擴散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的遷移行為呈現(xiàn)不規(guī)則的特性,這歸因于損傷缺陷和鍵缺陷對F原子的富集作用。
基于光纖傳感的生理參數(shù)監(jiān)測系統(tǒng)研究
趙榮建, 湯敏芳, 陳賢祥, 杜利東, 曾華林, 趙湛, 方震
2018, 40(9): 2182-2189. doi: 10.11999/JEIT170894  刊出日期:2018-09-01
關鍵詞: 光纖傳感器, 心沖擊圖, 心率, 呼吸率
常規(guī)生理參數(shù)監(jiān)測系統(tǒng)由于測量時接觸皮膚,因此舒適感差、個體依從性差。為解決上述問題,該文基于生理的微弱運動可致光纖微彎曲變形進而致光強度發(fā)生變化的原理,研制了新型的基于光纖傳感的生理參數(shù)監(jiān)測系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過光探測器自適應地檢測細小的光強變化獲得心沖擊圖(BCG)信號,利用信號處理算法獲取心率、呼吸率和體動等信息;把光纖嵌入床墊或坐墊設計為三明治結構,既保護了光纖又增強了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性;采用蛇形返折走線將光纖均勻地分布在墊子中間,使系統(tǒng)具有高靈敏度。通過多家醫(yī)院臨床標準方法對比測試可得在95%的置信區(qū)間(±1.96SD)內(nèi)該系統(tǒng)心率均值誤差為–0.26±2.80次/min,與標準值之間的相關性為0.9984;呼吸率均值誤差為0.41±1.49次/min,與標準值之間的相關性為0.9971。實驗表明,研制的系統(tǒng)可在零負荷的狀態(tài)下無感進行生理參數(shù)測量,在健康醫(yī)療領域具有廣泛的應用前景。
p-InP與Au-Zn、Ti/Au、Pd/Au和Ti/Pd/Au接觸時的界面性質(zhì)和電學特性
張桂成, 程宗權, 俞志中
1986, 8(4): 265-271.  刊出日期:1986-07-19
本文用俄歇電子能譜和掃描電子顯微鏡等方法研究了p-InP與Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接觸在熱處理過程中的互擴散現(xiàn)象.結果表明:Au較Ti、Pd易向p-InP內(nèi)擴散。研究了 p-InP/Au-Zn體系的合金化條件對比接觸電阻(c)的影響。在 450℃熱處理12 min或在 350℃熱處理30 min,均可得到較低的比接觸電阻,這表明界面處的互擴散程度是決定比接觸電阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸發(fā)和熱處理的過程中,Zn趨向于凝集在最表面層,而不能充分發(fā)揮它在InP中的受主作用,這是該體系的c值偏高的原因之一。
熱解乙氧基鋁制備次級電子發(fā)射膜
謝伯興
1990, 12(1): 109-112.  刊出日期:1990-01-19
關鍵詞: 次級電子發(fā)射膜; 熱解沉積; 乙氧基鋁
利用某些有機烷氧基金屬化合物的熱分解,可在玻璃、金屬、陶瓷或半導體基片上沉積相應的金屬氧化物次級發(fā)射膜。例如:由乙氧基鎂(或鋁)的熱解制得MgO(或Al2O3)膜。本工作由自制乙氧基鋁和五氯化鉬,在玻璃基底上熱解沉積制得合適電阻率的次級發(fā)射膜Al2O3∶Mo.膜厚1000,電阻率107-108cm,最大次級電子發(fā)射系數(shù) max=3.1,熱解條件為450℃,12min。
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