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該文在現(xiàn)有譯碼算法的基礎(chǔ)上提出一種高效的非二進(jìn)制低密度奇偶校驗(yàn)碼(NB-LDPC)譯碼方法，充分利用了分層譯碼算法與Min-max算法的優(yōu)點(diǎn)，不但譯碼復(fù)雜度低、需要的存儲(chǔ)空間小，而且可將譯碼速度提高一倍。應(yīng)用該算法，對(duì)一種定義在GF(25)上的(620,509)碼進(jìn)行了仿真。該碼的仿真結(jié)果表明：在相同誤碼率下，該文譯碼算法所需最大迭代次數(shù)僅為Zhang的算法(2011)的45%。

無(wú)人機(jī)(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相結(jié)合，可以滿足熱點(diǎn)地區(qū)高容量需求，提高通信質(zhì)量。該文提出一種無(wú)人機(jī)輔助的NOMA反向散射通信系統(tǒng)最小速率最大化資源分配算法?？紤]無(wú)人機(jī)發(fā)射功率、能量收集、反射系數(shù)、傳輸速率以及連續(xù)干擾消除(SIC)解碼順序約束，建立基于系統(tǒng)最小速率最大化的資源分配模型。首先利用塊坐標(biāo)下降將原問(wèn)題分解為無(wú)人機(jī)發(fā)射功率優(yōu)化、反射系數(shù)優(yōu)化和無(wú)人機(jī)位置與SIC解碼順序聯(lián)合優(yōu)化3個(gè)子問(wèn)題，然后使用反證法給出無(wú)人機(jī)最優(yōu)發(fā)射功率，再用變量替換法和連續(xù)凸逼近將剩余子問(wèn)題進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為凸優(yōu)化問(wèn)題進(jìn)行求解。仿真結(jié)果表明，所提算法在系統(tǒng)和速率與用戶公平性之間具有較好折中。

設(shè)C是虧格為g的不可約代數(shù)曲線;C*(D,G)為C上的代數(shù)幾何碼,該碼的設(shè)計(jì)距離為d*=deg(G)-2g+2。本文首先從理論上證明所給算法的合理性,然后給出一種基于基本累次算法(FIA)的譯碼算法。該算法是G.L.Feng等人(1993)提出的算法的改進(jìn)。它可對(duì)[(d*-1)/2]個(gè)錯(cuò)誤的接收向量進(jìn)行譯碼。運(yùn)算量與存貯量約為G.L.Feng等人算法的一半,且便于軟硬件實(shí)現(xiàn)。

在當(dāng)前統(tǒng)計(jì)模型的基礎(chǔ)上，結(jié)合實(shí)時(shí)輸入估計(jì)算法(Feng xinxi等，1996)的思想，提出了一種新的機(jī)動(dòng)目標(biāo)模型，并利用其方差調(diào)整關(guān)系建立了自適應(yīng)跟蹤算法。大量仿真結(jié)果表明該模型能夠準(zhǔn)確描述目標(biāo)的各種機(jī)動(dòng)情況，跟蹤算法具有良好的跟蹤性能，具有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。

該文提出一組基于廣義局部沃爾什變換(GLWT)的紋理特征。首先給出局部沃爾什變換(LWT)的定義，并在空域中對(duì)其加以推廣，用以提取圖像的局部紋理信息；然后在一個(gè)宏窗口中估計(jì)12個(gè)GLWT系數(shù)的二階矩作為圖像的紋理特征。對(duì)這組紋理特征的鑒別性能進(jìn)行了分析，并與Haralick(1973)，Wang Li(1990)，以及Yu Hui提出的紋理特征進(jìn)行了比較。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該文提出的紋理特征具有更好的鑒別性能和分類能力。

堿或堿土金屬的原子吸附于過(guò)渡金屬表面時(shí),會(huì)使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來(lái)研究這一現(xiàn)象。過(guò)渡金屬基底用薄膜線性級(jí)加平面波(LAPW)法精確處理,而簡(jiǎn)單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構(gòu)成基底的過(guò)渡金屬特點(diǎn)的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統(tǒng)的電子性質(zhì)。 文中給出了計(jì)算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實(shí)驗(yàn)結(jié)果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問(wèn)題。

用H.263標(biāo)準(zhǔn)對(duì)甚低碼率圖像編碼時(shí)，經(jīng)過(guò)幀間預(yù)測(cè)后得到的運(yùn)動(dòng)補(bǔ)償數(shù)據(jù)通常很小，對(duì)這些數(shù)據(jù)再進(jìn)行DCT和量化后往往成為全零塊，Alice Yu算法和周算法是預(yù)先判別全零系數(shù)塊的較為有效的方法，但在對(duì)較為復(fù)雜的序列圖像進(jìn)行預(yù)測(cè)時(shí)分別出現(xiàn)了較大程度的誤判和漏判。針對(duì)這些缺點(diǎn)，該文提出了一種新的全零系數(shù)塊的判別方法，它具有能隨量化級(jí)的變化自適應(yīng)地調(diào)整全零塊的判斷閾值、無(wú)需任何附加運(yùn)算和對(duì)圖像序列內(nèi)容復(fù)雜程度不敏感的優(yōu)點(diǎn)，將該方法應(yīng)用于H.263編碼器中，對(duì)Miss America和News圖像序列進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)表明，大約有40％-80％的塊可以在做DCT和量化前被判別為全零系數(shù)塊，大大減少了編碼的時(shí)間，同時(shí)圖像質(zhì)量的下降控制在0.0005 dB以內(nèi)。

為了在InP/InGaAs(P)材料中進(jìn)行精確的選擇擴(kuò)散,同時(shí)又要保證外延生長(zhǎng)的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)不被破壞,提出了一種新的低溫開(kāi)管Zn擴(kuò)散方法。該法直至在T=500℃,t=5min的條件下,重復(fù)性仍很好。應(yīng)用該法研究了低溫條件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的擴(kuò)散行為。實(shí)驗(yàn)首次發(fā)現(xiàn),Zn在InGaAsP材料中的擴(kuò)散速率與材料中P含量的平方成正比。

以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長(zhǎng)鎳硅化物。實(shí)驗(yàn)獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)同時(shí)表明,在低外延生長(zhǎng)速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。

文本采用SIMS技術(shù),分析了BF2+注入多晶硅柵退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的遷移特性。結(jié)果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅柵經(jīng)過(guò)900℃,30min退火后,部分F原子已擴(kuò)散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的遷移行為呈現(xiàn)不規(guī)則的特性,這歸因于損傷缺陷和鍵缺陷對(duì)F原子的富集作用。