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用Zn作擴散源在封閉的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的擴散問題,給出了xj-t1/2關(guān)系和C-1/T關(guān)系,比較了擴散源溫度對樣品表面形貌的影響。采用雙溫區(qū)擴散工藝可獲得表面光亮的樣品。采用真空退火工藝可使擴散樣品表面漏電流降低。

針對應(yīng)變Si1-xGex的應(yīng)變致價帶分裂和重摻雜對裂值的影響,提出了該合金價帶結(jié)構(gòu)的等價有效簡并度模型。模型中考慮了非拋物線價帶結(jié)構(gòu)。應(yīng)用這個模型,計算了贗晶生長在100Si襯底上的p型Si_(1-x)Ge_x應(yīng)變層的重摻雜禁帶窄變,發(fā)現(xiàn)當雜質(zhì)濃度超過約2～31019cm-3后,它在某一Ge組分下得到極大值,而當摻雜低于此濃度時,它則隨Ge組分的增加單調(diào)下降。與實驗報道的對比證實了本模型的有效性。

本文研究覆介質(zhì)導(dǎo)體圓柱面上軸向窄縫間的耦合,討論了耦合系數(shù)譜展開式中無窮積分的收斂性態(tài),利用輔助函數(shù)Ge得出了耦合系數(shù)的計算公式,給出了部分數(shù)值計算結(jié)果。

該文提出一種新的移位序列集的構(gòu)造方法，并基于這些新的移位序列，通過交織周期為N的完備高斯整數(shù)序列，得到一類具有靈活相關(guān)區(qū)長度的周期為2N的高斯整數(shù)零相關(guān)區(qū)序列集。這類新的序列集的參數(shù)能接近甚至達到Tang-Fan-Matsuji界，所以序列集的性能是最佳的或者幾乎最佳的。高斯整數(shù)零相關(guān)區(qū)序列集可為高速準同步擴頻系統(tǒng)提供更多的地址選擇空間。

該文采用通用流封裝GSE來完成地面數(shù)字多媒體廣播(T-DMB)系統(tǒng)的IP業(yè)務(wù)的傳輸，提出了一種改進的GSE-FEC方案。其中設(shè)計了一種可提供幀重構(gòu)信息以及錯誤位置信息的改進的GSE封裝(IGSE)，進一步提出了基于IGSE的帶擦除譯碼方案IGE，用于GSE-FEC方案的譯碼部分, 較好地提高了GSE-FEC的性能。仿真結(jié)果表明，IGE與基于非帶擦除(NE)以及基于現(xiàn)有GSE封裝的帶擦除(GE)RS譯碼方案相比，均表現(xiàn)出更強的糾錯能力，另外，與GE方案相比，IGE可以更好的保護正確字節(jié)，有效的減少信息浪費。

2000年, Tang, Fan和Matsufuji給出(L,M,Zcz)-ZCZ序列簇的理論界為ZczL/M-1 。給定正整數(shù)n和L，本文給出一個交織ZCZ序列簇的構(gòu)造算法，該算法由L條周期為L的正交序列簇生成一類(2n+1L,2L,2n-1)-ZCZ序列簇。若n2且4 |, 該類ZCZ序列簇中編號為奇數(shù)的序列與編號為偶數(shù)的序列在移位為時相關(guān)值為零。此外，選擇不同的正交序列簇或不同的移位序列, 經(jīng)構(gòu)造算法可以生成不同的ZCZ序列簇。

本文將文獻[1]的分析方法推廣到帶鐵心的偏轉(zhuǎn)器,繞組形狀可以是任意的,如子午繞組、非子午繞組、鞍形、環(huán)形或扇形等。對鐵心與繞組之間有一定間隙的情況,提出了計算偏轉(zhuǎn)場的一種新的表示式,并用高斯-切比雪夫積分式對積分方程離散求解。最后用COTY GE-14''彩顯管偏轉(zhuǎn)器的解剖數(shù)據(jù)驗證。

旋轉(zhuǎn)掃描扇形波束散射計(Rotating Fan-beam SCATterometer, RFSCAT)是一種新體制的海洋風(fēng)場測量雷達散射計。RFSCAT對同一觀測面元能夠提供更多的方位角和入射角觀測組合，改善海面風(fēng)矢量場的反演精度。為了達到設(shè)計的風(fēng)場反演精度，系統(tǒng)要求定標精度為0.5 dB。該文基于中法海洋衛(wèi)星(Chinese French Oceanography SATellite, CFOSAT)雷達散射計的系統(tǒng)參數(shù)，考慮了在軌測量的主要誤差源，分析了地面擴展目標在軌外定標的特點，給出了可行的RFSCAT在軌外定標方法，并利用仿真數(shù)據(jù)對該方法進行驗證。 利用QuikSCAT散射計的L2A數(shù)據(jù)和圖像重構(gòu)(SIR)數(shù)據(jù)，針對地球表面歸一化雷達后向散射系數(shù)(0)穩(wěn)定的區(qū)域，給出了定標地圖，為RFSCAT在軌定標提供參考。

本文用DLTS譜儀和單脈沖瞬態(tài)電容技術(shù)測量了光通信用GaAlAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管中的深能級,對有源區(qū)摻Si和摻Ge的相同結(jié)構(gòu)器件,均測得有多子陷阱存在,其能級位置分別為EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比較了外延系統(tǒng)中氧含量變化對有源區(qū)摻Si器件深能級的影響,以及有源區(qū)EL圖象中的DSD與深能級關(guān)系,結(jié)果表明外延系統(tǒng)中氧含量對深能級有明顯影響,而EL圖象中DSD的出現(xiàn)率與深能級無明顯關(guān)系。

在分布式存儲系統(tǒng)中，當節(jié)點發(fā)生故障時局部修復(fù)碼(LRC)可以通過訪問少量其他節(jié)點來恢復(fù)數(shù)據(jù)，然而LRC的局部度不盡相同，該文構(gòu)造了短碼長且局部度較小的四元LRC。當碼長不超過20，最小距離大于2時，若四元距離最優(yōu)線性碼的生成陣維數(shù)不超過校驗陣維數(shù)，可利用其生成陣給出LRC，否則利用其校驗陣給出LRC。對已構(gòu)造的LRC的生成陣或校驗陣，利用刪除、并置等方法得到新矩陣，從而構(gòu)造出190個碼長$n \le 20$，最小距離$d \ge 2$的LRC。除12個LRC外，其他LRC是局部度最優(yōu)的。