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以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長鎳硅化物。實(shí)驗(yàn)獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)同時(shí)表明,在低外延生長速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。

正 1.引言 由于PbTiO3壓電陶瓷較難合成,因而使它的推廣應(yīng)用比PZT陶瓷晚。但是由于它的介電常數(shù)小(200左右),居里溫度高(490℃),故在高頻器件、紅外器件等方面有應(yīng)用前途。目前應(yīng)用較廣的(Ba,Pb)TiO3-PTC陶瓷的轉(zhuǎn)變溫度就是利用PbTiO3的高溫特性來提高的。 本文介紹的是利用PbTiO3的介電常數(shù)小、Kt大和頻率穩(wěn)定度高的特點(diǎn),把它用作濾

蒸涂法獲得的Si-Ni界面在室溫到800℃下熱處理,并用透射式電子顯微鏡對它進(jìn)行原位研究。在化學(xué)清洗的潔凈的Si(100)及(111)面上生成了Ni2Si,NiSi和NiSi2系列。實(shí)驗(yàn)表明,在真空度為110-6mmHg,溫度為650℃時(shí),化學(xué)清洗的Si表面上生成了SiC;各種鎳硅化物的出現(xiàn)不是在某一確定溫度;在Si(111)面上外延生長鎳硅化物比在(100)面上容易。

針對5G通信技術(shù)高傳輸速率、多業(yè)務(wù)場景的挑戰(zhàn)，該文提出一種組件化的軟件定義無線接入網(wǎng)絡(luò)新架構(gòu)。該架構(gòu)在5G接入網(wǎng)集中單元(CU)，分布單元(DU)，有源天線單元(AAU)架構(gòu)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步朝組件化方向演進(jìn)，形成一種由集中控制單元(CCU), CU, DU，射頻單元(RU)，AAU等組件化通信單元組成的新架構(gòu)。這種新架構(gòu)既有利于切片化、虛擬化實(shí)現(xiàn)無線接入網(wǎng)，又有利于應(yīng)用分布式計(jì)算技術(shù)和硬件加速技術(shù)突破通用處理器的計(jì)算能力瓶頸，還能降低DU與AAU之間的前傳壓力。該文還研制了基于此架構(gòu)的組件化軟基站試驗(yàn)原型并進(jìn)行了測試，結(jié)果表明該組件化方案在提供高度靈活性的同時(shí)，還能夠提升通用處理器軟基站的吞吐能力，并有效降低遠(yuǎn)端站址傳輸流量。

本文提出了一種在光照和短路條件下測量Ni/-Si∶H肖特基結(jié)勢壘寬度的方法。同時(shí),又在實(shí)驗(yàn)確定的參數(shù)的基礎(chǔ)上,從理論上計(jì)算了在AM1太陽光譜照射下Ni/-Si∶H太陽電池的I-V曲線。由此得到的非晶硅少子擴(kuò)散長度的數(shù)值與作者1983年用表面光電壓法(SPV)測得的是一致的。從計(jì)算結(jié)果出發(fā),著重分析了影響填充因子的各種因素。與實(shí)驗(yàn)對比可以得出結(jié)論:被測太陽電池的填充因子小是串、并聯(lián)電阻造成的,而不是擴(kuò)散長度太短的緣故。

一、前言 隨著我國電視工業(yè)的迅速發(fā)展,對電視機(jī)所用顯像管的壽命指標(biāo)提出了愈來愈高的要求。國產(chǎn)23X5B(9英寸)顯像管的壽命原部頒標(biāo)準(zhǔn)為750小時(shí),目前多數(shù)管的實(shí)際壽命一般不超過2000小時(shí),遠(yuǎn)不能滿足要求。 本實(shí)驗(yàn)的目的是試備用Ni-W-Ca合金代替Si-Ni合金作陰極基底金屬,以提高9英寸顯像管的壽命。實(shí)驗(yàn)表明,在不改變原制管工藝的情況下,更換陰極基底金屬后,9英寸管的壽命可以提高到700012000小時(shí),甚至更高

正 一、引言 長期以來,氧化物陰極基金屬一般都采用鎳鎂、鎳硅等鎳合金。但用它們作直熱式陰極時(shí),在強(qiáng)度和熱變形等方面都不能很好滿足要求,如用在直熱式發(fā)射管FD-422中,就常出現(xiàn)陰極斷裂、高壓跳火,掉粉等問題。為了解決這一問題,我們研制出一種Ni-Co-W合金。用杯卣熱式發(fā)射管FD-422中,得到較好效果

圖像超分變率重建方法在公共安全檢測、衛(wèi)星成像、醫(yī)學(xué)和照片恢復(fù)等方面有著十分重要的用途。該文對基于生成對抗網(wǎng)絡(luò)的超分辨率重建方法進(jìn)行研究，提出一種基于純合成數(shù)據(jù)訓(xùn)練的真實(shí)世界盲超分算法(Real-ESRGAN)的UNet3+雙鑒別器Real-ESRGAN方法(Double Unet3+ Real-ESRGAN, DU3-Real-ESRGAN)。首先，在鑒別器中引入U(xiǎn)Net3+結(jié)構(gòu)，從全尺度捕捉細(xì)粒度的細(xì)節(jié)和粗粒度的語義。其次，采用雙鑒別器結(jié)構(gòu)，一個(gè)鑒別器學(xué)習(xí)圖像紋理細(xì)節(jié)，另一個(gè)鑒別器關(guān)注圖像邊緣，實(shí)現(xiàn)圖像信息互補(bǔ)。在Set5, Set14, BSD100和Urban100數(shù)據(jù)集上，與多種基于生成對抗網(wǎng)絡(luò)的超分重建方法相比，除Set5數(shù)據(jù)集外，DU3-Real-ESRGAN方法在峰值信噪比(PSNR)、結(jié)構(gòu)相似性(SSIM)和無參圖像考評價(jià)指標(biāo)(NIQE)都優(yōu)于其他方法，產(chǎn)生了更直觀逼真的高分辨率圖像。

蜂窩網(wǎng)絡(luò)下的同時(shí)同頻全雙工(CCFD)設(shè)備到設(shè)備(D2D)組網(wǎng)可以進(jìn)一步提升網(wǎng)絡(luò)頻譜效率，然而由此引入的殘余自干擾(RSI)及蜂窩用戶(CU)與D2D用戶(DU)之間共享頻譜的干擾會(huì)嚴(yán)重影響到蜂窩用戶的體驗(yàn)。因此，該文為蜂窩網(wǎng)絡(luò)下同時(shí)同頻全雙工組網(wǎng)設(shè)計(jì)了兩種干擾協(xié)調(diào)算法，即CU和速率最大化算法(MaxSumCU)與CU最小速率最大化算法(MaxMinCU)，在小區(qū)頻譜效率得到提升的同時(shí)盡可能地保證CU的體驗(yàn)。對于MaxSumCU算法，該文以CU和速率為優(yōu)化目標(biāo)建立混合整數(shù)非線性規(guī)劃問題(MINLP)，其在數(shù)學(xué)上為非確定性多項(xiàng)式(NP-hard)問題。算法將其分解為功率控制與頻譜資源分配兩個(gè)子問題，并用圖形規(guī)劃找到最優(yōu)功率解后，使用二向圖最大權(quán)值匹配算法決定頻譜共享的CU與DU。為了保證每一個(gè)蜂窩用戶體驗(yàn)的公平性，該文設(shè)計(jì)了MaxMinCU算法用以最大化所有CU速率中的最小值，該算法基于二分查找與二向圖最小權(quán)值匹配算法來完成用戶的資源分配。數(shù)值結(jié)果表明，與小區(qū)和速率最大化(MaxSumCell)設(shè)計(jì)相比，該文所提的兩種算法在提升小區(qū)和速率的同時(shí)均有效地提升了蜂窩用戶的體驗(yàn)。

該文報(bào)道一種直接在硅片上熱生長硅納米線的新方法。與傳統(tǒng)的VLS生長機(jī)制不同,該方法在生長硅納米線的過程中沒有引入任何氣態(tài)或液態(tài)硅源.是一種全新的固液固(SLS)生長機(jī)制。實(shí)驗(yàn)中使用了Ni,Au等金屬作為催化劑,由Ar,H2等作為載流氣體.系統(tǒng)壓強(qiáng)為2.5104Pa,生長溫度為950-1000℃.生長出的硅納米線表面光滑,呈純非晶態(tài),直徑為10-40 nm,長度可達(dá)數(shù)十微米,升溫特性對硅納米線SLS熱生長起重要作用。研究了各項(xiàng)實(shí)驗(yàn)參數(shù)(包括氣氛壓強(qiáng),加熱溫度及加熱時(shí)間等)對硅納米線生長的影響。