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用多晶X射線衍射方法,研究鈧酸鹽陰極發(fā)射材料在燒結(jié)過程中物理化學(xué)變化。由BaO-CaO-Al2O3-Sc2O3組成的發(fā)射材料中,在10001300℃內(nèi),是Ba-Al-O和Ba-Sc-O體系與CaO的混合物;在13001500℃內(nèi),是Ba-Al-O和Ba-Sc-O體系互溶生成熱力學(xué)上的亞穩(wěn)定態(tài)的Ba-Al-Sc-O固溶體。先形成組成約為5BaO-Al2O3-Sc2O3物相,屬正交晶系,a=9.725(2),b=8.698(3),c=6.152(3);最后生成組成約為4BaO-Al2O3-0.5Sc2O3物相,屬四方晶系,a=14.4996(19),b=4.4996(19),c=5.0265(8).CaO呈游離狀態(tài)。

本文用俄歇電子譜儀和X射線光電子譜儀研究了氧化物陰極在分解激活過程中表面、基底和涂層交界面的化學(xué)成分、化學(xué)態(tài)以及基底中的激活劑對(duì)涂層的作用。獲得的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在激活過程中,陰極表面諸成分的原子濃度百分比發(fā)生了明顯變化,產(chǎn)生了超額Ba。基底中的激活劑Mg對(duì)超額Ba的產(chǎn)生起重要作用。充分激活的陰極表面層是由(Ba,Sr,Ca)O和超額Ba構(gòu)成的。超額Ba是電子發(fā)射的源泉。

用XRD技術(shù)對(duì)浸漬Ba-W陰極所用的鋁酸鹽(6BaO:CaO:2Al2O3)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。結(jié)果表明俄羅斯和國內(nèi)某單位的鋁酸鹽峰位較復(fù)雜,結(jié)構(gòu)不單一。該文作者用新的配方,新的燒結(jié)方式生成了主峰為Ba5CaAl4O12的結(jié)構(gòu)單一的鋁酸鹽,且燒結(jié)溫度比傳統(tǒng)燒結(jié)溫度低200℃,單一結(jié)構(gòu)的鋁酸鹽具有浸漬溫度低、發(fā)射較好、性能穩(wěn)定、蒸發(fā)少等特點(diǎn),從而可望改善Ba-W陰極的性能。

本文報(bào)道了復(fù)錸膜擴(kuò)散陰極的發(fā)射和表面特性的研究結(jié)果,并與S-型陰極進(jìn)行了比較。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:S-型陰極復(fù)錸膜后,其熱電子發(fā)射明顯提高,且分布均勻。月極表面上主要元素的俄歇像顯示Ba在復(fù)錸膜陰極表面上的分布要比在S-型陰極表面上均勻得多,Ba的低能Auger譜和XPS的研究表明:與S-型陰極相比Ba在復(fù)錸膜陰極表面上呈現(xiàn)更強(qiáng)的金屬特性。這可能是S-型陰極復(fù)錸膜后發(fā)射增大的主要原因。

該文提出一種通用的時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC)碼密度校準(zhǔn)信號(hào)產(chǎn)生方法，該方法基于相干采樣理論，通過合理設(shè)置TDC主時(shí)鐘和校準(zhǔn)信號(hào)之間的頻率差，結(jié)合輸出信號(hào)保持電路，產(chǎn)生校準(zhǔn)用的隨機(jī)信號(hào)，在碼密度校準(zhǔn)過程中，隨機(jī)信號(hào)均勻分布在TDC的延時(shí)路徑上，實(shí)現(xiàn)對(duì)TDC的bin-by-bin校準(zhǔn)。基于Xilinx公司的28 nm工藝的Kintex-7 現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)內(nèi)部的進(jìn)位鏈實(shí)現(xiàn)一種plain TDC，利用該方法校準(zhǔn)plain TDC的碼寬(抽頭延遲時(shí)間)，研究校準(zhǔn)了2抽頭方式下的TDC的性能參數(shù)，時(shí)間分辨率(對(duì)應(yīng)TDC的最低有效位，Least Significant Bit, LSB)為24.9 ps，微分非線性為(–0.84～3.1)LSB，積分非線性為(–5.0～2.2)LSB。文中所述的校準(zhǔn)方法采用時(shí)鐘邏輯資源實(shí)現(xiàn)，多次測(cè)試考核結(jié)果表明，單個(gè)延時(shí)單元的標(biāo)準(zhǔn)差優(yōu)于0.5 ps。該校準(zhǔn)方法采用時(shí)鐘邏輯資源代替組合邏輯資源，重復(fù)性、穩(wěn)定性較好，實(shí)現(xiàn)了對(duì)plain TDC的高精度自動(dòng)校準(zhǔn)。該方法同樣適用于其他類型的TDC的碼密度校準(zhǔn)。

利用離子束輔助沉積技術(shù)在 Mo柵極上鍍上并注入一層 Hf膜,對(duì)鍍后的樣品進(jìn)行了形貌、結(jié)構(gòu)、成份、膜厚及 Mo、Hf界面分析。將樣品進(jìn)行電子管模擬柵發(fā)射試驗(yàn),柵極溫度為 650℃,試驗(yàn) 1000h以上基本無柵發(fā)射電流,可以提高柵控管的可靠性和壽命。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,陰極中的活性物質(zhì)Ba蒸發(fā)到鍍Hf的 Mo柵極表面,Ba,Hf和O2能形成化合物,從而有效抑制柵極發(fā)射電流。

本文對(duì)TiO2陶瓷晶界層電容器進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究。用液相噴霧干燥法制備含Nb5+,Ba2+微量雜質(zhì)的TiO2超細(xì)原料粉末,研究了TiO2陶瓷的電性能與燒結(jié)溫度和測(cè)試條件的關(guān)系,闡述了TiO2晶界層電容器的形成機(jī)制。

正 1.引言 由于PbTiO3壓電陶瓷較難合成,因而使它的推廣應(yīng)用比PZT陶瓷晚。但是由于它的介電常數(shù)小(200左右),居里溫度高(490℃),故在高頻器件、紅外器件等方面有應(yīng)用前途。目前應(yīng)用較廣的(Ba,Pb)TiO3-PTC陶瓷的轉(zhuǎn)變溫度就是利用PbTiO3的高溫特性來提高的。 本文介紹的是利用PbTiO3的介電常數(shù)小、Kt大和頻率穩(wěn)定度高的特點(diǎn),把它用作濾

為何浸漬陰極表面覆一層高功函數(shù)的鋨(Os)膜后發(fā)射能力可以顯著增加？這是一個(gè)長期未搞清的重要問題。該文在對(duì)陰極進(jìn)行發(fā)射性能測(cè)試和掃描電鏡分析的基礎(chǔ)上，利用同步輻射光電子譜裝置，對(duì)覆鎢(W)膜陰極和覆Os膜陰極表面的元素成分及化學(xué)狀態(tài)進(jìn)行了全面系統(tǒng)的研究。結(jié)果表明，覆Os膜陰極的電子發(fā)射能力是覆W膜陰極2.65倍；與覆W膜相比，覆Os膜使陰極表面的鋇(Ba)原子和低結(jié)合能態(tài)的吸附氧(O)原子分別增加了40%和56%。進(jìn)一步分析認(rèn)為，Os膜具有易氧化及氧化物易分解的特性，這一特性決定了覆Os膜陰極在激活后可以獲得更多的超額鋇Ba+(a)，并因此具備更高的電子發(fā)射能力。

在WDM網(wǎng)絡(luò)中業(yè)務(wù)的帶寬需求遠(yuǎn)低于一個(gè)波長所提供的帶寬,業(yè)務(wù)量疏導(dǎo)可以聚集低速業(yè)務(wù)到大容量的光路中從而有效地利用波長帶寬資源.目前大多數(shù)業(yè)務(wù)量疏導(dǎo)的研究限于環(huán)形網(wǎng),考慮對(duì)WDM網(wǎng)狀網(wǎng)中低速業(yè)務(wù)可靠疏導(dǎo)的文獻(xiàn)更少.該文綜合考慮WDM網(wǎng)狀網(wǎng)生存性及業(yè)務(wù)量疏導(dǎo),提出了基于波長分層圖的共享保護(hù)業(yè)務(wù)量疏導(dǎo)算法(SPTG-LG,Shared Protection Traffic Grooming algorithm ba,sed on wavelength Layered-Graph),并對(duì)算法進(jìn)行了仿真和分析.