論文元數據搜索,找到相關信息共 11 條:
1990, 12(2): 179-186.
刊出日期:1990-03-19
用多晶X射線衍射方法,研究鈧酸鹽陰極發(fā)射材料在燒結過程中物理化學變化。由BaO-CaO-Al2O3-Sc2O3組成的發(fā)射材料中,在10001300℃內,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O體系與CaO的混合物;在13001500℃內,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O體系互溶生成熱力學上的亞穩(wěn)定態(tài)的Ba-Al-Sc-O固溶體。先形成組成約為5BaO-Al2O3-Sc2O3物相,屬正交晶系,a=9.725(2),b=8.698(3),c=6.152(3);最后生成組成約為4BaO-Al2O3-0.5Sc2O3物相,屬四方晶系,a=14.4996(19),b=4.4996(19),c=5.0265(8).CaO呈游離狀態(tài)。
2006, 28(1): 151-153.
刊出日期:2006-01-19
關鍵詞:
認證加密;簽名;公開驗證;機密性
該文對可轉變認證加密進行了研究,指出了Wu-Hsu(2002)方案和Huang-Chang(2003)方案中存在的問題,分別給出了這兩個方案的改進方案,很好地解決了認證加密方案的公開驗證問題。
1986, 8(4): 309-315.
刊出日期:1986-07-19
正 一、引言 計算矩形同軸帶狀線的電容是相當困難的,迄今只見到尺寸滿足一定條件時的近似解,尚未見到一般情況下的準確解。有關計算電容的已有近似公式大多是基于保角變換法導得的,例如,Tippet和Chang應用變換式t=sn2(mz,k)將Z平面上的O
1990, 12(6): 584-592.
刊出日期:1990-11-19
關鍵詞:
正交變換; 離散哈脫萊變換; 分離基算法
Soo-Chang Pei,Ja-Ling wu(1986)和茅一民(1987)提出了長度為2m的分離基2/4哈脫萊變換算法。本文將分離基算法推廣到長度為pm的哈脫萊變換,并證明基p2算法實乘次數比基p算法少,而基p/p2算法實乘次數比前兩者都少。作為例子,給出了長度為N=3m的基3/9哈脫萊變換快速算法和流圖。
2003, 25(1): 131-134.
刊出日期:2003-01-19
用XRD技術對浸漬Ba-W陰極所用的鋁酸鹽(6BaO:CaO:2Al2O3)結構進行了分析。結果表明俄羅斯和國內某單位的鋁酸鹽峰位較復雜,結構不單一。該文作者用新的配方,新的燒結方式生成了主峰為Ba5CaAl4O12的結構單一的鋁酸鹽,且燒結溫度比傳統(tǒng)燒結溫度低200℃,單一結構的鋁酸鹽具有浸漬溫度低、發(fā)射較好、性能穩(wěn)定、蒸發(fā)少等特點,從而可望改善Ba-W陰極的性能。
1981, 3(2): 128-128.
刊出日期:1981-04-19
正 自1970年T.Y.Chang報道了光泵CH3F遠紅外激光器以來,至今已發(fā)現有幾十種工作物質,可在遠紅外波段產生1000多條激光線。遠紅外激光器有廣泛的應用,在等離子體診斷中,通過Thompson散射,可確定Tokamak中離子密度和溫度;在半導體中,可用來確定載流子濃度和雜質濃度;作為標準波長,可構成頻率鏈的一環(huán);在軍事上,遠紅外激光可用于亞毫米通訊;用遠紅外激光照射石英晶體,可產生頻率為幾THz的聲子,在
2009, 31(1): 246-249.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.01234
刊出日期:2009-01-19
關鍵詞:
群簽名;偽造攻擊;安全性分析
該文對王曉明等(2003)和林松等(2006)最近依據Tseng-Jan(1999)群簽名方案各自提出的一種改進群簽名設計了兩種偽造攻擊策略。利用該偽造攻擊,攻擊人不需要任何簽名者的保密身份信息和秘密密鑰信息,只是通過選取隨機參數、改變原方案的部分設計步驟就能成功偽造出群成員證書,進而偽造出驗證有效的群簽名,從而威脅到群簽名人的合法權益。該文的偽造攻擊策略對Lee-Chang(1998)群簽名、Tseng-Jan群簽名及由其演化而來的所有群簽名方案都具有效性,從而證明該類群簽名方案全都是不安全的。
1987, 9(4): 348-358.
刊出日期:1987-07-19
各種鋁酸鹽鋇鎢陰極的發(fā)射物質中存在著2BaOCaOAl2O3和可利用氧化鋇的共同成分。氧化鈣的作用在于參予組成了2BaOCaOAl2O3相成分,穩(wěn)定了可利用氧化鋇。在摻氧化鈧的發(fā)射物質5BaO3CaO2Al2O30.6Sc2O3中,氧化鈧的作用則在于它和鋁酸鹽中的可利用氧化鋇結合為2BaOSc2O3,成為電子發(fā)射源氧化鋇或鋇原子的載體,它起控制和補充發(fā)射源的作用。這個機理得到實驗證實。
2014, 36(3): 754-757.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2013.00566
刊出日期:2014-03-19
為提高陰極的發(fā)射性能以滿足新型器件的需求,該文利用脈沖激光沉積技術制備了一種覆W+BaO- Sc2O3-SrO薄膜的浸漬擴散陰極。實驗測得了該陰極在不同溫度下的伏安特性曲線,并探討了發(fā)射機制。結果表明,在1100C工作溫度下,該陰極的零場發(fā)射電流密度達到305.5 A/cm2;陰極表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性層是陰極獲得高發(fā)射性能的主要原因。文章還利用半導體模型解釋了該陰極的非正常肖特基效應。
1987, 9(1): 42-51.
刊出日期:1987-01-19
利用俄歇能譜就地定性、定量地測量了浸漬鋇鎢陰極(4.56∶1.44∶2)的蒸發(fā)成分和速率。得到的主要結果是:(1)老煉初期和壽命初期蒸發(fā)率可相差半個量級,前者的蒸發(fā)能為4.34eV,而后者為4.58eV;(2)蒸發(fā)物成分隨陰極溫度不同而變化,高溫激活時,氧化鋇在蒸發(fā)物中的比例緩慢減少,但Ca的蒸發(fā)增加,1250℃時,約占3.5%,在工作溫度范圍內,90%左右為金屬鋇,氧化鋇約占9.3%;(3)與50年代蒸發(fā)測量相比,AES法得到的BaO蒸發(fā)量少得多,但與熱力學理論計算的結果一致;(4)與AES計量的5∶3∶2,4∶1∶1陰極相比,所研究的陰極(4.56∶1.44∶2)的Ca蒸發(fā)量少得多,這是該陰極的特點;(5)逸出功測量和AST曲線都表明,當吸附了約1.51014at./cm2的鋇時,多晶鎢表面已建立一個由吸附原子形成的均勻的屏蔽場。
- 首頁
- 上一頁
- 1
- 2
- 下一頁
- 末頁
- 共:2頁