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該文在現(xiàn)有譯碼算法的基礎(chǔ)上提出一種高效的非二進(jìn)制低密度奇偶校驗(yàn)碼(NB-LDPC)譯碼方法，充分利用了分層譯碼算法與Min-max算法的優(yōu)點(diǎn)，不但譯碼復(fù)雜度低、需要的存儲(chǔ)空間小，而且可將譯碼速度提高一倍。應(yīng)用該算法，對(duì)一種定義在GF(25)上的(620,509)碼進(jìn)行了仿真。該碼的仿真結(jié)果表明：在相同誤碼率下，該文譯碼算法所需最大迭代次數(shù)僅為Zhang的算法(2011)的45%。

無(wú)人機(jī)(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相結(jié)合，可以滿(mǎn)足熱點(diǎn)地區(qū)高容量需求，提高通信質(zhì)量。該文提出一種無(wú)人機(jī)輔助的NOMA反向散射通信系統(tǒng)最小速率最大化資源分配算法?？紤]無(wú)人機(jī)發(fā)射功率、能量收集、反射系數(shù)、傳輸速率以及連續(xù)干擾消除(SIC)解碼順序約束，建立基于系統(tǒng)最小速率最大化的資源分配模型。首先利用塊坐標(biāo)下降將原問(wèn)題分解為無(wú)人機(jī)發(fā)射功率優(yōu)化、反射系數(shù)優(yōu)化和無(wú)人機(jī)位置與SIC解碼順序聯(lián)合優(yōu)化3個(gè)子問(wèn)題，然后使用反證法給出無(wú)人機(jī)最優(yōu)發(fā)射功率，再用變量替換法和連續(xù)凸逼近將剩余子問(wèn)題進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為凸優(yōu)化問(wèn)題進(jìn)行求解。仿真結(jié)果表明，所提算法在系統(tǒng)和速率與用戶(hù)公平性之間具有較好折中。

用多晶X射線衍射方法,研究鈧酸鹽陰極發(fā)射材料在燒結(jié)過(guò)程中物理化學(xué)變化。由BaO-CaO-Al2O3-Sc2O3組成的發(fā)射材料中,在10001300℃內(nèi),是Ba-Al-O和Ba-Sc-O體系與CaO的混合物;在13001500℃內(nèi),是Ba-Al-O和Ba-Sc-O體系互溶生成熱力學(xué)上的亞穩(wěn)定態(tài)的Ba-Al-Sc-O固溶體。先形成組成約為5BaO-Al2O3-Sc2O3物相,屬正交晶系,a=9.725(2),b=8.698(3),c=6.152(3);最后生成組成約為4BaO-Al2O3-0.5Sc2O3物相,屬四方晶系,a=14.4996(19),b=4.4996(19),c=5.0265(8).CaO呈游離狀態(tài)。

用XRD技術(shù)對(duì)浸漬Ba-W陰極所用的鋁酸鹽(6BaO:CaO:2Al2O3)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。結(jié)果表明俄羅斯和國(guó)內(nèi)某單位的鋁酸鹽峰位較復(fù)雜,結(jié)構(gòu)不單一。該文作者用新的配方,新的燒結(jié)方式生成了主峰為Ba5CaAl4O12的結(jié)構(gòu)單一的鋁酸鹽,且燒結(jié)溫度比傳統(tǒng)燒結(jié)溫度低200℃,單一結(jié)構(gòu)的鋁酸鹽具有浸漬溫度低、發(fā)射較好、性能穩(wěn)定、蒸發(fā)少等特點(diǎn),從而可望改善Ba-W陰極的性能。

堿或堿土金屬的原子吸附于過(guò)渡金屬表面時(shí),會(huì)使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來(lái)研究這一現(xiàn)象。過(guò)渡金屬基底用薄膜線性級(jí)加平面波(LAPW)法精確處理,而簡(jiǎn)單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構(gòu)成基底的過(guò)渡金屬特點(diǎn)的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統(tǒng)的電子性質(zhì)。 文中給出了計(jì)算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實(shí)驗(yàn)結(jié)果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問(wèn)題。

各種鋁酸鹽鋇鎢陰極的發(fā)射物質(zhì)中存在著2BaOCaOAl2O3和可利用氧化鋇的共同成分。氧化鈣的作用在于參予組成了2BaOCaOAl2O3相成分,穩(wěn)定了可利用氧化鋇。在摻氧化鈧的發(fā)射物質(zhì)5BaO3CaO2Al2O30.6Sc2O3中,氧化鈧的作用則在于它和鋁酸鹽中的可利用氧化鋇結(jié)合為2BaOSc2O3,成為電子發(fā)射源氧化鋇或鋇原子的載體,它起控制和補(bǔ)充發(fā)射源的作用。這個(gè)機(jī)理得到實(shí)驗(yàn)證實(shí)。

為提高陰極的發(fā)射性能以滿(mǎn)足新型器件的需求，該文利用脈沖激光沉積技術(shù)制備了一種覆W+BaO- Sc2O3-SrO薄膜的浸漬擴(kuò)散陰極。實(shí)驗(yàn)測(cè)得了該陰極在不同溫度下的伏安特性曲線，并探討了發(fā)射機(jī)制。結(jié)果表明，在1100C工作溫度下，該陰極的零場(chǎng)發(fā)射電流密度達(dá)到305.5 A/cm2；陰極表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性層是陰極獲得高發(fā)射性能的主要原因。文章還利用半導(dǎo)體模型解釋了該陰極的非正常肖特基效應(yīng)。

為了在InP/InGaAs(P)材料中進(jìn)行精確的選擇擴(kuò)散,同時(shí)又要保證外延生長(zhǎng)的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)不被破壞,提出了一種新的低溫開(kāi)管Zn擴(kuò)散方法。該法直至在T=500℃,t=5min的條件下,重復(fù)性仍很好。應(yīng)用該法研究了低溫條件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的擴(kuò)散行為。實(shí)驗(yàn)首次發(fā)現(xiàn),Zn在InGaAsP材料中的擴(kuò)散速率與材料中P含量的平方成正比。

以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長(zhǎng)鎳硅化物。實(shí)驗(yàn)獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)同時(shí)表明,在低外延生長(zhǎng)速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。

文本采用SIMS技術(shù),分析了BF2+注入多晶硅柵退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的遷移特性。結(jié)果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅柵經(jīng)過(guò)900℃,30min退火后,部分F原子已擴(kuò)散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的遷移行為呈現(xiàn)不規(guī)則的特性,這歸因于損傷缺陷和鍵缺陷對(duì)F原子的富集作用。