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用于14位210 MS/s電荷域ADC的采樣保持前端電路

陳珍海 魏敬和 錢宏文 于宗光 蘇小波 薛顏 張鴻

陳珍海, 魏敬和, 錢宏文, 于宗光, 蘇小波, 薛顏, 張鴻. 用于14位210 MS/s電荷域ADC的采樣保持前端電路[J]. 電子與信息學(xué)報, 2019, 41(3): 732-738. doi: 10.11999/JEIT180337
引用本文: 陳珍海, 魏敬和, 錢宏文, 于宗光, 蘇小波, 薛顏, 張鴻. 用于14位210 MS/s電荷域ADC的采樣保持前端電路[J]. 電子與信息學(xué)報, 2019, 41(3): 732-738. doi: 10.11999/JEIT180337
Zhenhai CHEN, Jinghe WEI, Hongwen QIAN, Zongguang YU, Xiaobo SU, Yan XUE, Hong ZHANG. Sample and Hold Front-end Circuit for 14-bit 210 MS/s Charge-domain ADC[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2019, 41(3): 732-738. doi: 10.11999/JEIT180337
Citation: Zhenhai CHEN, Jinghe WEI, Hongwen QIAN, Zongguang YU, Xiaobo SU, Yan XUE, Hong ZHANG. Sample and Hold Front-end Circuit for 14-bit 210 MS/s Charge-domain ADC[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2019, 41(3): 732-738. doi: 10.11999/JEIT180337

用于14位210 MS/s電荷域ADC的采樣保持前端電路

doi: 10.11999/JEIT180337
基金項目: 國家自然科學(xué)基金(61704161)
詳細信息
    作者簡介:

    陳珍海:男,1982年生,高級工程師,主要研究方向為高性能A/D及D/A轉(zhuǎn)換器設(shè)計

    魏敬和:男,1970年生,教授級高級工程師,主要研究方向為SoC和高性能數(shù)?;旌霞呻娐吩O(shè)計

    錢宏文:男,1975年生,教授級高級工程師,主要研究方向為高性能數(shù)?;旌霞呻娐吩O(shè)計和應(yīng)用

    于宗光:男,1964年生,教授,博士生導(dǎo)師,主要研究方向為高性能數(shù)?;旌霞呻娐吩O(shè)計、射頻電路設(shè)計、集成電路可靠性設(shè)計

    蘇小波:男,1984年生,博士生,研究方向為高性能數(shù)模混合電路設(shè)計

    薛顏:男,1983年生,博士生,研究方向為高性能數(shù)?;旌想娐吩O(shè)計

    張鴻:男,1978年生,副教授,博士生導(dǎo)師,主要研究方向為高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器、射頻收發(fā)機模擬前端電路和植入式醫(yī)療芯片設(shè)計

    通訊作者:

    魏敬和 pume1975_cnjs@sina.com

  • 中圖分類號: TN432

Sample and Hold Front-end Circuit for 14-bit 210 MS/s Charge-domain ADC

Funds: The National Natural Science Foundation of China (61704161)
  • 摘要:

    該文提出一種用于電荷域流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的高精度輸入共模電平不敏感采樣保持前端電路。該采樣保持電路可對電荷域流水線ADC中由輸入共模電平誤差引起的共模電荷誤差進行補償。所提出的高精度輸入共模電平不敏感采樣保持電路被運用于一款14位210 MS/s電荷域ADC中,并在1P6M 0.18 μm CMOS工藝下實現(xiàn)。測試結(jié)果顯示,該14位ADC電路在210 MS/s條件下對于30.1 MHz單音正弦輸入信號得到的無雜散動態(tài)范圍為85.4 dBc,信噪比為71.5 dBFS,而ADC內(nèi)核功耗僅為205 mW,面積為3.2 mm2。

  • 圖  1  現(xiàn)有電荷域S&H電路結(jié)構(gòu)

    圖  2  新型電荷域S&H電路結(jié)構(gòu)

    圖  3  Replica控制BCT電路

    圖  4  緩沖運放電路結(jié)構(gòu)

    圖  5  采樣保持電路仿真波形

    圖  6  14位210 MS/s電荷域ADC框圖

    圖  7  ADC芯片照片及實測曲線

    表  1  ADC性能對比

    技術(shù)指標(biāo)精度
    (bit)
    采樣
    (MS/s)
    SNR
    (dB)
    SFDR
    (dB)
    電源電壓
    (V)
    工藝
    (nm)
    內(nèi)核功耗
    (mW)
    內(nèi)核面積
    (mm2)
    FOM(pJ/step)
    功耗/(${{2}^{{\rm{ENOB}}}} \cdot {\rm{f}}$clk)
    文獻[4]1450064.892.71.8/3.31805502.5**0.71
    文獻[5]14100069.086.01.2/2.56512005.00.55
    文獻[15]1420068.588.51.818046022.5*1.07
    文獻[16]1425068.594.71.81803003.60.57
    本文1421071.585.41.81802053.20.39
    注:*該ADC為時間交織結(jié)構(gòu);**該ADC采用SiGe BiCMOS工藝
    下載: 導(dǎo)出CSV
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    CHEN Zhenhai, WEI Jinghe, SU Xiaobo, et al. Low power time-interleaved 12 bit 500 MS/s charge domain ADC[J]. Journal of Xidian University, 2017, 44(6): 119–126. doi: 10.3969/j.issn.1001-2400.2017.06.020
    HUANG Songren, ZHANG Hong, CHEN Zhenhai, et al. A 10-bit 250 MS/s charge-domain pipelined ADC with replica controlled PVT insensitive BCT circuit[J]. Journal of Semiconductors, 2015, 36(5): 055012. doi: 10.1088/1674-4926/36/5/055012
    陳珍海, 于宗光, 魏敬和, 等. 采用1.75 Gbps串行發(fā)送器的低功耗14位125 MSPS ADC[J]. 電子測量與儀器學(xué)報, 2017, 31(1): 132–138. doi: 10.13382/j.jemi.2017.01.019

    CHEN Zhenhai, YU Zongguang, WEI Jinghe, et al. Low power 14-bit 125 MSPS ADC with 1.75 Gbps serial transmitter[J]. Journal of Electronic Measurement and Instrument, 2017, 31(1): 132–138. doi: 10.13382/j.jemi.2017.01.019
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    ZHENG X Q, WANG Z J, LI F L, et al. A 14-bit 250 MS/s IF sampling pipelined ADC in 180 nm CMOS process[J]. IEEE Transactions on Circuits and Systems-I: Regular Papers, 2016, 63(9): 1381–1392. doi: 10.1109/TCSI.2016.2580703
  • 加載中
圖(7) / 表(1)
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出版歷程
  • 收稿日期:  2018-04-21
  • 修回日期:  2018-11-22
  • 網(wǎng)絡(luò)出版日期:  2018-12-05
  • 刊出日期:  2019-03-01

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