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等平面化自對準(zhǔn)硅雪崩擊穿電子發(fā)射陣列器件的設(shè)計(jì)和研究

朱大中

朱大中. 等平面化自對準(zhǔn)硅雪崩擊穿電子發(fā)射陣列器件的設(shè)計(jì)和研究[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1998, 20(3): 429-432.
引用本文: 朱大中. 等平面化自對準(zhǔn)硅雪崩擊穿電子發(fā)射陣列器件的設(shè)計(jì)和研究[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1998, 20(3): 429-432.
Zhu Dazhong. DESIGN AND RESEARCH OF QUASI-PLANAR SELF-ALIGNED SILICON AVALANCHE ELECTRON EMISSION ARRAY[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1998, 20(3): 429-432.
Citation: Zhu Dazhong. DESIGN AND RESEARCH OF QUASI-PLANAR SELF-ALIGNED SILICON AVALANCHE ELECTRON EMISSION ARRAY[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1998, 20(3): 429-432.

等平面化自對準(zhǔn)硅雪崩擊穿電子發(fā)射陣列器件的設(shè)計(jì)和研究

DESIGN AND RESEARCH OF QUASI-PLANAR SELF-ALIGNED SILICON AVALANCHE ELECTRON EMISSION ARRAY

  • 摘要: 本文報(bào)道了等平面化自對準(zhǔn)硅雪崩擊穿電子發(fā)射陣列器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝過程。該器件的電子發(fā)射區(qū)域邊緣的工藝臺階僅為10nm,其自對準(zhǔn)的淺砷注入電流通道區(qū)寬度僅為3m。與已報(bào)道的其它結(jié)構(gòu)硅雪崩擊穿電子發(fā)射器件相比較,該器件的電流電壓特性曲線有更寬的線性區(qū)域和更低的通導(dǎo)電阻。本文也對其電子發(fā)射特性作了部分介紹。
  • 黃慶安.真空微電子學(xué)的研究與進(jìn)展.電子學(xué)報(bào),1995, 23(10): 134-138.[2]Yicheng Lu, Minjng Wang, Bogoljub Lalevic. IEEE Trans. on ED, 1994, ED-41(3): 439-444.[3]Wang M, Lu Y, Lalevic B. J. Vac. Sci. Technol, 1993, B-11(2): 426-428[4]Meijuan Guo. Proc. 4th Int. Con. on Solid-State and Integrated Circuit Technology.北京:電子工業(yè)出版社,1995,485-487.[5]S M Sze. VLSI Technology. 2nd Ed, McGraw-Mill, 1988, ch.3: 111-113.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1996-07-16
  • 修回日期:  1997-05-20
  • 刊出日期:  1998-05-19

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