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納米電子系統(tǒng)中電容矩陣的數(shù)值模擬器

樂(lè)嘉勇 蔣建飛 蔡琪玉

樂(lè)嘉勇, 蔣建飛, 蔡琪玉. 納米電子系統(tǒng)中電容矩陣的數(shù)值模擬器[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 2002, 24(11): 1494-1498.
引用本文: 樂(lè)嘉勇, 蔣建飛, 蔡琪玉. 納米電子系統(tǒng)中電容矩陣的數(shù)值模擬器[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 2002, 24(11): 1494-1498.
Le Jiayong, Jiang Jianfei, Cai Qiyu. Numerical simulator of capacitance matrix for nano-electronic system[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2002, 24(11): 1494-1498.
Citation: Le Jiayong, Jiang Jianfei, Cai Qiyu. Numerical simulator of capacitance matrix for nano-electronic system[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2002, 24(11): 1494-1498.

納米電子系統(tǒng)中電容矩陣的數(shù)值模擬器

Numerical simulator of capacitance matrix for nano-electronic system

  • 摘要: 該文論述了納米電子系統(tǒng)電容矩陣數(shù)值模擬器SJTU-NANO-FCACI的原理和應(yīng)用,分析了其算法,并研究了在納米電子系統(tǒng)中常見(jiàn)的球形導(dǎo)體的電容。結(jié)果表明,該模擬器具有精度高、速度快、應(yīng)用廣泛等特性。
  • K. Nabors, J. White, FastCap: A multipole accelerated 3-D capacitance extraction program,IEEE Trans. on Computer-Aided Design, 1991, 10(11), 1447-1459.[2]程子川,蔣建飛,蔡琪玉,電子空穴對(duì)單電子陷阱存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和分析,電子學(xué)報(bào),2000,28(11),134-136.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  2001-03-16
  • 修回日期:  2001-09-06
  • 刊出日期:  2002-11-19

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