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在夾心結(jié)構(gòu)-Si:H膜中的反常光電導(dǎo)響應(yīng)

海宇涵 周忠毅 韓涇鴻

海宇涵, 周忠毅, 韓涇鴻. 在夾心結(jié)構(gòu)-Si:H膜中的反常光電導(dǎo)響應(yīng)[J]. 電子與信息學(xué)報, 1983, 5(6): 382-387.
引用本文: 海宇涵, 周忠毅, 韓涇鴻. 在夾心結(jié)構(gòu)-Si:H膜中的反常光電導(dǎo)響應(yīng)[J]. 電子與信息學(xué)報, 1983, 5(6): 382-387.
Hai Yu-Han, Zhou Zhong-Yi, Han Jing-Hong. THE ABNORMAL PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF -Si:H FILMS WITH SANDWICH STRUCTURE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(6): 382-387.
Citation: Hai Yu-Han, Zhou Zhong-Yi, Han Jing-Hong. THE ABNORMAL PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF -Si:H FILMS WITH SANDWICH STRUCTURE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(6): 382-387.

在夾心結(jié)構(gòu)-Si:H膜中的反常光電導(dǎo)響應(yīng)

THE ABNORMAL PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF -Si:H FILMS WITH SANDWICH STRUCTURE

  • 摘要: 在不同場強和照度下,測量了一系列夾心結(jié)構(gòu)-Si∶H膜的光電導(dǎo)響應(yīng)曲線,發(fā)現(xiàn)在較弱場強下,上升曲線和下降曲線有反?,F(xiàn)象。作者分析了光電導(dǎo)響應(yīng)曲線,指出無論是上升曲線還是下降曲線,都可以分解為由兩個變化過程組成:一個尖形和一個類指數(shù)形。通過對零場和極弱場強響應(yīng)的研究,表明上述現(xiàn)象可用光照或停止光照后空間電荷分布的變化來解釋。本文對具有低遷移率和高電阻率的光敏材料具有普遍的意義。
      關(guān)鍵詞:
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  • О.К.Гасанов и др.,ФТТ, 4(1970), 558.[2]海宇涵、周忠毅,電子學(xué)通訊,4(1982), 248.[3]D.E. Carlson, IEEE Trans. on ED, ED-24(:977),449.[4]D.E. Carlson et al., RCA Rev., 38(1977), 211.[6]P, Mark et al., J. Appl. Phys., 33(1962), 205.[7]A. Rose.[J]. Concepts in Photoconductivity and Allied Problems.1963,John Wiley Sons:-[8]R. Williams et al., RCA Rev., 40(1979), 371.[9]王宗畔等, ITO-a-Si異質(zhì)結(jié)太陽能電池,第二屆全國非晶態(tài)材料和物理學(xué)術(shù)討論會報告,1980.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1982-03-18
  • 刊出日期:  1983-11-19

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