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雙柵器件的跨導(dǎo)和漏導(dǎo)

董忠

董忠. 雙柵器件的跨導(dǎo)和漏導(dǎo)[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1988, 10(4): 372-376.
引用本文: 董忠. 雙柵器件的跨導(dǎo)和漏導(dǎo)[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1988, 10(4): 372-376.
Dong Zheng. TRANSCONDUCTANCE AND DRAIN CONDUCTANCE OF DUAL-GATE FETs[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(4): 372-376.
Citation: Dong Zheng. TRANSCONDUCTANCE AND DRAIN CONDUCTANCE OF DUAL-GATE FETs[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(4): 372-376.

雙柵器件的跨導(dǎo)和漏導(dǎo)

TRANSCONDUCTANCE AND DRAIN CONDUCTANCE OF DUAL-GATE FETs

  • 摘要: 本文將雙柵MOSFET考慮成四極器件,以電流連續(xù)、電壓守恒為基礎(chǔ),討論了其跨導(dǎo)和漏導(dǎo)特性。所提出的分析求解方法??赏茝V到任何雙柵結(jié)構(gòu)器件。結(jié)果表明,此方法不僅簡(jiǎn)潔、適用性廣;而且物理概念清楚,將三極器件和四極器件的特性聯(lián)系了起來(lái),自然地引出了雙柵器件特有的耦合概念。對(duì)于所選取的單柵模型,跨導(dǎo)、漏導(dǎo)的計(jì)算值和實(shí)驗(yàn)值符合良好。
  • R. V. Anand et al., IEEE Proc Pt. I,129(1982), 58.[2]J. R. Scott, R. A. Minasian, IEEE Trans. on MTT, MTT-32(1984), 243.[3]J. Houthoff, T. H. Uittenbogaard, Elecsronic Technology, 17(1983), 146.[4]R. M. Barsan, IEEE Trans. on ED, ED-28(1981), 523.[5]董忠,雙柵MOSFET直流特性的模擬和分析,成都電訊工程學(xué)院碩士學(xué)位論文,1986年.[6]R. M. Barsan, et al., IEEE J. of SC, SC-17(1982), 626.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1986-10-21
  • 修回日期:  1987-08-05
  • 刊出日期:  1988-07-19

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