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TEM分析用的半導體橫截面樣品的制備和分析的結(jié)果

范榮團

范榮團. TEM分析用的半導體橫截面樣品的制備和分析的結(jié)果[J]. 電子與信息學報, 1990, 12(6): 656-659.
引用本文: 范榮團. TEM分析用的半導體橫截面樣品的制備和分析的結(jié)果[J]. 電子與信息學報, 1990, 12(6): 656-659.
Fan Rongtuan. PREPARATION OF CROSS-SECTIONAL SPECIMEN OF SEMICONDUCTOR FOR TEM AND ANALYTICRESULTS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(6): 656-659.
Citation: Fan Rongtuan. PREPARATION OF CROSS-SECTIONAL SPECIMEN OF SEMICONDUCTOR FOR TEM AND ANALYTICRESULTS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(6): 656-659.

TEM分析用的半導體橫截面樣品的制備和分析的結(jié)果

PREPARATION OF CROSS-SECTIONAL SPECIMEN OF SEMICONDUCTOR FOR TEM AND ANALYTICRESULTS

  • 摘要: 本文介紹了透射式電子顯微鏡(TEM)用的橫截面樣品的制作技術(shù)。利用這一技術(shù)制出的樣品,用TEM觀察到了GaAs/AlGaAs超晶格結(jié)構(gòu)中周期性的精細成分調(diào)制的新現(xiàn)象。在金屬有機化合物汽相沉積(MOCVD)生長的GaAs/si材料中還觀察到一些新形狀的位錯、微孿晶等。這一種制樣技術(shù)也適用于其他半導體材料系統(tǒng)的研究。
  • 范榮團,電子科學學刊,12(1990)1,93-99.[2]褚一鳴,姜彤弼,范榮團,電子顯微學報,7(1988)3,178.[3]范榮團,MBE,MOCVD外延生長的GaAs/Si中微孿晶,第三屆全國材料科學中電子顯微學會議論文集,1989年,11月,四川樂山,第56-58頁.[4]D. J. Eagesham, et al., Defects in MBE and MOCVD Grown GaAs on Si Inst. Phys. Conf. Ser. No.87,1987, 105-110.
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出版歷程
  • 收稿日期:  1988-12-22
  • 修回日期:  1990-07-19
  • 刊出日期:  1990-11-19

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