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大容量門極可關(guān)斷晶閘管的研究

呂征宇

呂征宇. 大容量門極可關(guān)斷晶閘管的研究[J]. 電子與信息學報, 1988, 10(6): 558-562.
引用本文: 呂征宇. 大容量門極可關(guān)斷晶閘管的研究[J]. 電子與信息學報, 1988, 10(6): 558-562.
Lu Zhengyu. STUDY OF POWER GATE TURN-OFF THYRISTOR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(6): 558-562.
Citation: Lu Zhengyu. STUDY OF POWER GATE TURN-OFF THYRISTOR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(6): 558-562.

大容量門極可關(guān)斷晶閘管的研究

STUDY OF POWER GATE TURN-OFF THYRISTOR

  • 摘要: 本文分析了GTO的關(guān)斷原理,研究了GTO的參數(shù)設(shè)計和制作工藝。測試了GTO的摻雜分布和工作特性。采用國產(chǎn)材料和設(shè)備試制成500A逆阻型大容量GTO。其工藝可用于GTO的批量化生產(chǎn)。
  • S. Asai, N. Sawaki, I. Akasaki, K. Iwata, IEEE Trans. on ED, ED-32(1985), 1894-1896.[2][美] S. K.格安迪著,張光華,鐘士謙譯,功率半導體器件,機械工業(yè)出版社,1982, pp. 191-107.[3]N. Akio, Solid state Electron., 28(1985), 677-687.[4]呂征宇,大容量門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)的研究及其應(yīng)用于10kHz, 100kW中頻電源的探討,博士論文,1987年.[5]M. Azuma, K. Takigami, IEEE Electron Device Letters, 1(1980), 203-205.
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出版歷程
  • 收稿日期:  1987-02-21
  • 修回日期:  1987-07-03
  • 刊出日期:  1988-11-19

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