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-Si∶H光電發(fā)射的漂移場模型

海宇涵 陳遠(yuǎn)星 臧寶翠

海宇涵, 陳遠(yuǎn)星, 臧寶翠. -Si∶H光電發(fā)射的漂移場模型[J]. 電子與信息學(xué)報, 1991, 13(1): 57-64.
引用本文: 海宇涵, 陳遠(yuǎn)星, 臧寶翠. -Si∶H光電發(fā)射的漂移場模型[J]. 電子與信息學(xué)報, 1991, 13(1): 57-64.
Hai Yuhan, Chen Yuanxin, Zhang Baochui. -Si:H PHOTOEMISSIVE MODEL WITH DRIFT ELECTRIC FIELD[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(1): 57-64.
Citation: Hai Yuhan, Chen Yuanxin, Zhang Baochui. -Si:H PHOTOEMISSIVE MODEL WITH DRIFT ELECTRIC FIELD[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(1): 57-64.

-Si∶H光電發(fā)射的漂移場模型

-Si:H PHOTOEMISSIVE MODEL WITH DRIFT ELECTRIC FIELD

  • 摘要: 本文分析了擴(kuò)散型或漂移型或具有電荷放大效應(yīng)的光陰極的量子效率。提出了具有內(nèi)場或外場的-Si∶H光電發(fā)射模型。其結(jié)構(gòu)是p-i-n -Si∶H/Bi2S3或SnO2--Si∶H-Al∶Cs∶O。估算了它們的量子效率和積分靈敏度。二者的量子效率為1-10,靈敏度為103-105A/lm。外場模型的實(shí)驗表明,結(jié)構(gòu)設(shè)計是正確的。
  • H.Schade,J. Pankove, Surface Science, 89(1979), 543.[2][2][3]N. Foss, J.Appl, Phys., 42(1971), 3764.[4][3][5]A. Sommer著,侯詢譯,光電發(fā)射材料,科學(xué)出版社,1979, p. 313.[6]黃昆,韓汝琦,半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),科學(xué)出版社,1979, p.101.[7]P. Zanzucchi, et al., J. Appl. Phys., 48(1977), 5227.[6] J. Mort, et al., Appl. Phys. Lett., 38(1981), 1277.[7] R. Willians, R. Crandall, RCA Rev., 40(1979), 371.[8] R. Engstron, RCA Rev., 16(1955), 116.[9] D. Carlson, Advances in amorphous silicon solar cells, 14th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., San Diego, (1980), p. 291. [10] A. Rose, Concepts in Photoconductivity and Allied Problems, John Wiley Sons, Inc., (1963), p. 77.[11] W. Spear, et al., J. Non-Cryst. Solids, 15(1974), 410.[12] W. Summer, Photosensitors, Chapmen Hall Ltd., London, (1957), p. 60.
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出版歷程
  • 收稿日期:  1989-10-09
  • 修回日期:  1990-06-14
  • 刊出日期:  1991-01-19

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