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砷化鎵雙異質(zhì)結(jié)高輻射度發(fā)光管的研制

泮慧珍 張桂成 徐少華 逄永秀 程宗權(quán) 富小妹 朱黎明 胡道珊

泮慧珍, 張桂成, 徐少華, 逄永秀, 程宗權(quán), 富小妹, 朱黎明, 胡道珊. 砷化鎵雙異質(zhì)結(jié)高輻射度發(fā)光管的研制[J]. 電子與信息學報, 1981, 3(1): 22-28.
引用本文: 泮慧珍, 張桂成, 徐少華, 逄永秀, 程宗權(quán), 富小妹, 朱黎明, 胡道珊. 砷化鎵雙異質(zhì)結(jié)高輻射度發(fā)光管的研制[J]. 電子與信息學報, 1981, 3(1): 22-28.
Pan Hui-Zhen, Zhang Gui-Cheng, Xu Shao-Hua, Pang Yong-Xiu, Cheng Zong-Quan, Fu Xiao-Mei, Zhu Li-Ming, Hu Dao-Shan. THE STUDY OF GaAs DOUBLE HETEROJUNCTION HIGH-RADIANCE LIGHT-EMITTING DIODES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1981, 3(1): 22-28.
Citation: Pan Hui-Zhen, Zhang Gui-Cheng, Xu Shao-Hua, Pang Yong-Xiu, Cheng Zong-Quan, Fu Xiao-Mei, Zhu Li-Ming, Hu Dao-Shan. THE STUDY OF GaAs DOUBLE HETEROJUNCTION HIGH-RADIANCE LIGHT-EMITTING DIODES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1981, 3(1): 22-28.

砷化鎵雙異質(zhì)結(jié)高輻射度發(fā)光管的研制

THE STUDY OF GaAs DOUBLE HETEROJUNCTION HIGH-RADIANCE LIGHT-EMITTING DIODES

  • 摘要: 用液相外延技術(shù)生長GaAs-Ga1-XAlXAs雙異質(zhì)結(jié)材料,并制成小面積高輻射度發(fā)光二極管。輻射度高達100w/srcm2以上,尾纖(芯徑60m,N.A.=0.17)輸出功率最高達200W,外推工作壽命105小時。已用于1.8公里,8.448Mb/S,PCM-120路光纖電話通信系統(tǒng)。對器件的工作特性進行了分析,討論了影響因素及改進途徑。
      關鍵詞:
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  • C. A. Burrus, Optic. Comm.,4(1971), 307.[2]泮慧珍、鄔祥生,黃磊,科技通訊,1978,第3期,第7頁.[4]H. F. Lockwood and M. Ettenberg, J. Crystal growth, 15(1972),81.[5]]張桂成等,科技通訊,1978,第3期,第51頁.[6]Shigonebu Yamakoshi, et al., Appl. Phys. Lett., 31(1977), 627.[7]J. I. Pankove, IEEE J. Quantum Electron QE-4(1968), 119.
  • 加載中
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  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1980-02-21
  • 刊出日期:  1981-01-19

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