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硅納米線的固-液-固熱生長(zhǎng)及升溫特性研究

邢英杰 奚中和 俞大鵬 杭青嶺 嚴(yán)涵斐 馮孫齊 薛增泉

邢英杰, 奚中和, 俞大鵬, 杭青嶺, 嚴(yán)涵斐, 馮孫齊, 薛增泉. 硅納米線的固-液-固熱生長(zhǎng)及升溫特性研究[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 2003, 25(2): 259-262.
引用本文: 邢英杰, 奚中和, 俞大鵬, 杭青嶺, 嚴(yán)涵斐, 馮孫齊, 薛增泉. 硅納米線的固-液-固熱生長(zhǎng)及升溫特性研究[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 2003, 25(2): 259-262.
Xing Yingjie, Xi Zhonghe, Yu Dapeng, Hang Qingling, Yan Hanfei, Feng Sunqi, Xue Zengquan. Heating process of solid-liquid-solid (SLS) growth of silicon nanowires[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2003, 25(2): 259-262.
Citation: Xing Yingjie, Xi Zhonghe, Yu Dapeng, Hang Qingling, Yan Hanfei, Feng Sunqi, Xue Zengquan. Heating process of solid-liquid-solid (SLS) growth of silicon nanowires[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2003, 25(2): 259-262.

硅納米線的固-液-固熱生長(zhǎng)及升溫特性研究

Heating process of solid-liquid-solid (SLS) growth of silicon nanowires

  • 摘要: 該文報(bào)道一種直接在硅片上熱生長(zhǎng)硅納米線的新方法。與傳統(tǒng)的VLS生長(zhǎng)機(jī)制不同,該方法在生長(zhǎng)硅納米線的過(guò)程中沒(méi)有引入任何氣態(tài)或液態(tài)硅源.是一種全新的固液固(SLS)生長(zhǎng)機(jī)制。實(shí)驗(yàn)中使用了Ni,Au等金屬作為催化劑,由Ar,H2等作為載流氣體.系統(tǒng)壓強(qiáng)為2.5104Pa,生長(zhǎng)溫度為950-1000℃.生長(zhǎng)出的硅納米線表面光滑,呈純非晶態(tài),直徑為10-40 nm,長(zhǎng)度可達(dá)數(shù)十微米,升溫特性對(duì)硅納米線SLS熱生長(zhǎng)起重要作用。研究了各項(xiàng)實(shí)驗(yàn)參數(shù)(包括氣氛壓強(qiáng),加熱溫度及加熱時(shí)間等)對(duì)硅納米線生長(zhǎng)的影響。
  • S. Iijima, Helical microtubules of graphitic carbon, Nature, 1991, 354(6348), 56-58.[2]D.P. Yu, Z. G. Bai, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, J. S. Fu, H. Z. Zhang, Y. Ding, G. C.Xiong, S. Q. Feng, Direct evidence of quantum confinement from the size dependence of the photoluminescence of silicon quantum wires, Phys. Rev. B, 1999, 59(4), R2498-R2501.[3]Y. Cui, C. M. Lieber, Functional nanoscale electronic devices assembled using silicon nanowire building blocks, Science, 2001, 291(5505), 851-853.[4]A.M. Morales, C. M. Lieber, A laser ablation method for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires, Science, 1998, 279(5348), 208-211.[5]Yu D. P., Bai Z. G., Ding Y., Hang Q. L., Zhang H. Z., Wang J. J., Zou Y. H., Qian W., Xiong G.C., Zhou H. T., Feng S. Q., Nanoscale silicon wires synthesized using simple physical evaporation,Applied Physics Letters, 1998, 72(26), 3458-3460.[6]J. Westwater, D. P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, H. Ruda, Growth of silicon nanowires via gold/silane vapor-liquid-solid reaction, J. Vac. Sci. Technol. B, 1997, 15(3), 554-557.[7]R.S. Wagner, W. C. Ellis, Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth, Applied Physics Letters, 1964, 4(5), 89-90.[8]E.I. Givargizov, Fundamental aspects of VLS growth, J. Cryst. Growth, 1975, 31(1), 20-30.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  2001-08-14
  • 修回日期:  2001-11-26
  • 刊出日期:  2003-02-19

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