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GaAs中的低溫Zn擴散

張桂成 府治平

張桂成, 府治平. GaAs中的低溫Zn擴散[J]. 電子與信息學報, 1983, 5(4): 221-227.
引用本文: 張桂成, 府治平. GaAs中的低溫Zn擴散[J]. 電子與信息學報, 1983, 5(4): 221-227.
Zhang Gui-Cheng, Fu Zhi-Ping. THE DIFFUSION OF Zn IN GaAs AT LOW TEMPERATURE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(4): 221-227.
Citation: Zhang Gui-Cheng, Fu Zhi-Ping. THE DIFFUSION OF Zn IN GaAs AT LOW TEMPERATURE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(4): 221-227.

GaAs中的低溫Zn擴散

THE DIFFUSION OF Zn IN GaAs AT LOW TEMPERATURE

  • 摘要: 本文研究了低溫條件下Zn向GaAs中的擴散。實驗是用ZnAs2源在抽真空的石英管中進行的。研究了結深Xj,擴散溫度T和擴散時間t的關系。結果表明,表面層電阻Rs隨Xj,的增加而降低;表面濃度Cs隨1/T的增加而降低;遷移率隨Cs的增加而降低。將Cs對1/(RsXj)作圖表明,Cs隨1/(RsXj)的增加而增加。這一關系可作為判斷多層GaAlAs/GaAs外延層擴Zn后表面濃度的簡便方法。文中討論了Zn在GaAs和InP中的擴散機理,比較了Zn在InP和GaAs擴散層中的參數(shù)。 該擴散工藝可獲得表面光亮、無損傷的高濃度表面層,并已在GaAs/Ga1-xAlxAs雙異質(zhì)結發(fā)光管的制備工藝中應用。制得了光輸出功率為24mW、串聯(lián)電阻為35、壓降為2.4V的GaAs/Ga1-xAlxAs雙異質(zhì)結發(fā)光管。
      關鍵詞:
    •  
  • H. C. Casey,Trans.AIME, 242(1968), 406.[5]上海無線電十九廠,復旦大學,半導體集成電路工藝(上冊),1971年,第145頁.[6]L. Kenneth, J. Electrochem. Sec., 116(1969), 507.[8]張桂成等,半導體光電,1981年,第2期,第189頁.[9]P. K. Tien, et al., Appl. Phys. Lett., 34(1979), 701.[11]潘慧珍等,電子學通訊,3(1981), 22.
  • 加載中
計量
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  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1981-11-06
  • 刊出日期:  1983-07-19

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