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多孔鎢銫離子源

趙守珍 周清 姜永豐

趙守珍, 周清, 姜永豐. 多孔鎢銫離子源[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1990, 12(4): 446-448.
引用本文: 趙守珍, 周清, 姜永豐. 多孔鎢銫離子源[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1990, 12(4): 446-448.
Zhao Shouzhen, Zhou Qing, Jiang Yongfeng. A POROUS TUNGSTEN CESIUM ION SOURCE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(4): 446-448.
Citation: Zhao Shouzhen, Zhou Qing, Jiang Yongfeng. A POROUS TUNGSTEN CESIUM ION SOURCE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(4): 446-448.

多孔鎢銫離子源

A POROUS TUNGSTEN CESIUM ION SOURCE

  • 摘要: 在光電陰極的制備及對(duì)光電陰極作表面分析中,銫離子源較中性銫源具有一定的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)表面電離的原理,銫離子源使用了多孔鎢、銫鹽及其還原劑。本文介紹了銫離子源的制備,報(bào)告了實(shí)際測(cè)量結(jié)果。
  • 張華順,離子束源和大功率中性束源,原子能出版社,1987年,第二章,第五節(jié).[2]吳兆皓,電子科學(xué)學(xué)刊,8(1986) 6,442-448.[3]D. L. Schaefer, Rev. Sci. Instrum., 41(1970)2,274-275.[4]趙守珍等,真空科學(xué)與技術(shù),9(1989)3,203-204.[5]李昌全等,真空技術(shù),5(1976)2,40-52.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1988-07-25
  • 修回日期:  1900-01-01
  • 刊出日期:  1990-07-19

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