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高靈敏度非晶硅靶攝象管的研制

海宇涵 周忠毅 臧寶翠

海宇涵, 周忠毅, 臧寶翠. 高靈敏度非晶硅靶攝象管的研制[J]. 電子與信息學(xué)報, 1988, 10(6): 528-535.
引用本文: 海宇涵, 周忠毅, 臧寶翠. 高靈敏度非晶硅靶攝象管的研制[J]. 電子與信息學(xué)報, 1988, 10(6): 528-535.
Hai Yuhan, Zhou Zhongyi, Zhang Baochui. THE DEVELOPMENT OF a-Si:H IMAGE PICKUP TUBES WITH HIGH PHOTOSENSITIVITY[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(6): 528-535.
Citation: Hai Yuhan, Zhou Zhongyi, Zhang Baochui. THE DEVELOPMENT OF a-Si:H IMAGE PICKUP TUBES WITH HIGH PHOTOSENSITIVITY[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(6): 528-535.

高靈敏度非晶硅靶攝象管的研制

THE DEVELOPMENT OF a-Si:H IMAGE PICKUP TUBES WITH HIGH PHOTOSENSITIVITY

  • 摘要: 用大型低頻輝光放電系統(tǒng)制造和研究了具有阻擋結(jié)構(gòu)的非晶硅視象管靶,測量了靶面伏安特性和靶壓對光譜響應(yīng)的影響。制成了2/3英寸和1英寸兩種實驗樣管,白光靈敏度高達2400A/lm。光譜靈敏度在整個可見光范圍都較高,峰值光電導(dǎo)增益在0.58m附近接近0.8。信號電流隨照度線性增加,值約為0.95。在工作電壓下暗電流約為1-3nA。1英寸管的極限分辨率為800TVL,2/3英寸管的為700TVL。衰減惰性稍大,尚須改進。本文還討論了此管的應(yīng)用和某些尚待解決的問題。
  • 海宇涵,周忠毅等,關(guān)于開展非晶硅靶攝象管的探索性研究的報告,中國科學(xué)院電子學(xué)研究所內(nèi)部資料,1979年.[2]科學(xué)報,1985年3月17日,第1版.[3]阿高三郎ほか,日經(jīng)エレクトロニクス,1979,No. 223, p. 52.[4]Y. Imamura et al., Appl. Phys. Lett, 35(1979), 349.[5]I. Shimuzu et al., J. Appl. Phys., 51(1980), 6422.[6]S. Oda, et al., J. Appl. Phys., 52(1981), 7275.[7]S. Ishioka, et al., Jpn J. Appl. Phys., Suppl., 22-1(1983), 461.[8]C. Kusano, et al., New Imaging Device Using a-Si, Int. ED Meeting, 1983, p509.[9]E. J. Kampas, J. Appl. Phys., 53(1982), 6408.[10]海宇涵,周忠毅,真空科學(xué)與技術(shù),5(1985),51.[11]海宇涵,周忠毅,電子科學(xué)學(xué)刊,7(1985),108.[12]S. Ishioak, Semiconductors and Semimetals, vol. 21 Part D, p75.[13]A. Moore, Appl. Phys. Lett., 31(1977), 762.[14]D. Staebler, IEEE Trans. on R., R-31(1982), 281.
  • 加載中
計量
  • 文章訪問數(shù):  2002
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  • PDF下載量:  518
  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1987-01-13
  • 修回日期:  1987-09-02
  • 刊出日期:  1988-11-19

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