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同型外延材料表面光伏法測試的分析

張秀淼 賀國根 宋加濤

張秀淼, 賀國根, 宋加濤. 同型外延材料表面光伏法測試的分析[J]. 電子與信息學(xué)報, 1993, 15(1): 103-107.
引用本文: 張秀淼, 賀國根, 宋加濤. 同型外延材料表面光伏法測試的分析[J]. 電子與信息學(xué)報, 1993, 15(1): 103-107.
Zhang Xiumiao, He Guogen, Song Jiatao. ANALYSIS OF THE SURFACE PHOTO-VOLTAGE METHOD MEASUREMENTS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1993, 15(1): 103-107.
Citation: Zhang Xiumiao, He Guogen, Song Jiatao. ANALYSIS OF THE SURFACE PHOTO-VOLTAGE METHOD MEASUREMENTS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1993, 15(1): 103-107.

同型外延材料表面光伏法測試的分析

ANALYSIS OF THE SURFACE PHOTO-VOLTAGE METHOD MEASUREMENTS

  • 摘要: 本文應(yīng)用數(shù)值計算方法研究了表面光電壓是表面非平衡少子濃度的單調(diào)函數(shù)這一假設(shè)對于同型外延材料的可應(yīng)用性。我們發(fā)現(xiàn)這一假設(shè)對該材料一般地說并不成立。因此在使用等光伏表面光伏法測試同型外延材料少子擴散長度時一般不應(yīng)把表面非平衡少子濃度視為常數(shù)。在文中,我們也分析了可以把表面非平衡少子濃度作常數(shù)處理的條件。
  • A. M. Goodman, J. Appl. Phys., 32(1961)12, 2550-2552.[2]S. C. Choo, A. C. Sanderson, Solid-St. Electron., 13(1970)5, 609-617.[3]S. S. Li, Appl. Phys. Lett, 29(1976)7, 126-127.[4]M. K. Alam, Y. T. Yeow, Solid-St. Electron., 24(1981)12, 1117-1119.[5]W. E. Phillips, Solid-St. Electron., 15(1972)10, 1.097-1102.[6]Annuai Book of ASTM Standards on Electronics, Part 43, F391, pp. 770-775, M. D. Easton (1978).[7]E. O. Johnson, Phys. Rev., 111(1958), 153-166.[8]T. S. Moss, J. Electron. Cons, 1(1955), 126-133.[9]M. K. Alam, Y. T. Yeow, Appl. Phys. Lett., 37(1980)5, 469-470.[10]T. I. Seidman, S. C. Choo, Solid-St. Electron., 15(1972)11, 1229-1235.
  • 加載中
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  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1991-07-23
  • 修回日期:  1992-03-30
  • 刊出日期:  1993-01-19

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