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高穩(wěn)定長(zhǎng)壽命反射式GaAs(Cs,F)光陰極

談凱聲

談凱聲. 高穩(wěn)定長(zhǎng)壽命反射式GaAs(Cs,F)光陰極[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1987, 9(2): 161-164.
引用本文: 談凱聲. 高穩(wěn)定長(zhǎng)壽命反射式GaAs(Cs,F)光陰極[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1987, 9(2): 161-164.
Tan Kaisheng. A HIGH STABLE LONG LIFE-SPAN REFLACTIVE GaAs(Cs, F) PHOTOCATHODE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(2): 161-164.
Citation: Tan Kaisheng. A HIGH STABLE LONG LIFE-SPAN REFLACTIVE GaAs(Cs, F) PHOTOCATHODE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(2): 161-164.

高穩(wěn)定長(zhǎng)壽命反射式GaAs(Cs,F)光陰極

A HIGH STABLE LONG LIFE-SPAN REFLACTIVE GaAs(Cs, F) PHOTOCATHODE

  • 摘要: 一個(gè)穩(wěn)定的光陰極表面層是獲得一個(gè)穩(wěn)定的長(zhǎng)壽命光陰極的必不可少的條件。由于反射式GaAs(Cs,F)光陰極用氟代替氧進(jìn)行表面激活,氟的強(qiáng)烈的電負(fù)性使得表面層的穩(wěn)定性得到改善。反射式GaAs(Cs,F)光陰極的壽命達(dá)到8500小時(shí)。除此之外,它的工藝重復(fù)性和抗污染能力也比GaAs(Cs,O2)光陰極的好。
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  • H. Schade, H. Nelson and H. Kressel, Appl. Phys. Lett.,20(1972), 385.[2]H. Kressel, H. Schade and H. Nelson, J. Lumin., 7(1973),146.[3]Hirofumi Kan, et al., Appl. Phys. Lett., 9(1979), 545.[4]Hirofumi Kan, et al., J. Appl. Phys., 6(1980), 3404.[5]E. I. Garwin, et al., Oxide effects on photoemisston from high current GaAs photocathodes. SLAG Pub. 2715, March 1981.[6]B. E. Evans, et al., Surface Sci., 11(1968). 1.[7]S. Gatde, Phys. Stat. Sol. (A), 2(1970), 497.[8]I. Shita, et al., J. Electrochem. Soc., 124(1977), 155.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1985-03-27
  • 修回日期:  1985-04-25
  • 刊出日期:  1987-03-19

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