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非晶硅薄膜的應(yīng)用前景

奚中和 楊大同

奚中和, 楊大同. 非晶硅薄膜的應(yīng)用前景[J]. 電子與信息學(xué)報, 1984, 6(2): 156-165.
引用本文: 奚中和, 楊大同. 非晶硅薄膜的應(yīng)用前景[J]. 電子與信息學(xué)報, 1984, 6(2): 156-165.
Xi Zhong-He, Yang Da-Tong. PROSPECTS FOR APPLICATION OF a-Si:H FILMS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1984, 6(2): 156-165.
Citation: Xi Zhong-He, Yang Da-Tong. PROSPECTS FOR APPLICATION OF a-Si:H FILMS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1984, 6(2): 156-165.

非晶硅薄膜的應(yīng)用前景

PROSPECTS FOR APPLICATION OF a-Si:H FILMS

  • 摘要: 本文評述并探討了-Si:H薄膜在電子學(xué)領(lǐng)域的種種應(yīng)用。-Si:H太陽電池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究課題仍是改進(jìn)材料性質(zhì)和器件參數(shù),以提高電池的能量轉(zhuǎn)換效率。利用-Si:H靈敏的光敏效應(yīng)記錄圖象信息,可能有廣闊的應(yīng)用前景(如用于攝象管和靜電復(fù)印等)。以-Si:H場效應(yīng)管為基礎(chǔ)的集成電路,易于實現(xiàn)大面積和結(jié)構(gòu)的立體化,因此有很大吸引力。-Si:H FET驅(qū)動的液晶大面積顯示和材料本身的場致發(fā)光在大面積平面顯示中直接應(yīng)用的可能性亦引人注目。以整流、檢測等為目的的其它-Si:H二極管也都具有相當(dāng)?shù)膬r值。
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  • 奚中和等,無線電電子學(xué)匯刊,1981年,第3, 4期,第74頁.[3]S. R. Ovshinsky, Nature, 276(1978), 482.[4]Y. Tawada et al., Jap. J. Appl. Phys., 20(1981), 213.[5]G. Nakamura et al., Proc. 9th Int. Conf. on Amorphous and Liquid Semiconductors, Grenoble,1981, C4-483.[6]楊大同,太陽能學(xué)報,3(1982), 241.[7]林璇英等,無線電電子學(xué)匯刊,1982年,第3期,第7頁.[8]Y. L. Dalal, IEEE Trans. on ED, ED-27(1980), 662.[9]D. E. Carlson, J. Non-Crys. Solids, 35/36(1980), 707.[10]Y. Imamura, Appl. Phys. Lett.,35(1979), 349.[13]I. Shimizu et al., J. Non-Cryst. Solids, 35/36(1980), 773.[14]D. L. Staebler et al., Appl. Phys. Lett., 31(1977), 292.[18]A. J. Snell, Appl. Phys., 24(1981), 357.[19]D. E. Carlson et al., RCA Rev., 38(1977), 211.[20]R. A. Gibson, Appl. Phys., 21(1980), 307.[21]毛友德等,中國電子學(xué)會第三屆年會論文集,1982年,第273頁.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1982-09-10
  • 刊出日期:  1984-03-19

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