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p-InP/Ag-Zn/Mn系的接觸特性及其應(yīng)用

張桂成 程宗權(quán) 蔣惠英 俞志中

張桂成, 程宗權(quán), 蔣惠英, 俞志中. p-InP/Ag-Zn/Mn系的接觸特性及其應(yīng)用[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1990, 12(2): 214-218.
引用本文: 張桂成, 程宗權(quán), 蔣惠英, 俞志中. p-InP/Ag-Zn/Mn系的接觸特性及其應(yīng)用[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1990, 12(2): 214-218.
Zhang Guicheng, Chen Zongquan, Jiang Huiying, Yu Zhizhong. CONTACT CHARACTERISTICS OF THE p-InP/Ag-Zn/Mn SYSTEM AND APPLICATION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(2): 214-218.
Citation: Zhang Guicheng, Chen Zongquan, Jiang Huiying, Yu Zhizhong. CONTACT CHARACTERISTICS OF THE p-InP/Ag-Zn/Mn SYSTEM AND APPLICATION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(2): 214-218.

p-InP/Ag-Zn/Mn系的接觸特性及其應(yīng)用

CONTACT CHARACTERISTICS OF THE p-InP/Ag-Zn/Mn SYSTEM AND APPLICATION

  • 摘要: 本文研究了p-InP/Ag-Zn/Mn系的接觸特性和界面互擴(kuò)散問(wèn)題。結(jié)果表明:該系的比接觸電阻與Au-Zn系相當(dāng)。而Ag的內(nèi)擴(kuò)散程度較Au低,有利于器件可靠性的改善。該系用作InGaAsP/InP邊發(fā)光管的p面電極,器件的Rs4--6。
  • E. Kuphal, Solid-state Electronics, 24(1981), 69.[2]A. K. Chin, et al., Jpn. J. Appl. Phys., 8(1981), 1487.[3]張桂成等,電子科學(xué)學(xué)刊,2(1984),174.[4]H. Temkin, et al., Appl. Phys. Lett., 36 (1980), 444.[5]A. K. Chin, et al., Appl. Phys. Lett., 41 (1982), 555.[6]張桂成等,發(fā)光與顯示,1(1985), 5.[7]W. Tseng, et al., J. Vac. Sci. Technol., 19 (1981), 623.[8]A. J. Volois, et al., Solid-state Electronics, 25(1982), 973.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1988-01-09
  • 修回日期:  1988-05-01
  • 刊出日期:  1990-03-19

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