高場強熒光屏的研制

朱國民; 歐陽行倉; 劉桂英

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文章導(dǎo)航 > 電子與信息學(xué)報 > 1982 > 4(1): 71-72

朱國民, 歐陽行倉, 劉桂英. 高場強熒光屏的研制[J]. 電子與信息學(xué)報, 1982, 4(1): 71-72.

引用本文:

朱國民, 歐陽行倉, 劉桂英. 高場強熒光屏的研制[J]. 電子與信息學(xué)報, 1982, 4(1): 71-72.

Zhu Guo-Min, OuYang-Xing-Cang , Liu Gui-Ying. A HIGH ELECTRIC FIELD INTENSITY FLUORESCENT SCREEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(1): 71-72.

Citation:

Zhu Guo-Min, OuYang-Xing-Cang , Liu Gui-Ying. A HIGH ELECTRIC FIELD INTENSITY FLUORESCENT SCREEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(1): 71-72.

朱國民, 歐陽行倉, 劉桂英. 高場強熒光屏的研制[J]. 電子與信息學(xué)報, 1982, 4(1): 71-72.

引用本文:

朱國民, 歐陽行倉, 劉桂英. 高場強熒光屏的研制[J]. 電子與信息學(xué)報, 1982, 4(1): 71-72.

Zhu Guo-Min, OuYang-Xing-Cang , Liu Gui-Ying. A HIGH ELECTRIC FIELD INTENSITY FLUORESCENT SCREEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(1): 71-72.

Citation:

Zhu Guo-Min, OuYang-Xing-Cang , Liu Gui-Ying. A HIGH ELECTRIC FIELD INTENSITY FLUORESCENT SCREEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(1): 71-72.

高場強熒光屏的研制

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出版歷程
- 收稿日期: 1981-07-21
- 刊出日期: 1982-01-19

A HIGH ELECTRIC FIELD INTENSITY FLUORESCENT SCREEN

摘要

摘要: 正倒象式第二代微光管和雙近貼式第二、第三代微光管,對熒光屏提出了新的特殊要求,這就是除達到成象器件所需要的高亮度、高分辨率外,為了保證高象質(zhì),還必須能夠在高電場強度下正常工作而不被破壞
Abstract: High electric field intensity fluorescent screen (HEFIFS) plays an important role in low light level imaging devices of the second and third generation image intensifiers. This paper gives a preliminary result in HBFIFS which can operate under electric field intensity of 10-12 kV/mm. Other characteristics of the HEFIFS such as relative luminosity, spectrum and resolution are comparable to the conventional fluorescent sereen of the first generation image intensifier.