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用堆集掩模技術(shù)制造變厚超導(dǎo)微橋

時(shí)賢慶 楊彩炳 祁宜芝 曹效能 馬金娣 黃繼章

時(shí)賢慶, 楊彩炳, 祁宜芝, 曹效能, 馬金娣, 黃繼章. 用堆集掩模技術(shù)制造變厚超導(dǎo)微橋[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1987, 9(5): 473-476.
引用本文: 時(shí)賢慶, 楊彩炳, 祁宜芝, 曹效能, 馬金娣, 黃繼章. 用堆集掩模技術(shù)制造變厚超導(dǎo)微橋[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1987, 9(5): 473-476.
Shi Xiangqing, Yang Caibing, Qi Yizhi, Cao Xiaoneng, Ma Jindi, Huang Jizhang. FABRICATION OF VARIABLE THICKNESS SUPERCONDUCTING MICROBRIDGES WITH THE PILE-UP MASKING TECHNIQUE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(5): 473-476.
Citation: Shi Xiangqing, Yang Caibing, Qi Yizhi, Cao Xiaoneng, Ma Jindi, Huang Jizhang. FABRICATION OF VARIABLE THICKNESS SUPERCONDUCTING MICROBRIDGES WITH THE PILE-UP MASKING TECHNIQUE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(5): 473-476.

用堆集掩模技術(shù)制造變厚超導(dǎo)微橋

FABRICATION OF VARIABLE THICKNESS SUPERCONDUCTING MICROBRIDGES WITH THE PILE-UP MASKING TECHNIQUE

  • 摘要: 本文介紹了一種制作變厚超導(dǎo)微橋的新方法。用此方法變厚超導(dǎo)微橋通過(guò)一次光刻、用三個(gè)坩堝、不必打開(kāi)鍍膜機(jī)就能制成。利用普通接觸式紫外曝光設(shè)備和斜蒸發(fā)技術(shù),使橋區(qū)達(dá)到亞微米尺寸。并獲得了無(wú)迴滯的直流I-V特性。
      關(guān)鍵詞:
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  • P. C.Chao et al., IEEE Trans. on EDL, EDL-3(1982), 286.[2]L. B. Holdeman et al., J. Vac. Sci. Technol., 4(1985), 956.[3]時(shí)賢慶等,中國(guó)真空學(xué)會(huì)第5屆真空應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集,1986, 133.[4]M. Hatzakis et al., IBM J. Res. Develop., 24(1980), 452.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1986-01-08
  • 修回日期:  1987-03-17
  • 刊出日期:  1987-09-19

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