一種新的非均勻減薄法選擇陽極氧化法

高鳳升; 龔秀英; 葛永才

一级黄色片免费播放|中国黄色视频播放片|日本三级a|可以直接考播黄片影视免费一级毛片

留言板

尊敬的讀者、作者、審稿人, 關(guān)于本刊的投稿、審稿、編輯和出版的任何問題, 您可以本頁添加留言。我們將盡快給您答復(fù)。謝謝您的支持!

姓名

郵箱

手機(jī)號(hào)碼

標(biāo)題

留言內(nèi)容

驗(yàn)證碼

一種新的非均勻減薄法選擇陽極氧化法

高鳳升, 龔秀英, 葛永才

文章導(dǎo)航 > 電子與信息學(xué)報(bào) > 1991 > 13(2): 221-224

高鳳升, 龔秀英, 葛永才. 一種新的非均勻減薄法選擇陽極氧化法[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1991, 13(2): 221-224.

引用本文:

高鳳升, 龔秀英, 葛永才. 一種新的非均勻減薄法選擇陽極氧化法[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1991, 13(2): 221-224.

Gao Fengseng, Gong Xiuying, Ge Yongcai. A NEW TECHNIQUE FOR THINNING THE THICKNESS OF UNUNIFORM EPILAYERS--SELECTIVE ANODIC OXIDATION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(2): 221-224.

Citation:

Gao Fengseng, Gong Xiuying, Ge Yongcai. A NEW TECHNIQUE FOR THINNING THE THICKNESS OF UNUNIFORM EPILAYERS--SELECTIVE ANODIC OXIDATION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(2): 221-224.

高鳳升, 龔秀英, 葛永才. 一種新的非均勻減薄法選擇陽極氧化法[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1991, 13(2): 221-224.

引用本文:

高鳳升, 龔秀英, 葛永才. 一種新的非均勻減薄法選擇陽極氧化法[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1991, 13(2): 221-224.

Citation:

一種新的非均勻減薄法選擇陽極氧化法

計(jì)量
- 文章訪問數(shù): 2064
- HTML全文瀏覽量: 135
- PDF下載量: 505
- 被引次數(shù): 0
出版歷程
- 收稿日期: 1989-04-30
- 修回日期: 1990-09-28
- 刊出日期: 1991-03-19

A NEW TECHNIQUE FOR THINNING THE THICKNESS OF UNUNIFORM EPILAYERS--SELECTIVE ANODIC OXIDATION

摘要

摘要: 提出了一種新的非均勻減薄法,即選擇陽極氧化法。用于n+-n-n++GaAs高低結(jié)雪崩二極管的n+層厚度的控制,使器件的效率達(dá)到理論值。
- 半導(dǎo)體工藝; 減薄技術(shù); 選擇陽極氧化
Abstract: A new technique called selective anodic oxidation, by which the ununiform epilayers can be thinned, is presented. The thickness of n+-layers of GaAs IMPATT diodes with n+-n-n++ structure has been strictly controlled by the use of this technique. This results in the efficiency of IMPATT diodes up to its theoretical value.