一级黄色片免费播放|中国黄色视频播放片|日本三级a|可以直接考播黄片影视免费一级毛片

高級(jí)搜索

留言板

尊敬的讀者、作者、審稿人, 關(guān)于本刊的投稿、審稿、編輯和出版的任何問(wèn)題, 您可以本頁(yè)添加留言。我們將盡快給您答復(fù)。謝謝您的支持!

姓名
郵箱
手機(jī)號(hào)碼
標(biāo)題
留言內(nèi)容
驗(yàn)證碼

超薄的金屬/LB絕緣膜/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的CV和I-V特性

鄭茳,  林慈,  孟江生,  魏同立,  韋鈺

鄭茳, 林慈, 孟江生, 魏同立, 韋鈺. 超薄的金屬/LB絕緣膜/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的CV和I-V特性[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1990, 12(4): 415-417.
引用本文: 鄭茳, 林慈, 孟江生, 魏同立, 韋鈺. 超薄的金屬/LB絕緣膜/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的CV和I-V特性[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1990, 12(4): 415-417.
Zheng Jiang, Lin Ci Men, Jiangshen, Wei Tongli, Wei Yu. C-V AND I-V CHARACTERISTICS OF ULTRATHIN METAL/LB INSULATING FILMS/SEMICONDUCTOR STRUCTURE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(4): 415-417.
Citation: Zheng Jiang, Lin Ci Men, Jiangshen, Wei Tongli, Wei Yu. C-V AND I-V CHARACTERISTICS OF ULTRATHIN METAL/LB INSULATING FILMS/SEMICONDUCTOR STRUCTURE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(4): 415-417.

超薄的金屬/LB絕緣膜/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的CV和I-V特性

C-V AND I-V CHARACTERISTICS OF ULTRATHIN METAL/LB INSULATING FILMS/SEMICONDUCTOR STRUCTURE

  • 摘要: 本文研究了超薄的金屬/LB絕緣膜/半導(dǎo)體(MLS)結(jié)構(gòu)的C-V和I-V特性,理論分析與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相一致,結(jié)論如下:(1)超薄MLS結(jié)構(gòu)具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作為絕緣層可調(diào)整肖特基器件勢(shì)壘高度。
    Abstract: C-V and I-V characteristics of ultratllin metal/LB insulating films/semiconductor structure are studied. Theoretical analysis are well in accord with experimental results. The results indicate that: (1) Ultrathin MLS structure has normal C-V and I-V characteristics; (2) It is possible to modify the barrier height of Schottky devices by using LB thin films as insulators.
    • HTML全文
  • 專集,日本科學(xué)與技術(shù),2(1987), 1-72.[2]任云珠等,固體電子學(xué)研究與進(jìn)展,6(1986)4, 337- 341.[3]舒占永等,采用Langmluir-Blodgett技術(shù)制備MOCVD-InP MIS結(jié)構(gòu),1988年全國(guó)LB膜學(xué)術(shù)討論會(huì)文集,河南,開(kāi)封.
  • 加載中
計(jì)量
  • 文章訪問(wèn)數(shù):  2370
  • HTML全文瀏覽量:  179
  • PDF下載量:  531
  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1989-01-16
  • 修回日期:  1989-09-01
  • 刊出日期:  1990-07-19

目錄

    /

    返回文章
    返回