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長(zhǎng)波閾為1.65m的透射式負(fù)電子親和勢(shì)光陰極組成結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)

陶兆民

陶兆民. 長(zhǎng)波閾為1.65m的透射式負(fù)電子親和勢(shì)光陰極組成結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1982, 4(5): 309-311.
引用本文: 陶兆民. 長(zhǎng)波閾為1.65m的透射式負(fù)電子親和勢(shì)光陰極組成結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1982, 4(5): 309-311.
Tao Zhao-Min. THE COMPOSITIONAL STRUCTURE DESIGN OF A NEGATIVE ELECTRON AFFINITY TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODE WITH 1.65m THRESHOLD WAVELENGTH[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(5): 309-311.
Citation: Tao Zhao-Min. THE COMPOSITIONAL STRUCTURE DESIGN OF A NEGATIVE ELECTRON AFFINITY TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODE WITH 1.65m THRESHOLD WAVELENGTH[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(5): 309-311.

長(zhǎng)波閾為1.65m的透射式負(fù)電子親和勢(shì)光陰極組成結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)

THE COMPOSITIONAL STRUCTURE DESIGN OF A NEGATIVE ELECTRON AFFINITY TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODE WITH 1.65m THRESHOLD WAVELENGTH

  • 摘要: 正 透射式負(fù)電子親和勢(shì)GaAs光陰極已應(yīng)用于成像器件。由于GaAs的禁帶寬度為1.42eV,長(zhǎng)波閾約為0.9m。因此透射式負(fù)電子親和勢(shì)GaAs光陰極的工作波長(zhǎng)范圍為0.40.9m。迄今尚未見(jiàn)報(bào)道長(zhǎng)波閾大于1m的透射式負(fù)電子親和勢(shì)Ⅲ-Ⅴ族化合物光
      關(guān)鍵詞:
    •  
    Abstract: In this paper, a transmissive NEA phatocathode with 1.65 m threshold wavelength is proposed and designed, its compositional structure is as follows: InPAl0.48 In0.52 AsGa0.47 In0.53 AsAl0.48 In0.52 Asconduction coatingglass.
    • HTML全文
  • J. C. Richard and E. Roaux, Vacuum, 30(1980), 549.[2]陶兆民,電子學(xué)通訊,3(1981), 132.[3]R. L. Moon et al., J. Electronic Materials 3(1974), 640.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1981-12-30
  • 修回日期:  1982-02-03
  • 刊出日期:  1982-09-19

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