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雙柵極場發(fā)射陣列的特性模擬與設計

莊學曾 夏善紅 陶新昕

莊學曾, 夏善紅, 陶新昕. 雙柵極場發(fā)射陣列的特性模擬與設計[J]. 電子與信息學報, 1998, 20(1): 114-119.
引用本文: 莊學曾, 夏善紅, 陶新昕. 雙柵極場發(fā)射陣列的特性模擬與設計[J]. 電子與信息學報, 1998, 20(1): 114-119.
Zhuang Xuezeng, Xia Shanhong, Tao Xinxin. SIMULATION AND DESIGN OF DOUBLE-GATED FIELD EMISSION ARRAYS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1998, 20(1): 114-119.
Citation: Zhuang Xuezeng, Xia Shanhong, Tao Xinxin. SIMULATION AND DESIGN OF DOUBLE-GATED FIELD EMISSION ARRAYS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1998, 20(1): 114-119.

雙柵極場發(fā)射陣列的特性模擬與設計

SIMULATION AND DESIGN OF DOUBLE-GATED FIELD EMISSION ARRAYS

  • 摘要: 具有聚焦能力的雙柵極場發(fā)射陣列(DGFEA)是兩類最有發(fā)展前途的真空微電子器件(高分辨率場發(fā)射顯示器和真空微電子微波、毫米波器件)的關鍵技術。本文簡要比較了兩種結(jié)構的DGFEA的主要性能和優(yōu)缺點,敘述了雙層柵極結(jié)構DGFEA的設計與模擬方法.從模擬計算獲得的發(fā)射特性和聚焦性能可以看到:這種結(jié)構的DGFEA能獲得幾乎平行的場發(fā)射電子束,其最大發(fā)射電流密度可達到約500A/cm2以上,是發(fā)展真空微電子微波、毫米波器件和其它強流電子注器件等較理想的電子源。
  • 莊學曾,夏善紅,劉光治.真空微電子器件的進展和問題.電子科學學刊,1997, 19(5): 688-694.[2]Fraser D L. Miniature Directed Electron Beam Source. U. S. Patent 3, 753022.[3]Mobley R M, Boers J E. Computer simulation of micro-triode performance[J].IEEE Trans. on ED.1991,38(10):2383-2388[4]Kesling W D, Hunt C E. Beam focusing for field-emission flat-panel displays[J].IEEE Trans. on ED.1995, 42(2):340-347[5]莊學曾.真空微電子微波管.真空電子技術,1996, (2): 9-15.[6]Xia S, Broers A N. Adaptive finite element mesh generation program for electron gun simulation. Int1 J. Numerical Modelling 1995, 8: 109-125.[7]盛劍霓,等.電磁場數(shù)值分析.科學出版社,1984,第二章,56-126.[8]Good R H Jr.[J].Mueller E W. Field Emission, In Handbuch der Physik (Fluace S., ed.), Berlin: Springer-Verlag, Vo1.2.1956,:-[9]Hawkes P W, Kasper E. Principles of Electron Optics, Vo12: Applied Geometrical Optics, Berlin: Academic Press, 1989, 927.[10]Zhu X, Munro E M. A computer program for electron gun design using second order finite elements[J].J. Vac. Sci. Technol, B.1989, 7(6):1862-1869[11]Munro E M, Zhu X, Rouse J A, Liu H. Computer Solution of Vacuum Microelectronic Components[J].The 7th Int1 Conf. on Vacuum Microelectronics, Grenoble France.1994, 7:143-146[12]Yasushi Toma, Seigo Kanemaro, Junji Itoh. Electron-beam characteristics of double-gated Si field emitter arrays[J].J. Vac. Sci. Technol, B.1996, 14(3):1902-1905
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出版歷程
  • 收稿日期:  1997-01-15
  • 修回日期:  1997-04-25
  • 刊出日期:  1998-01-19

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