一级黄色片免费播放|中国黄色视频播放片|日本三级a|可以直接考播黄片影视免费一级毛片

高級搜索

留言板

尊敬的讀者、作者、審稿人, 關于本刊的投稿、審稿、編輯和出版的任何問題, 您可以本頁添加留言。我們將盡快給您答復。謝謝您的支持!

姓名
郵箱
手機號碼
標題
留言內容
驗證碼

p型Si1-xGex應變層中重摻雜禁帶窄變的計算

吳文剛 張萬榮 江德生 羅晉生

吳文剛, 張萬榮, 江德生, 羅晉生. p型Si1-xGex應變層中重摻雜禁帶窄變的計算[J]. 電子與信息學報, 1996, 18(6): 638-643.
引用本文: 吳文剛, 張萬榮, 江德生, 羅晉生. p型Si1-xGex應變層中重摻雜禁帶窄變的計算[J]. 電子與信息學報, 1996, 18(6): 638-643.
Wu Wengang, Zhang Wanrong, Jiang Desheng, Luo Jinsheng. CALCULATION OF THE BANDGAP NARROWING DUE TO HEAVY DOPING IN p-TYPE STRAINED Si1-xGex LAYERS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1996, 18(6): 638-643.
Citation: Wu Wengang, Zhang Wanrong, Jiang Desheng, Luo Jinsheng. CALCULATION OF THE BANDGAP NARROWING DUE TO HEAVY DOPING IN p-TYPE STRAINED Si1-xGex LAYERS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1996, 18(6): 638-643.

p型Si1-xGex應變層中重摻雜禁帶窄變的計算

CALCULATION OF THE BANDGAP NARROWING DUE TO HEAVY DOPING IN p-TYPE STRAINED Si1-xGex LAYERS

  • 摘要: 針對應變Si1-xGex的應變致價帶分裂和重摻雜對裂值的影響,提出了該合金價帶結構的等價有效簡并度模型。模型中考慮了非拋物線價帶結構。應用這個模型,計算了贗晶生長在100Si襯底上的p型Si_(1-x)Ge_x應變層的重摻雜禁帶窄變,發(fā)現(xiàn)當雜質濃度超過約2~31019cm-3后,它在某一Ge組分下得到極大值,而當摻雜低于此濃度時,它則隨Ge組分的增加單調下降。與實驗報道的對比證實了本模型的有效性。
  • Patton G L, Comfort J H, Meyerson B 5, et al. IEEE Electron. Device Lett., 1990, EDL-11(4): 171-173.[2]King C A, Hoyt J L, Gronet C M, et al. IEEE Electron. Device Lett., 1989, EDL-10(2): 52-54.[3]Lin T -L, Ksendzov A, Dejewsky S M, et al. IEEE Trams. on Electron Devices, 1992, ED-38(5): 1141-1144.[4]Sze S M. Physics of Semiconductor Devices. 2nd Ed, New York: Wiley, 1981, Ch. 2.[5]Manku T, Nathan A. Phys. Rev., 1991, B43(15): 12634-12637.[6]Jain S C, Roulston D J. Solid-State Electron., 1991, 34(5): 453-465.[7]Malian G D. J. Appl. Phys., 1980, 51(5): 2634-2646.[8]Berggren K -F, Sernelius B E. Phys. Rev., 1981, B24(4): 1971-1986.[9]Barry H Bebb, Ratliff C R. J. Appl. Phys., 1971, 42(8): 3189-3194.[10]People R. Phys. Rev., 1985, B32(2): 1405-1408.[11]Karlsteen M, Willander M. Solid-State Electron., 1990, 33(2): 199-204.[12]Bean J C. Proc[J].IEEE.1992, 80(4):571-587[13]Poortmans J, Jam S C, Totterdell D H J, et al. Solid-State Electron., 1993, 36(12): 1763-1771.[14]People R, Bean J C. Appl. Phys. Lett., 1985, 47(3): 322-324.[15]People R. IEEE J. of Quantum Electron., 1986, QE-22(9): 1696-1710.
  • 加載中
計量
  • 文章訪問數(shù):  2172
  • HTML全文瀏覽量:  120
  • PDF下載量:  437
  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1994-12-31
  • 修回日期:  1996-02-07
  • 刊出日期:  1996-11-19

目錄

    /

    返回文章
    返回