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用膠體-原子薄片模型計算W(100)-Cs吸附系統(tǒng)的逸出功

王寧 王鼎盛

王寧, 王鼎盛. 用膠體-原子薄片模型計算W(100)-Cs吸附系統(tǒng)的逸出功[J]. 電子與信息學報, 1986, 8(6): 408-415.
引用本文: 王寧, 王鼎盛. 用膠體-原子薄片模型計算W(100)-Cs吸附系統(tǒng)的逸出功[J]. 電子與信息學報, 1986, 8(6): 408-415.
Wang Ning, Wang Dingsheng. THE WORK FUNCTION CALCULATIONS FOR W(100)-Cs ADSORBED SYSTEMS BYJELLIUM ON ATOMIC SLAB MODEL[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(6): 408-415.
Citation: Wang Ning, Wang Dingsheng. THE WORK FUNCTION CALCULATIONS FOR W(100)-Cs ADSORBED SYSTEMS BYJELLIUM ON ATOMIC SLAB MODEL[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(6): 408-415.

用膠體-原子薄片模型計算W(100)-Cs吸附系統(tǒng)的逸出功

THE WORK FUNCTION CALCULATIONS FOR W(100)-Cs ADSORBED SYSTEMS BYJELLIUM ON ATOMIC SLAB MODEL

  • 摘要: 堿或堿土金屬的原子吸附于過渡金屬表面時,會使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來研究這一現(xiàn)象。過渡金屬基底用薄膜線性級加平面波(LAPW)法精確處理,而簡單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構(gòu)成基底的過渡金屬特點的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統(tǒng)的電子性質(zhì)。 文中給出了計算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實驗結(jié)果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問題。
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  • N. D. Lang and W. Kohn, Phys. Rev. B, 1(1970), 4555.[2]N. D. Lang and W. Kohn, ibid., 3(1971), 1215.[3]N. E. Lang, ibid., 4(1971), 4234.[4]H. Krakauer, M. Posternak and A. J. Freeman, Bull. Am. Phys., 23(1978), 258.[5]H. Krakauer, and M. Posternak, Phys. Rev. B, 19(1979), 1706.[6]M. Posternak and H.Krakauer, ibid., 21(1980), 5601.[7]Wang Dingsheng, A. J. Freeman and H. Krakauer, ibid., 24(1981), 3092.[8]O. K. Anderson, ibid., 12(1975), 3060.[9]D. D. Knelling and G. O. Arbman, J. Phys. F, 5(1975), 2055.[10]L. W. Swanson and R. W. Strayer, J. Chem. Phys.,48(1968), 2421.[11]R. W. Strayer, W. Mackie and L. N. Swanson, Surf. Sci. 34(1973), 225.[12]私人通訊.[13]S. L. Cunningham, Phys. Rev. B, 10(1974), 4998.
  • 加載中
計量
  • 文章訪問數(shù):  1985
  • HTML全文瀏覽量:  89
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  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1985-05-13
  • 修回日期:  1986-06-24
  • 刊出日期:  1986-11-19

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