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用線性電壓掃描的電容-時(shí)間瞬態(tài)測(cè)定少子產(chǎn)生壽命

張秀淼

張秀淼. 用線性電壓掃描的電容-時(shí)間瞬態(tài)測(cè)定少子產(chǎn)生壽命[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1992, 14(3): 291-294.
引用本文: 張秀淼. 用線性電壓掃描的電容-時(shí)間瞬態(tài)測(cè)定少子產(chǎn)生壽命[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1992, 14(3): 291-294.
Zhang Xiumiao. DETERMINATION OF GENERATION LIFETIME FROM C-t TRANSIENTS UNDER LINEAR VOLTAGE RAMP BIAS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(3): 291-294.
Citation: Zhang Xiumiao. DETERMINATION OF GENERATION LIFETIME FROM C-t TRANSIENTS UNDER LINEAR VOLTAGE RAMP BIAS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(3): 291-294.

用線性電壓掃描的電容-時(shí)間瞬態(tài)測(cè)定少子產(chǎn)生壽命

DETERMINATION OF GENERATION LIFETIME FROM C-t TRANSIENTS UNDER LINEAR VOLTAGE RAMP BIAS

  • 摘要: 本文建議用耗盡的線性掃描電壓掃描MOS電容樣品。掃描開始前MOS電容被置于強(qiáng)反型態(tài),以消除表面產(chǎn)生的影響。根據(jù)掃描所得的電容-時(shí)間瞬態(tài)曲線,可確定樣品中少于產(chǎn)生壽命。實(shí)驗(yàn)表明,對(duì)于同一個(gè)MOS電容樣品,不同電壓掃描率下得到的結(jié)果有很好的一致性,且與飽和電容法的結(jié)果相符合。
  • M. Zerbst,Z.angew. Phys., 22 (1966)l,30-33.[2]R.F.Pierret, IEEE Trans. on ED, ED-19(1972)7,869-873.[3]R.F.Pierret, IEEE Trans. on ED, ED-22(1975)9, 1051-1052.[4]包宗明,蘇九令,物理學(xué)報(bào),29(1980)6,693-697.[5]K.S.Rabbani, D.R.Lamb, Solrd-State Etectronics, 24(1981)6,661-664.[6]張秀淼,包宗明,蘇九令,物理學(xué)報(bào),32(1983)2,239-246.[7]張秀淼,賀國(guó)根,半導(dǎo)體學(xué)報(bào),4(1983) 5,444-448.[8]D. K. Schroder, H. C. Nathanson, Solid-Staze Electronics, 13(1970)5, 577-581.[9]D. K. Schroder, J. Guldberg, Solid- State Electronics, 14(1971) 12, 1285-1297.[10]P. U. Calzolari, S.Graffi, C. Morandi, Solid-State Etectronics,17(1974) 10. 1001-1011.[11]K.S.Rabbani, Solid-State Etectronics, 30(1987)6, 607-613.[12]P. G. C. Allman, IEE Proc.-I, 129(1982)4, 121-124.[13]X. Zhang, Solid-State Electronics, 33(1990)9, 1139-1142.[14]C.S.Yue, H. Vyas, M. Holt,J.Borowick, Solid-State Electronics, 28(1985)4, 403-406.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1991-04-27
  • 修回日期:  1991-07-23
  • 刊出日期:  1992-05-19

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