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砷化鎵汽相外延中Cd的行為和p-n結(jié)材料的制備

彭瑞伍 徐晨梅 勵翠云 王博弘

彭瑞伍, 徐晨梅, 勵翠云, 王博弘. 砷化鎵汽相外延中Cd的行為和p-n結(jié)材料的制備[J]. 電子與信息學(xué)報, 1985, 7(4): 319-322.
引用本文: 彭瑞伍, 徐晨梅, 勵翠云, 王博弘. 砷化鎵汽相外延中Cd的行為和p-n結(jié)材料的制備[J]. 電子與信息學(xué)報, 1985, 7(4): 319-322.
Peng Ruiwu, Xu Chenmei, Li Chuiyu, Wang Bohong . THE CADMIUM INCOPORATION AND THE PREPARATION OF p-n JUNCTION MATERIALS IN Ga-AsCl3-H2 SYSTEM[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1985, 7(4): 319-322.
Citation: Peng Ruiwu, Xu Chenmei, Li Chuiyu, Wang Bohong . THE CADMIUM INCOPORATION AND THE PREPARATION OF p-n JUNCTION MATERIALS IN Ga-AsCl3-H2 SYSTEM[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1985, 7(4): 319-322.

砷化鎵汽相外延中Cd的行為和p-n結(jié)材料的制備

THE CADMIUM INCOPORATION AND THE PREPARATION OF p-n JUNCTION MATERIALS IN Ga-AsCl3-H2 SYSTEM

  • 摘要: 正 一、引言 在CaAs氣相外延中,除了用各種摻雜劑制得n型材料外,也有少量工作述及P型外延層的制備。鑒于P型材料可用作雙漂移二極管和太陽能電池,本文在GaAsCl3-H2體系中采用元素Cd為摻雜劑,研究了Cd的摻雜行為并制得了各種結(jié)構(gòu)的p-n材料
      關(guān)鍵詞:
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  • Peng Ruiwu(彭瑞伍), J. Crystal Growth, 56(1982), 350.[2]彭瑞伍,孫裳珠,沈松華,電子科學(xué)學(xué)刊,5(1983) 16.[3]J. Chermier et al., J. Appl. Phys., 53 (1983), 3247.[4]彭瑞伍,江文達(dá),孫裳珠等,第七次國際晶體生長會議摘要集,西德,1983.[5]Y. G. Sidorov and L. F. Uasilesa, J. Electrochem. Soc., 123(1976), 698.[6]彭瑞伍,1983年全國砷化稼和有關(guān)化合物會議摘要集,上海,1983.[7]S. M. Sze and J. C. Irrin, Solid State Electron., 11(1976), 599.[8]邵永富,陳自姚,彭瑞伍,半導(dǎo)體學(xué)報,3(1982), 216.
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  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1983-12-12
  • 修回日期:  1984-08-13
  • 刊出日期:  1985-07-19

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