耗盡型選擇性摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管

陳定欽; 張曉玲; 熊思強(qiáng); 高翠華; 周帆

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陳定欽, 張曉玲, 熊思強(qiáng), 高翠華, 周帆. 耗盡型選擇性摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管[J]. 電子與信息學(xué)報, 1990, 12(1): 100-102.

引用本文:

陳定欽, 張曉玲, 熊思強(qiáng), 高翠華, 周帆. 耗盡型選擇性摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管[J]. 電子與信息學(xué)報, 1990, 12(1): 100-102.

Chen Dingqin, Zhang Xiaoling, Xiong Siqiang, Gao Cuihua, Zhou Fan. DEPLETION MODE SELECTIVE DOPED HETEROJUNCTION TRANSISTOR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(1): 100-102.

Citation:

Chen Dingqin, Zhang Xiaoling, Xiong Siqiang, Gao Cuihua, Zhou Fan. DEPLETION MODE SELECTIVE DOPED HETEROJUNCTION TRANSISTOR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(1): 100-102.

陳定欽, 張曉玲, 熊思強(qiáng), 高翠華, 周帆. 耗盡型選擇性摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管[J]. 電子與信息學(xué)報, 1990, 12(1): 100-102.

引用本文:

陳定欽, 張曉玲, 熊思強(qiáng), 高翠華, 周帆. 耗盡型選擇性摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管[J]. 電子與信息學(xué)報, 1990, 12(1): 100-102.

Chen Dingqin, Zhang Xiaoling, Xiong Siqiang, Gao Cuihua, Zhou Fan. DEPLETION MODE SELECTIVE DOPED HETEROJUNCTION TRANSISTOR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(1): 100-102.

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耗盡型選擇性摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管

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出版歷程
- 收稿日期: 1988-01-24
- 修回日期: 1989-08-21
- 刊出日期: 1990-01-19

DEPLETION MODE SELECTIVE DOPED HETEROJUNCTION TRANSISTOR

摘要

摘要: 設(shè)計和研制了耗盡型選擇性摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管。外延選擇性摻雜材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延爐生長的。制作器件的材料在室溫下,霍爾測量的電子遷移率為6500cm2/vs,二維薄層電子濃度ns=91011cm2。在77K時n=75000cm2/vs。測量了具有柵長1.21.5m,柵寬2180m耗盡型異質(zhì)結(jié)器件的直流特性和器件的跨導(dǎo),室溫下gm=110～130ms/mm,而低溫77K時,可達(dá)到200ms/mm。
- 半導(dǎo)體器件; 耗盡型異質(zhì)結(jié)晶體管; MBE材料; 剝離工藝; 跨導(dǎo)
Abstract: Depletion Model Selective doped heterojunction transistor is designed and fabricated. Epitaxial modulation loping material were grown by a home-made MBE system. The gate length and width for low noise depletion devices were 1.2-1.5m and 2180m respecipely. The electron mobility of the material is typically 6500cm2/v.s at 300K and 75000 cm2/v.s at 77 K. The sheet electron concentration n, is 91011 cm-2. The transconductance of the depletion Mode levices is 100-130 ms/mm at room temperature. However at low temperature the transconductance is 200 ms/mm.Its noise figure is above 2-3dB.